公开(公告)号：CN115763612A

公开(公告)日：2023-03-07

申请号：CN202211460138.0

申请日：2022-11-17

Applicant: 华中科技大学 ,  武汉光迅科技股份有限公司

Inventor： 余宇 ,  石洋 ,  邹明洁 ,  郜定山 ,  张新亮 ,  成璇璇

IPC: H01L31/105 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0288 ,  H04B10/07

Abstract: 本发明公开了一种基于补偿掺杂的全硅光电探测器及其制备方法，属于光电子器件领域。全硅光电探测器包括补偿掺杂的吸收区、收集电流的P++和N++重掺杂区。一方面，通过P型和N型混合的补偿掺杂的方式，在硅波导内部引入了超过传统的单次掺杂的缺陷密度，同时形成具有本征半导体性质的吸收区，避免对光探测无贡献的自由载流子吸收。另一方面，通过狭缝波导提高了界面处的缺陷密度以及增强了缺陷与光之间的相互作用。从而，全硅光电探测器可以利用在硅波导中引入的缺陷以及增强光与缺陷的相互作用来实现光通信波段(1.3‑1.6μm)的光探测。此外，本发明的制备过程完全兼容CMOS工艺，无需引入其他材料，具备低成本和高集成度的优势。

公开(公告)号：CN116936670A

公开(公告)日：2023-10-24

申请号：CN202311116318.1

申请日：2023-08-31

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 余宇 ,  石洋 ,  邹明洁 ,  李祖航 ,  张新亮

IPC: H01L31/105 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/028

Abstract: 本发明公开了一种高速锗硅光电探测器。高速锗硅光电探测器包括：掺杂硅层、锗吸收区、掺杂锗层、接触电极和锗上电极；掺杂硅层与掺杂锗层的掺杂极性相反，掺杂硅层、锗吸收区和掺杂锗层依次连接成垂直PIN结；接触电极设置在掺杂硅层上，接触电极围绕在锗吸收区的三个侧面，锗上电极设置在掺杂锗层上；接触电极和锗上电极收集锗吸收区吸收光而产生的光生载流子，形成光电流；接触电极的各边与锗吸收区中对应的边之间的距离和锗吸收区的边长成反比。解决了通过降低电阻进而降低RC寄生效应，用以提升探测器带宽时，寄生电容和寄生电阻相互制约的技术问题。