公开(公告)号：CN110512273B

公开(公告)日：2020-12-29

申请号：CN201910724860.2

申请日：2019-08-07

申请人： 华中科技大学

发明人： 郑志平 ,  傅邱云 ,  郭鹏举 ,  周东祥 ,  罗为

IPC分类号： C30B11/00 ,  C30B29/12

摘要： 本发明属于晶体生长特殊工艺处理领域，涉及一种提高单晶结晶质量的方法，更具体地，涉及一种提高溴铅铯单晶结晶质量的方法。本发明在现有的采用垂直熔体法生长溴铅铯单晶的方法基础上，针对其存在的晶体成分偏析、结晶质量不佳的技术问题，提出在晶体生长之前，对单晶原料容器所在的生长区增加设置自上而下逐渐升高的温度梯度，促进熔融态单晶原料成分的对流，增加该熔体的均匀性及结晶过冷度，进而提高溴铅铯单晶结晶质量。

公开(公告)号：CN109112627B

公开(公告)日：2020-05-19

申请号：CN201811160371.0

申请日：2018-09-30

申请人： 华中科技大学

发明人： 郑志平 ,  陈桦林 ,  傅邱云 ,  张明智 ,  陈成 ,  郭鹏举 ,  罗为

IPC分类号： C30B29/12 ,  C30B28/04 ,  C30B11/02

摘要： 本发明属于高能射线探测器材料领域，更具体地，涉及一种提高溴铅铯单晶电阻率的方法，其通过对溴铅铯单晶的Pb位进行一价阳离子Ag离子掺杂，补偿所述溴铅铯晶体内的施主型本征缺陷，以提高溴铅铯单晶的电阻率，由此解决熔体法生长的CsPbBr3晶体存在大量的本征缺陷，严重影响晶体的结晶质量，导致电阻率下降，探测效率低等的技术问题。

公开(公告)号：CN109112627A

公开(公告)日：2019-01-01

申请号：CN201811160371.0

申请日：2018-09-30

申请人： 华中科技大学

发明人： 郑志平 ,  陈桦林 ,  傅邱云 ,  张明智 ,  陈成 ,  郭鹏举 ,  罗为

IPC分类号： C30B29/12 ,  C30B28/04 ,  C30B11/02

摘要： 本发明属于高能射线探测器材料领域，更具体地，涉及一种提高溴铅铯单晶电阻率的方法，其通过对溴铅铯单晶的Pb位进行一价阳离子Ag离子掺杂，补偿所述溴铅铯晶体内的施主型本征缺陷，以提高溴铅铯单晶的电阻率，由此解决熔体法生长的CsPbBr3晶体存在大量的本征缺陷，严重影响晶体的结晶质量，导致电阻率下降，探测效率低等的技术问题。

公开(公告)号：CN110512273A

公开(公告)日：2019-11-29

申请号：CN201910724860.2

申请日：2019-08-07

申请人： 华中科技大学

发明人： 郑志平 ,  傅邱云 ,  郭鹏举 ,  周东祥 ,  罗为

IPC分类号： C30B11/00 ,  C30B29/12

摘要： 本发明属于晶体生长特殊工艺处理领域，涉及一种提高单晶结晶质量的方法，更具体地，涉及一种提高溴铅铯单晶结晶质量的方法。本发明在现有的采用垂直熔体法生长溴铅铯单晶的方法基础上，针对其存在的晶体成分偏析、结晶质量不佳的技术问题，提出在晶体生长之前，对单晶原料容器所在的生长区增加设置自上而下逐渐升高的温度梯度，促进熔融态单晶原料成分的对流，增加该熔体的均匀性及结晶过冷度，进而提高溴铅铯单晶结晶质量。