一种基于多层硅基光栅的太赫兹波幅度调制器及制备方法

    公开(公告)号:CN112904550A

    公开(公告)日:2021-06-04

    申请号:CN202110132723.7

    申请日:2021-01-29

    Abstract: 本发明公开了一种基于多层硅基光栅的太赫兹波幅度调制器及制备方法,属于信息技术中的人工电磁材料领域。包括:第一亚波长光栅、第二亚波长光栅、线圈、磁体和MEMS弹簧;所述第一亚波长光栅和第二亚波长光栅位于上下两层且相互平行,键合构成双层光栅;所述线圈置于第二亚波长光栅上,所述MEMS弹簧与第二亚波长光栅相连;所述线圈通电时,在所述磁体的作用下带动第二亚波长光栅相对于第一亚波长光栅发生位移,位移方向与所述双层光栅平行。本发明仅基于多层硅基光栅,无其他复杂结构,具有易于设计、低成本、操作简单等特点,而且普适性强,无频率依赖性,具有很好的可扩展性,能够被推广至太赫兹以外的其他电磁波频段。

    一种基于静电驱动纯硅基光栅的太赫兹调制器及制备方法

    公开(公告)号:CN113075791B

    公开(公告)日:2022-03-29

    申请号:CN202110304771.X

    申请日:2021-03-22

    Abstract: 本发明公开了一种静电驱动纯硅基光栅的太赫兹调制器及制备方法,属于信息技术中的太赫兹器件领域。该器件由纯硅基一维交错光栅和静电驱动梳齿组成。当交错光栅的相对位置发生改变,器件对太赫兹波的透射率和反射率会发生显著变化,因此可以通过控制交错光栅的相对位移变化来实现对太赫兹波的幅度调制。本发明采用SOI硅片,利用MEMS加工技术中的深硅刻蚀工艺将静电驱动模块制作在器件层,衬底层制作一维交错光栅作为太赫兹波调制模块。电容梳齿与交错光栅各自的可动部分通过埋氧层连接组成质量块,经由弹簧与外框架连接,两者的其余部分则分别固定在外框架上。该器件仅由硅材料制备,且采用成熟的MEMS加工工艺,成本低廉、适用于批量生产。

    一种超小口径三分量MEMS井中重力测量装置和系统

    公开(公告)号:CN112925037B

    公开(公告)日:2022-07-05

    申请号:CN202110126864.8

    申请日:2021-01-29

    Abstract: 本发明公开了一种超小口径三分量MEMS井中重力测量装置和系统,属于地球物理勘探技术领域,所述装置包括:正交堆叠放置的三个独立的MEMS重力探头;各个MEMS重力探头从内至外依次包括:MEMS传感器(13),用于进行重力测量;恒温恒压机构(12),用于为MEMS传感器(13)提供恒温恒压环境;伺服调平机构(11),用于控制MEMS传感器(13)的指向,以使MEMS传感器(13)在指向准确的情况下进行井下重力探测获取重力信号。本发明通过正交垂向堆叠放置的三个独立的MEMS重力探头设计出超小口径三分量MEMS井中重力测量装置和系统,能够适用于外口径小于50mm井眼且低成本地实现重力探测;还能够在50mm外径范围内增加MEMS传感器(13)的尺寸,以提高MEMS重力探头的测量精度。

    一种超小口径三分量MEMS井中重力测量装置和系统

    公开(公告)号:CN112925037A

    公开(公告)日:2021-06-08

    申请号:CN202110126864.8

    申请日:2021-01-29

    Abstract: 本发明公开了一种超小口径三分量MEMS井中重力测量装置和系统,属于地球物理勘探技术领域,所述装置包括:正交堆叠放置的三个独立的MEMS重力探头;各个MEMS重力探头从内至外依次包括:MEMS传感器(13),用于进行重力测量;恒温恒压机构(12),用于为MEMS传感器(13)提供恒温恒压环境;伺服调平机构(11),用于控制MEMS传感器(13)的指向,以使MEMS传感器(13)在指向准确的情况下进行井下重力探测获取重力信号。本发明通过正交垂向堆叠放置的三个独立的MEMS重力探头设计出超小口径三分量MEMS井中重力测量装置和系统,能够适用于外口径小于50mm井眼且低成本地实现重力探测;还能够在50mm外径范围内增加MEMS传感器(13)的尺寸,以提高MEMS重力探头的测量精度。

    一种基于静电驱动纯硅基光栅的太赫兹调制器及制备方法

    公开(公告)号:CN113075791A

    公开(公告)日:2021-07-06

    申请号:CN202110304771.X

    申请日:2021-03-22

    Abstract: 本发明公开了一种静电驱动纯硅基光栅的太赫兹调制器及制备方法,属于信息技术中的太赫兹器件领域。该器件由纯硅基一维交错光栅和静电驱动梳齿组成。当交错光栅的相对位置发生改变,器件对太赫兹波的透射率和反射率会发生显著变化,因此可以通过控制交错光栅的相对位移变化来实现对太赫兹波的幅度调制。本发明采用SOI硅片,利用MEMS加工技术中的深硅刻蚀工艺将静电驱动模块制作在器件层,衬底层制作一维交错光栅作为太赫兹波调制模块。电容梳齿与交错光栅各自的可动部分通过埋氧层连接组成质量块,经由弹簧与外框架连接,两者的其余部分则分别固定在外框架上。该器件仅由硅材料制备,且采用成熟的MEMS加工工艺,成本低廉、适用于批量生产。

    一种基于多层硅基光栅的太赫兹波幅度调制器及制备方法

    公开(公告)号:CN112904550B

    公开(公告)日:2022-04-22

    申请号:CN202110132723.7

    申请日:2021-01-29

    Abstract: 本发明公开了一种基于多层硅基光栅的太赫兹波幅度调制器及制备方法,属于信息技术中的人工电磁材料领域。包括:第一亚波长光栅、第二亚波长光栅、线圈、磁体和MEMS弹簧;所述第一亚波长光栅和第二亚波长光栅位于上下两层且相互平行,键合构成双层光栅;所述线圈置于第二亚波长光栅上,所述MEMS弹簧与第二亚波长光栅相连;所述线圈通电时,在所述磁体的作用下带动第二亚波长光栅相对于第一亚波长光栅发生位移,位移方向与所述双层光栅平行。本发明仅基于多层硅基光栅,无其他复杂结构,具有易于设计、低成本、操作简单等特点,而且普适性强,无频率依赖性,具有很好的可扩展性,能够被推广至太赫兹以外的其他电磁波频段。

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