一种太阳能电池模组及其制作方法

    公开(公告)号:CN108550647B

    公开(公告)日:2020-02-14

    申请号:CN201810498603.7

    申请日:2018-05-23

    摘要: 本发明属于太阳能电池领域,更具体地,涉及一种太阳能电池模组及其制作方法。该太阳能电池模组包括若干个串联的子电池,所述子电池自下而上依次包括底电极、电子传输层、光活性层、空穴传输层和顶电极,在该太阳能电池模组的串联电路上任意两个相邻的子电池的极性相反;在串联电路上任意两个相邻的子电池的底电极直接连接,或顶电极直接连接。该模组可有效减少用于连接子电池的中间无效面积,提高模组的空间填充因子。同时也消除了上下电极的接触电阻,进一步提升电池的性能。本发明的电池结构对实现高效大面积太阳能电池提供了潜在的可能。

    一种太阳能电池模组及其制作方法

    公开(公告)号:CN108550647A

    公开(公告)日:2018-09-18

    申请号:CN201810498603.7

    申请日:2018-05-23

    摘要: 本发明属于太阳能电池领域,更具体地,涉及一种太阳能电池模组及其制作方法。该太阳能电池模组包括若干个串联的子电池,所述子电池自下而上依次包括底电极、电子传输层、光活性层、空穴传输层和顶电极,在该太阳能电池模组的串联电路上任意两个相邻的子电池的极性相反;在串联电路上任意两个相邻的子电池的底电极直接连接,或顶电极直接连接。该模组可有效减少用于连接子电池的中间无效面积,提高模组的空间填充因子。同时也消除了上下电极的接触电阻,进一步提升电池的性能。本发明的电池结构对实现高效大面积太阳能电池提供了潜在的可能。

    一种金属薄膜复合电极、制备方法及其应用

    公开(公告)号:CN115148836B

    公开(公告)日:2024-07-05

    申请号:CN202210756696.5

    申请日:2022-06-29

    摘要: 本发明公开了一种金属薄膜复合电极、制备方法及其应用。所述制备方法包括:将金属粉末、有机溶剂和双氧水进行混合,使金属粉末与双氧水发生氧化反应生成金属过氧化物,金属过氧化物与有机溶剂发生取代反应得到有机金属过氧化物固体;将所述有机金属过氧化物固体分散在有机溶剂中得到有机金属过氧化物分散液;在透明基底层上旋涂所述有机金属过氧化物分散液得到有机金属过氧化物层;在所述有机金属过氧化物层上采用真空蒸镀的方式沉积金属层,得到所述金属薄膜复合电极。本发明通过有机金属过氧化物层与金属层之间的氧化作用,增加成核生长位点,从而提高金属膜的连续性和导电性,实现兼具高电导率以及低粗糙度的金属薄膜电极。

    一种金属薄膜复合电极、制备方法及其应用

    公开(公告)号:CN115148836A

    公开(公告)日:2022-10-04

    申请号:CN202210756696.5

    申请日:2022-06-29

    摘要: 本发明公开了一种金属薄膜复合电极、制备方法及其应用。所述制备方法包括:将金属粉末、有机溶剂和双氧水进行混合,使金属粉末与双氧水发生氧化反应生成金属过氧化物,金属过氧化物与有机溶剂发生取代反应得到有机金属过氧化物固体;将所述有机金属过氧化物固体分散在有机溶剂中得到有机金属过氧化物分散液;在透明基底层上旋涂所述有机金属过氧化物分散液得到有机金属过氧化物层;在所述有机金属过氧化物层上采用真空蒸镀的方式沉积金属层,得到所述金属薄膜复合电极。本发明通过有机金属过氧化物层与金属层之间的氧化作用,增加成核生长位点,从而提高金属膜的连续性和导电性,实现兼具高电导率以及低粗糙度的金属薄膜电极。

    一种聚合物-金属螯合物阴极界面材料及其应用

    公开(公告)号:CN111081885A

    公开(公告)日:2020-04-28

    申请号:CN201811222328.2

    申请日:2018-10-19

    IPC分类号: H01L51/44 H01L51/46 H01L33/40

    摘要: 本发明属于光电材料技术领域,更具体地,涉及一种新型的具有普适性的聚合物-金属螯合物阴极界面材料。其为聚合物分子与金属离子的螯合物,所述聚合物分子为含有氨基的界面修饰材料;且所述氨基与所述金属离子发生配位反应,得到所述聚合物-金属螯合物阴极界面材料。其通过将聚合物分子中的氨基与金属离子发生配位获得聚合物-金属螯合物材料,金属离子钝化了聚合物中氨基的还原能力,也增加了聚合物本身的导电能力,将这种材料用作阴极界面材料,能够很好的适用于不同电极界面以及不同的器件结构。

    一种色散补偿方法及装置

    公开(公告)号:CN102684793A

    公开(公告)日:2012-09-19

    申请号:CN201110054415.3

    申请日:2011-03-08

    IPC分类号: H04B10/18

    摘要: 本发明公开了一种色散补偿方法,包括:接收来自光网络单元的突发数据,所述突发数据包括前导码以及信息数据;根据突发数据中的前导码确定对信息数据进行均衡计算的权值组;使用所述权值组对所述信息数据进行均衡计算,并根据均衡计算结果得到色散补偿输出。本发明实施例还提供了一种色散补偿装置,该方法及装置能够降低实现成本。

    抗辐射加固存储单元电路

    公开(公告)号:CN103474092B

    公开(公告)日:2016-01-06

    申请号:CN201310397216.1

    申请日:2013-09-04

    IPC分类号: G11C11/4063

    CPC分类号: G11C11/4125

    摘要: 本发明公开了一种抗辐射加固存储单元电路,包括:基本存储单元、冗余存储单元和双向反馈单元;其中,基本存储单元包括第一、第二PMOS管和第三、第四PMOS管;冗余存储单元包括第五、第六PMOS管和第七、第八PMOS管;双向反馈单元用于构成存储节点与冗余存储节点间的反馈通路,还用于构成反相存储节点与反相冗余存储节点间的反馈通路。本发明的存储单元电路可自动实现抗总剂量效应加固和抗单粒子闩锁效应加固,同时利用冗余和双路循环反馈技术实现抗单粒子翻转效应加固,具有较好的抗辐射特性,且电路结构简单,单元面积小。

    一种基于sigma滤波器的红外焦平面非均匀性校正方法

    公开(公告)号:CN102968765B

    公开(公告)日:2014-12-17

    申请号:CN201210454281.9

    申请日:2012-11-13

    IPC分类号: G06T5/00 G01J5/00

    摘要: 本发明公开了一种基于sigma滤波器的红外焦平面非均匀性校正方法,该方法对线性校正后的图像进行模板大小为5x5的sigma滤波,在实现边缘保持平滑滤波的同时,完成校正参数迭代步长自适应调整以及异常像素(坏元、冲激噪声)检测与替换,采用变化参考图像实现运动检测,只有当校正图像与变化参考图像的差值大于变化阈值时才对非均匀性校正参数进行自适应迭代步长的更新。本发明将sigma滤波器用于红外焦平面非均匀性校正,利用其边缘保持特性降低非均匀性参数估计误差,增强“鬼影”抑制能力,同时利用sigma滤波器实现自适应迭代步长与异常像素检测与替换,计算复杂度低,适合硬件电路实现。

    一种基于sigma滤波器的红外焦平面非均匀性校正方法

    公开(公告)号:CN102968765A

    公开(公告)日:2013-03-13

    申请号:CN201210454281.9

    申请日:2012-11-13

    IPC分类号: G06T5/00 G01J5/00

    摘要: 本发明公开了一种基于sigma滤波器的红外焦平面非均匀性校正方法,该方法对线性校正后的图像进行模板大小为5x5的sigma滤波,在实现边缘保持平滑滤波的同时,完成校正参数迭代步长自适应调整以及异常像素(坏元、冲激噪声)检测与替换,采用变化参考图像实现运动检测,只有当校正图像与变化参考图像的差值大于变化阈值时才对非均匀性校正参数进行自适应迭代步长的更新。本发明将sigma滤波器用于红外焦平面非均匀性校正,利用其边缘保持特性降低非均匀性参数估计误差,增强“鬼影”抑制能力,同时利用sigma滤波器实现自适应迭代步长与异常像素检测与替换,计算复杂度低,适合硬件电路实现。