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公开(公告)号：CN114566203B
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202210155645.7
申请日：2022-02-21
申请人： 华中科技大学
摘要： 本发明公开了一种Flash的快速检测装置及方法，其装置包括：纠错模块，在数据读写时识别错误位置信息；计时模块，根据设定的周期间隔发出时间使能信号；统计模块，根据错误位置信息统计各区域的错误计数，当时间使能信号和空闲使能信号同时存在时，定位具有最大计数的区域作为目标区域并将时间使能信号消除以及将各区域的计数清零；错误检测模块，将目标区域的数据进行备份以及备份后对目标区域进行检测，当即将恢复读取操作时，暂停检测且保留备份数据、保存检测进度并在下次出现空闲使能信号时继续对上一未检测完毕的目标区域检测，直至当前目标区域检测结束后获取新的目标区域进行检测，由此实现频率可调的局部检测，提高检测效率。
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公开(公告)号：CN115037306A
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202210664014.8
申请日：2022-06-13
申请人： 华中科技大学 , 圣邦微电子(北京)股份有限公司
IPC分类号： H03M1/46
摘要： 本发明公开了一种基于残量累加电荷的逐次逼近型数模转换器，属于模数转换集成电路技术领域，该模数转化器对SAR‑ADC进行逐次比较后，并不立即重置DAC电容阵列，而是获取其残量电压电荷；对其残量电压电荷，通过电容开关电路进行电荷的存储和转移，并和下一次的采样输入累加到一起，送入DAC比较阵列，进行下一次逻辑转换。残量电压电荷进行多次累积后，可被识别出，从而提高分辨率。本发明采用残量电压电荷累积的方法，能够在不提高面积的前提下，提高ADC的精度，且可以通过累积次数，动态调节收敛时间。本发明公开了一种利用残量电压电荷累积的方式提高应用于低频信号环境的SAR‑ADC的分辨率的方法。
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公开(公告)号：CN110751280A
公开(公告)日：2020-02-04
申请号：CN201910885769.9
申请日：2019-09-19
申请人： 华中科技大学
摘要： 本发明公开了一种应用于卷积神经网络的可配置卷积加速器，包括传输时钟域模块和主时钟域模块，主时钟域模块包括计算单元阵列、全局缓存和片上网络；全局缓存用于存储第一中间结果、第二中间结果、输入特征图和卷积核权重，并传递输出特征图；片上网络用于控制计算单元阵列的结构、卷积核与输入特征图的复用，并控制数据传输的位置和方向；计算用于对获取的输入特征图、卷积核权重和第一中间结果进行卷积计算，获取第二中间结果和输出特征图。本发明通过片上网络控制计算单元阵列的结构，并实现计算单元对输入特征图和卷积核的复用及对第二中间结果的累加，显著减少了输入特征图和卷积核数据的片外存储访问，进而减少了可配置加速器的功耗。
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公开(公告)号：CN110687630A
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201910941546.X
申请日：2019-09-30
申请人： 华中科技大学
摘要： 本发明属于半导体制造领域，公开了一种应用于三维光互连的SOI衬底及其制备方法，其中SOI衬底包括自上而下键合相连的上硅片(1)和下硅片(9)，在上硅片(1)和下硅片(5)相键合连接的区域还具有埋层氧化层；在上硅片(1)内设置有两套微反射镜的阵列，在下硅片(9)内设置有硅光通孔的阵列；两套微反射镜的阵列中的一套阵列与位于下硅片(9)内的硅光通孔阵列在竖直方向上一一对应，用于实现该SOI衬底的层内波导与该SOI衬底的硅光通孔的光信号连接；另一套微反射镜阵列用于实现该SOI衬底的层内波导与三维器件中上一层SOI衬底的硅光通孔的光信号连接。本发明利用硅光通孔与层内波导之间光转向的微反射镜阵列，能够提升三维光互连芯片的性能。
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公开(公告)号：CN102023646B
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201010589870.9
申请日：2010-12-15
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： G05D3/12
摘要： 本发明提供的太阳跟踪装置，其特征在于，该装置包括光电检测器，载物平台，万向球运行轨道，万向球，电动推杆，支撑平台和信号处理器；光电检测器固定于载物平台表面的中心；载物平台背面设置有三根互成120度的长度相同的万向球运行轨道，三根万向球运行轨道的延长线交与一点；载物平台由三根电动推杆支撑，电动推杆一端通过万向球嵌入到万向球运行轨道，并能够在万向球运行轨道上滑动，另一端固定在支撑平台上；电动推杆的轴线与支撑平台的平面保持垂直，三根电动推杆在支撑平台上对应的固定点构成一个正三角形；支撑平台内承载有信号处理器。本发明负重能力强，可以承载大面积太阳能电池板；调整过程中惯量小，摩擦小，提高了装置稳定性，延长了装置使用寿命；具有易于实现，精度高和灵活度高的特点。
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公开(公告)号：CN101505565B
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：CN200910061080.0
申请日：2009-03-11
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： H05B37/02 , H02J7/00 , F21S9/03 , F21V23/00 , F21Y101/02
CPC分类号： Y02B20/42
摘要： 本发明公开了一种独立式光伏LED照明系统控制专用SoC芯片，它包括充电采样电路、充电驱动电路、LED照明采样电路、LED照明驱动电路、控制模块、温度感测电路和保护电路。充电采样电路的输入端分别与太阳能电池和蓄电池相连，其输出端分别与充电驱动电路和控制模块相连；LED照明采样电路通过控制功率变换电路，为LED灯提供恒定电流；充电驱动电路控制功率变换电路为蓄电池提供合适的充电电流和电压；LED照明驱动电路在接收到控制模块提供的照明信息时，控制LED灯工作。本发明可以通过少量外围元器件，轻松构成独立式光伏LED照明系统，系统具有低成本、高效能、小体积、高智能化等诸多优点。
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公开(公告)号：CN102281003A
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN201110248904.2
申请日：2011-08-26
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： H02M3/18
CPC分类号： Y02E10/56
摘要： 本发明公开了一种基于机械开关的DC-DC升压式开关电源电路，包括依次串联连接的俘能器(101)、电感(3)、二极管(4)和电容(5)，该电路中还包括有机械开关(6)，其一端与二极管(4)正极连接，另一端连接到输出电容(5)的负极，从而与二极管(4)和输出电容(5)形成并联连接，通过机械开关(6)的多次导通和断开，使俘能器(101)输出的能量不断存储到电容(5)，从而使该电容(5)两端电压不断上升，进而启动后续的能量采集电路。本发明采用机械开关代替半导体功率器件作为升压式开关电源的开关元件，无需外部电源供电即可自启动后的高效能量采集，能够在超低压输入的情况下，高效的进行能量采集。
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公开(公告)号：CN101257289B
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN200810047183.7
申请日：2008-03-28
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： H03K3/0231 , H03K3/012
摘要： 本发明公开了一种低功耗的双电容驰张型CMOS振荡器，包括双电容电路、RS触发器和比较电路。比较电路由比较器Comp3和D触发器构成，双电容电路的二个输出端分别接比较器的二个同相输入端，比较器的反相输入端接参考电压，比较器的输出端接D触发器的触发沿，D触发器的二个输出端分别接RS触发器的R、S端，RS触发器的二个输出端分别接双电容电路的二个输入端，D触发器的其中一个输出端作为总输出端。与现有的技术相比，比较器Comp3和比较器Comp1(或Comp2)所消耗的电流相当，但是因为D触发器中的所以管子都处于开关状态，并且不需要偏置电路，所以它比比较器Comp2(或Comp1)的静态功耗要小很多。本发明的电路结构简单，占用版图面积小、功耗低、效率高。
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公开(公告)号：CN101257290A
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200810047231.2
申请日：2008-04-03
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： H03K3/03 , H03K3/013 , H03K5/13 , H03K19/0185 , H03L7/099
摘要： 本发明公开了一种环形压控振荡器，包括3至5级延时单元和输出缓冲电路；各级延时单元成环形首尾相连，每一级的正相和负相输入端分别与前一级的负相与正相延时输出端相连，第一级延时单元的正相和负相输入端分别与最末一级延时单元的负相与正相输出端相连；每一级正相和负相信号输出端分别与各输出缓冲电路的正相和负相输入端相连。本发明具有调节范围宽、抖动低的特点。采用五级延时结构时，得到的输出信号频率调节范围为100M－1.3GHz；中心频率为900MHz时，相位噪声为－87dBc/Hz@100KHz和－108dBc/Hz@1MHz；占空比约为50％；平均电流为15mA。
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公开(公告)号：CN110687630B
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN201910941546.X
申请日：2019-09-30
申请人： 华中科技大学
摘要： 本发明属于半导体制造领域，公开了一种应用于三维光互连的SOI衬底及其制备方法，其中SOI衬底包括自上而下键合相连的上硅片(1)和下硅片(9)，在上硅片(1)和下硅片(5)相键合连接的区域还具有埋层氧化层；在上硅片(1)内设置有两套微反射镜的阵列，在下硅片(9)内设置有硅光通孔的阵列；两套微反射镜的阵列中的一套阵列与位于下硅片(9)内的硅光通孔阵列在竖直方向上一一对应，用于实现该SOI衬底的层内波导与该SOI衬底的硅光通孔的光信号连接；另一套微反射镜阵列用于实现该SOI衬底的层内波导与三维器件中上一层SOI衬底的硅光通孔的光信号连接。本发明利用硅光通孔与层内波导之间光转向的微反射镜阵列，能够提升三维光互连芯片的性能。
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