公开(公告)号：CN110687630A

公开(公告)日：2020-01-14

申请号：CN201910941546.X

申请日：2019-09-30

申请人： 华中科技大学

发明人： 雷鑑铭 ,  武俞刚 ,  王淳风

IPC分类号： G02B6/122 ,  G02B6/136 ,  G02B6/132 ,  G02B6/13 ,  G02B6/12

摘要： 本发明属于半导体制造领域，公开了一种应用于三维光互连的SOI衬底及其制备方法，其中SOI衬底包括自上而下键合相连的上硅片(1)和下硅片(9)，在上硅片(1)和下硅片(5)相键合连接的区域还具有埋层氧化层；在上硅片(1)内设置有两套微反射镜的阵列，在下硅片(9)内设置有硅光通孔的阵列；两套微反射镜的阵列中的一套阵列与位于下硅片(9)内的硅光通孔阵列在竖直方向上一一对应，用于实现该SOI衬底的层内波导与该SOI衬底的硅光通孔的光信号连接；另一套微反射镜阵列用于实现该SOI衬底的层内波导与三维器件中上一层SOI衬底的硅光通孔的光信号连接。本发明利用硅光通孔与层内波导之间光转向的微反射镜阵列，能够提升三维光互连芯片的性能。

公开(公告)号：CN110687630B

公开(公告)日：2020-07-28

申请号：CN201910941546.X

申请日：2019-09-30

申请人： 华中科技大学

发明人： 雷鑑铭 ,  武俞刚 ,  王淳风

IPC分类号： G02B6/122 ,  G02B6/136 ,  G02B6/132 ,  G02B6/13 ,  G02B6/12

摘要： 本发明属于半导体制造领域，公开了一种应用于三维光互连的SOI衬底及其制备方法，其中SOI衬底包括自上而下键合相连的上硅片(1)和下硅片(9)，在上硅片(1)和下硅片(5)相键合连接的区域还具有埋层氧化层；在上硅片(1)内设置有两套微反射镜的阵列，在下硅片(9)内设置有硅光通孔的阵列；两套微反射镜的阵列中的一套阵列与位于下硅片(9)内的硅光通孔阵列在竖直方向上一一对应，用于实现该SOI衬底的层内波导与该SOI衬底的硅光通孔的光信号连接；另一套微反射镜阵列用于实现该SOI衬底的层内波导与三维器件中上一层SOI衬底的硅光通孔的光信号连接。本发明利用硅光通孔与层内波导之间光转向的微反射镜阵列，能够提升三维光互连芯片的性能。