-
公开(公告)号：CN108318798B
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201810091316.4
申请日：2018-01-30
申请人： 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本发明公开了一种声表面波器件的声电放大效应检测装置及检测方法，检测装置包括：信号发生单元产生输入射频信号并传输至声表面波器件；气体腔通入不同化学性质的气体以改变声表面波器件中气敏薄膜的载流子浓度；信号检测单元接收声表面波器件在与气体腔中气体作用下对输入射频信号进行放大处理后输出的输出射频信号；以及信号处理单元，其输入端依次与信号发生单元的第二输出端和信号检测单元的输出端连接，根据输出射频信号与输入射频信号的比值关系来判断该声表面波器件是否存在对声表面波进行放大处理。该检测装置通过通入敏感气体，改变声表面波器件中气敏薄膜中载流子的浓度，更好的检测出声波面波器件中声电放大效应。
-
公开(公告)号：CN107543570B
公开(公告)日：2019-09-13
申请号：CN201710725973.5
申请日：2017-08-22
申请人： 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
摘要： 本发明公开了一种基于X型声子晶体的无线无源MEMS传感器，包括：谐振器体、链以及锚；谐振器体的中心频率与无线通信的ISM频段吻合，用于接收ISM频段内的射频信号，并将射频信号转换成同频段的声波信号；链使得谐振器体转换得到的声波信号顺着链传播到谐振器体两端的锚；锚上刻蚀有X型声子晶体阵列，用于反射顺着链传播来的声波信号，以使声波信号在谐振器体中产生谐振；谐振器体包括敏感性材料，以使得反射的声波信号在谐振器体中产生谐振后携带待测物理量信息，谐振器体还用于将谐振后的声波信号转换为ISM频段内的射频信号并输出。本发明提供的MEMS传感器Q值较高，可适用于无线无源传输频段。
-
公开(公告)号：CN108318798A
公开(公告)日：2018-07-24
申请号：CN201810091316.4
申请日：2018-01-30
申请人： 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本发明公开了一种声表面波器件的声电放大效应检测装置及检测方法，检测装置包括：信号发生单元产生输入射频信号并传输至声表面波器件；气体腔通入不同化学性质的气体以改变声表面波器件中气敏薄膜的载流子浓度；信号检测单元接收声表面波器件在与气体腔中气体作用下对输入射频信号进行放大处理后输出的输出射频信号；以及信号处理单元，其输入端依次与信号发生单元的第二输出端和信号检测单元的输出端连接，根据输出射频信号与输入射频信号的比值关系来判断该声表面波器件是否存在对声表面波进行放大处理。该检测装置通过通入敏感气体，改变声表面波器件中气敏薄膜中载流子的浓度，更好的检测出声波面波器件中声电放大效应。
-
公开(公告)号：CN107543570A
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201710725973.5
申请日：2017-08-22
申请人： 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
摘要： 本发明公开了一种基于X型声子晶体的无线无源MEMS传感器，包括：谐振器体、链以及锚；谐振器体的中心频率与无线通信的ISM频段吻合，用于接收ISM频段内的射频信号，并将射频信号转换成同频段的声波信号；链使得谐振器体转换得到的声波信号顺着链传播到谐振器体两端的锚；锚上刻蚀有X型声子晶体阵列，用于反射顺着链传播来的声波信号，以使声波信号在谐振器体中产生谐振；谐振器体包括敏感性材料，以使得反射的声波信号在谐振器体中产生谐振后携带待测物理量信息，谐振器体还用于将谐振后的声波信号转换为ISM频段内的射频信号并输出。本发明提供的MEMS传感器Q值较高，可适用于无线无源传输频段。
-
公开(公告)号：CN116698240A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310700733.5
申请日：2023-06-14
申请人： 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
摘要： 本发明提出了一种微环谐振器压力传感装置及其制备方法，包括基底、薄膜及微环谐振阵列；基底上开设有至少一个通孔，通孔两端贯穿基底两个端面；薄膜设置在基底的其中一个端面上，薄膜覆盖通孔的其中一端；至少一个微环谐振阵列设置在薄膜内，微环谐振阵列的微环对准通孔；在基底上开设通孔，并使跑道微环对准通孔，使微环下方悬空，当对器件上面施加载荷，基底上的薄膜会随之发生形变，依附于基底上的光学谐振结构也随之发生形变，从而使波导尺寸与相对折射率发生变化，最终引起输出谱线的偏移，通过检测输出谱线谐振波长的偏移量，就能够得到施加载荷的大小，其灵敏度较高。
-
公开(公告)号：CN117214265B
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202311104927.5
申请日：2023-08-29
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： G01N27/30 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/19 , C01B32/194 , C01G41/02 , C01G39/06 , G01N27/26
摘要： 本发明提出了一种检测亚硝酸根离子的电化学传感器及其制备方法，所述电化学传感器包括玻璃碳电极，所述玻璃碳电极上沉积有Au@MoS2/rGO/WO3电极。通过制备形成Au修饰的MoS2/rGO/WO3复合基电化学传感器，并将其应用于检测亚硝酸根离子，由于贵金属组分引起的局域表面等离子共振效应，会促使该电极产生强电流，显著促进亚硝酸根离子的催化氧化，促使电化学传感器响应更快更显著；同时通过设计具有快速异质电子转移速率的电极材料，将导致电化学亚硝酸根离子传感的过电位显著降低；克服了现有电化学传感器受到低温、碱金属、有机硅蒸汽以及缺氧的影响，导致其性能降低的问题。
-
公开(公告)号：CN112028013B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202011076055.2
申请日：2020-10-10
申请人： 华中科技大学
摘要： 本发明属于激光应用技术领域，更具体地，涉及一种基于飞秒激光直写的金属氧化物微纳结构、其制备和应用。本发明首先将金属氧化物前驱体与溶剂混合制备得到金属氧化物前驱体溶胶凝胶，接着将该溶胶凝胶涂覆于衬底表面得到凝胶薄膜，进行飞秒激光直写，利用飞秒激光高峰值功率产生的能量使金属氧化物前驱体发生反应生成金属氧化物微纳结构。本发明通过飞秒激光直写技术直接实现金属氧化物微纳结构的制备，由于飞秒激光峰值功率高，可直接烧结出金属氧化物，不需要其他处理，方便快捷。适用于任意亲疏水基底，可实现高精度、跨尺度、高定向的任意金属氧化物微纳结构的制备。
-
公开(公告)号：CN115974138A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202211436219.7
申请日：2022-11-16
申请人： 华中科技大学
摘要： 本发明提出了一种用于检测月壤挥发分中H2S气体的复合材料及其制备方法，其中制备方法包括如下步骤：S1，金属氧化物半导体SnO2的制备：将锡盐溶液和螯合剂混合，水热反应后得到金属氧化物半导体前驱体的产物，将金属氧化物半导体前驱体煅烧得到金属氧化物半导体SnO2粉末；S2、复合材料Ag2O@SnO2的制备：将步骤S1制得的金属氧化物半导体SnO2粉末和银盐溶液混合，加入碱性溶液并搅拌，离心、洗涤、干燥得到复合材料Ag2O@SnO2。本发明的复合材料Ag2O@SnO2在低温、高真空等极端环境下依然可以用于检测H2S，并且响应速度很快，灵敏度极高。
-
公开(公告)号：CN110512273A
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201910724860.2
申请日：2019-08-07
申请人： 华中科技大学
摘要： 本发明属于晶体生长特殊工艺处理领域，涉及一种提高单晶结晶质量的方法，更具体地，涉及一种提高溴铅铯单晶结晶质量的方法。本发明在现有的采用垂直熔体法生长溴铅铯单晶的方法基础上，针对其存在的晶体成分偏析、结晶质量不佳的技术问题，提出在晶体生长之前，对单晶原料容器所在的生长区增加设置自上而下逐渐升高的温度梯度，促进熔融态单晶原料成分的对流，增加该熔体的均匀性及结晶过冷度，进而提高溴铅铯单晶结晶质量。
-
公开(公告)号：CN108193271B
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201711466810.6
申请日：2017-12-29
申请人： 华中科技大学
摘要： 本发明公开了一种溴铅铯单晶的水平移动区熔制备方法，具体包括以下步骤：(1)将石英安瓿置于反应炉腔内，通入甲烷进行镀碳膜处理得到镀碳安瓿；(2)向该镀碳安瓿内装入溴铅铯粉料，抽真空并密封，置于热处理炉中使溴铅铯粉料先熔化后降温凝固形成多晶料棒；(3)将装有多晶料棒的密封安瓿置于水平移动区熔炉内，将加热器升温至620‑650℃，使加热器从密封安瓿的尖端开始移动至密封安瓿的尾端，由此完成溴铅铯晶体的生长，得到溴铅铯晶体。本发明通过对其关键的整体流程工艺设计、以及各个步骤的反应条件及参数进行改进，与现有技术相比能够有效解决晶体生长过程中机械震动大、晶体内部的热应力高、难以生长大尺寸溴铅铯单晶等问题。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
76 条记录 (耗时 0.032 秒)
