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公开(公告)号：CN107170849B
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201710308855.4
申请日：2017-05-04
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
IPC: H01L31/0352 , H01L31/09
Abstract: 本发明公开了一种基于胶体量子点的条型超表面结构偏振相关窄带探测器及其制备方法，包括如下步骤：向玻璃板上生长一层硅；旋涂光刻胶；转移条形阵列结构进行显影处理；去胶处理；旋涂量子点；通过电子束蒸发设备蒸镀一层金。本发明利用条形阵列结构对短波红外特定波长的谐振作用，实现对特定波长光的全吸收，通过调节条形阵列结构的几何结构参数来控制光学吸收，实现了特定波长可调，实现可见光到红外光的吸收，且具有偏振相关性，进而胶体量子点材料制成探测器。该制备方法简易，响应迅速，可操作性强，具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN108444927A
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201810200969.1
申请日：2018-03-12
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
Abstract: 本发明公开了一种光谱分析芯片及其制备方法，该光谱分析芯片从下至上依次包括硅衬底层、量子点光敏薄膜、以及光学天线，其中，光学天线是由金属纳米结构周期性排列得到的阵列；该光谱分析芯片还包括至少一对与量子点光敏薄膜接触的金属电极构成光电探测器。探测芯片制备分三步：制备光学天线；制备量子点光敏薄膜；制作电极完成芯片制备。本发明利用金属纳米结构与量子点光敏薄膜之间的协同配合，利用光学天线的滤波和光场增强功能以及量子点的量子限域效应，对量子点光敏薄膜的光电响应进行波长调制和增敏，实现高灵敏、窄通带、可调谐的光电探测器单元，集成制备得到高灵敏光谱分析芯片。
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公开(公告)号：CN106950631A
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201710319273.6
申请日：2017-05-09
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
Abstract: 本发明公开了一种基于介质微柱阵列的红外吸波体及其制备方法；该红外吸波体包括介质微柱阵列、介质层以及金属层；介质微柱阵列用于对入射光波长进行筛选处理，介质层用于使筛选后的入射光谐振产生电磁波，金属层用于将所述电磁波转化为热能吸收。该红外吸波体具有高品质因数，吸收峰宽度极窄的优点。当柱体高度为630nm～1210nm，柱体直径为809nm～1980nm，两个相邻柱体中心距离为1300nm～3600nm；以及介质层其厚度为1030nm～2310nm时，实现在介质微柱阵列表面的玻印亭矢量为零，进而保证吸收峰波长与入射角度在一定范围内无关；并实现吸波体的品质因数可以高于100，具有窄的吸收峰带宽。
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公开(公告)号：CN108444927B
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：CN201810200969.1
申请日：2018-03-12
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
Abstract: 本发明公开了一种光谱分析芯片及其制备方法，该光谱分析芯片从下至上依次包括硅衬底层、量子点光敏薄膜、以及光学天线，其中，光学天线是由金属纳米结构周期性排列得到的阵列；该光谱分析芯片还包括至少一对与量子点光敏薄膜接触的金属电极构成光电探测器。探测芯片制备分三步：制备光学天线；制备量子点光敏薄膜；制作电极完成芯片制备。本发明利用金属纳米结构与量子点光敏薄膜之间的协同配合，利用光学天线的滤波和光场增强功能以及量子点的量子限域效应，对量子点光敏薄膜的光电响应进行波长调制和增敏，实现高灵敏、窄通带、可调谐的光电探测器单元，集成制备得到高灵敏光谱分析芯片。
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公开(公告)号：CN107170849A
公开(公告)日：2017-09-15
申请号：CN201710308855.4
申请日：2017-05-04
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
IPC: H01L31/0352 , H01L31/09
CPC classification number: H01L31/035218 , H01L31/09
Abstract: 本发明公开了一种基于胶体量子点的条型超表面结构偏振相关窄带探测器及其制备方法，包括如下步骤：向玻璃板上生长一层硅；旋涂光刻胶；转移条形阵列结构进行显影处理；去胶处理；旋涂量子点；通过电子束蒸发设备蒸镀一层金。本发明利用条形阵列结构对短波红外特定波长的谐振作用，实现对特定波长光的全吸收，通过调节条形阵列结构的几何结构参数来控制光学吸收，实现了特定波长可调，实现可见光到红外光的吸收，且具有偏振相关性，进而胶体量子点材料制成探测器。该制备方法简易，响应迅速，可操作性强，具有广泛的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107478342B
公开(公告)日：2019-09-13
申请号：CN201710579047.1
申请日：2017-07-17
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种钽酸锂窄带探测器及其制备方法，属于热释电红外探测器领域。探测器包括探测器本体和电磁超表面结构，电磁超表面结构设置在探测器本体上，其中，探测器本体包括从下至上设置的硅底座支撑、下电极、钽酸锂晶片、上电极，电磁超表面结构包括自下而上设置金背板、介质层以及天线，其中，金背板与上电极为同一物体，两者共用。本发明还提供了钽酸锂窄带探测器的制备方法，本发明采用超表面技术对传统的热释电探测器没有波长选择性的缺陷进行改进，在一定波长范围内能够实现对特定波长的检测，并且简化了红外探测器的制备流程。
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公开(公告)号：CN107275796B
公开(公告)日：2019-08-13
申请号：CN201710488566.7
申请日：2017-06-23
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种太赫兹波吸波体、制备方法及应用，该太赫兹吸波体包括从上至下依次排列的天线阵列、介质层以及金属层，天线阵列包括多个呈阵列排布的天线单元，天线单元包括四个呈旋转对称的天线结构，天线结构呈未封闭的凹字形结构，天线结构开口位于凹字形左侧；介质层厚度为使经过天线阵列反射的反射光和经过金属层反射的反射光相位相差π，由于天线结构呈未封闭的凹字形结构，能够在天线结构所占据面积小情况下增加天线结构的有效长度，实现对太赫兹波段光吸收，介质层厚度使经过天线阵列反射的反射光和经过金属层反射的反射光相消，进而提高太赫兹吸波体的吸收率。
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公开(公告)号：CN107478342A
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201710579047.1
申请日：2017-07-17
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种钽酸锂窄带探测器及其制备方法，属于热释电红外探测器领域。探测器包括探测器本体和电磁超表面结构，电磁超表面结构设置在探测器本体上，其中，探测器本体包括从下至上设置的硅底座支撑、下电极、钽酸锂晶片、上电极，电磁超表面结构包括自下而上设置金背板、介质层以及天线，其中，金背板与上电极为同一物体，两者共用。本发明还提供了钽酸锂窄带探测器的制备方法，本发明采用超表面技术对传统的热释电探测器没有波长选择性的缺陷进行改进，在一定波长范围内能够实现对特定波长的检测，并且简化了红外探测器的制备流程。
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公开(公告)号：CN114199383B
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202111404460.7
申请日：2021-11-24
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于等离激元复合微腔的热电堆窄带探测器及其制备方法，属于热红外探测领域。本发明采用介质材料作为微腔，共振主要存在于微腔中，解决了以往采用金属材料而带来的损耗问题，大大提升了吸收曲线的Q值，提升了探测效率，并且能够在近中红外波段范围内实现对特定波段的窄带热探测。将等离激元复合微腔与热电堆结合，通过调整等离激元复合微腔的尺寸大小，实现可调控的窄带吸收；同时结合现今热电堆的成熟工艺，采用标准的半导体加工工艺，可实现本发明中热电堆红外窄带探测器的规模化集成化生产，简化了热探测器工艺流程，大幅度降低制造成本。
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公开(公告)号：CN107275796A
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201710488566.7
申请日：2017-06-23
Applicant: 华中科技大学
CPC classification number: H01Q17/008 , G02B5/003
Abstract: 本发明公开了一种太赫兹波吸波体、制备方法及应用，该太赫兹吸波体包括从上至下依次排列的天线阵列、介质层以及金属层，天线阵列包括多个呈阵列排布的天线单元，天线单元包括四个呈旋转对称的天线结构，天线结构呈未封闭的凹字形结构，天线结构开口位于凹字形左侧；介质层厚度为使经过天线阵列反射的反射光和经过金属层反射的反射光相位相差π，由于天线结构呈未封闭的凹字形结构，能够在天线结构所占据面积小情况下增加天线结构的有效长度，实现对太赫兹波段光吸收，介质层厚度使经过天线阵列反射的反射光和经过金属层反射的反射光相消，进而提高太赫兹吸波体的吸收率。
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