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公开(公告)号：CN114487974B
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202210092289.9
申请日：2022-01-26
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01R35/02
Abstract: 本发明提出了一种直流互感器暂态性能校验方法、装置、设备及介质，属于电力设备计量校准技术领域，首先获取标准直流互感器和被测直流互感器的输出信号，并进行多层小波变换预处理；接着，将任一层次小波系数由最小值到最大值按照等幅度间隔分为若干个幅度段，取满足预设条件的幅度段的幅度上限值作为稳态判定阈值；再通过小波变化模极大值奇异性检测算法从各子区间的模极大值中筛选得到阶跃特征值；然后，利用稳态判定阈值和阶跃特征值搜索得到阶跃区间的起点和终点；最后，基于划分的阶跃区间和稳态区间，进行暂态参数计算以及暂态性能校验。如此，能够对阶跃波形的稳态区间、阶跃区间自动划分，从而有效提高直流互感器暂态性能校验精度。
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公开(公告)号：CN117148415A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202310938858.1
申请日：2023-07-28
Applicant: 华中科技大学 , 国家电网有限公司 , 中国电力科学研究院有限公司 , 国网江苏省电力有限公司营销服务中心
Abstract: 本发明涉及一种电子高收集率的法拉第筒，包括收集腔体、永磁铁及粒子入射通道；收集腔体内部靠近侧壁的位置设有斜面，使收集腔体内部形成了入口至收集腔体内底部体积逐渐增大的锥形空间，用于改变收集腔体内粒子的撞击运动方向；永磁铁设于收集腔体的外部，并能够产生磁场，用于改变收集腔体内入射电子及二次电子的运动轨迹；粒子入射通道设于收集腔体的入口处；粒子入射通道第一端连通收集腔体的入口，第二端设有抑制电极，抑制电极设于粒子入射通道第二端的前端。本发明的优点是，能够使电子撞击在侧壁斜面，减少向杯口方向发射的反射电子，通过设置的永磁铁改变电子路径，减少逸出，提高电子收集效率。
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公开(公告)号：CN116859300A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202311124042.1
申请日：2023-09-01
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01R33/032
Abstract: 本发明公开了一种基于金刚石NV色心的量子传感频率跟踪控制方法及系统，属于量子传感技术领域。本发明通过在金刚石NV色心传感头处引入辅助磁场测量装置，先根据磁场与NV色心磁共振频率的关系，利用磁场测量装置的测磁结果推算出频率偏差，完成微波源输出信号中心频率的粗调。随后根据解调幅值与频率偏差的转换系数计算解调输出对应的频率偏差，完成微波源输出信号中心频率的细调。通过粗调加细调实现微波源输出信号中心频率对NV色心磁共振频率的宽范围、精准跟踪，提高系统测量动态范围和精度。此外，本发明还设置了保护阈值，当磁场变化较小，频率偏差值处在线性约束范围内时，跳过粗调过程，直接进行频率细调，加快调节速度，提高系统测量带宽。
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公开(公告)号：CN115762951B
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202211622352.1
申请日：2022-12-16
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种用于产生过滤磁场的介入式稀疏回旋线圈结构，属于聚变中性束注入负离子源领域。针对负离子源中传统方法存在的问题：磁场分布范围大，扩散至激励区和引出区，影响等离子体激发和负离子束流引出；磁场位型难以调控，无法获得满意的磁场分布；励磁效率不高，需要很大的激励电流。本发明提出了一种介入式稀疏线圈，其产生的过滤磁场限制在扩展腔内，不会扩散到负离子源的激励区和引出区，不会影响等离子体的激发和引出。线圈结构紧凑，通过改变线圈的匝数、结构，可以获得所希望的磁场位型；通过改变线圈电流的大小，可以方便地调整过滤磁场的幅度；产生过滤磁场区域小，更加高效，无需很大的励磁电流，降低电源成本。
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公开(公告)号：CN107377280B
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN201710662526.X
申请日：2017-08-04
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种应用于负离子源的喷铯装置，包括喷铯装置主体单元，喷铯装置主体单元包括：储铯单元、第一传导单元、第二传导单元，储铯单元设置于第一传导单元的下侧，用于铯的存储和蒸发；第一传导单元和第二传导单元均用于实现铯的传输；喷铯装置还包括击碎单元；击碎单元包括第一CF法兰、第一伸缩波纹管、驱动杆、击碎头和支撑架；驱动杆在外力的作用下沿靠近安瓿瓶的方向不断移动，导致第一伸缩波纹管沿相同方向不断压缩，使得击碎头不断靠近安瓿瓶挤压并最终打破释放出铯。本发明中由于在储铯管底端增设了击碎单元，利用驱动杆和第一伸缩波纹管配合带动击碎头击碎安瓿瓶，储铯管不会发生形变，可以重复利用、铯泄漏降低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114217251A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202111489571.2
申请日：2021-12-08
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01R33/12
Abstract: 本发明公开了一种磁导率测量方法与装置，属于电磁场和测量领域。方法包括：步骤1、理论计算磁力与磁导率之间的映射关系；步骤2、测量永磁体和待测材料之间的磁力；步骤3、基于磁力与磁导率之间的映射关系以及步骤2中测得的磁力，得到待测材料的磁导率。装置包括：无底中空腔体的装置限位器，磁力传感器设置在所述装置限位器内部顶端；所述永磁体设置在磁力传感器上；所述信号处理模块与所述磁力传感器电连接，用于接收磁力传感器测量到的永磁体与待测材料之间的磁力，并根据磁力与磁导率之间的映射关系得到待测材料的磁导率。本发明通过测量永磁体与待测材料之间的磁力以及磁力与磁导率之间的映射关系，测得待测材料的磁导率，且精度高。
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公开(公告)号：CN107385376B
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201710661200.5
申请日：2017-08-04
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种喷铯装置，包括储铯单元、第一传导单元和第二传导单元，储铯单元包括：安瓿瓶、储铯管、第一CF法兰、第一加热单元和第一温度检测单元，主要用于铯的存储和蒸发；第一传导单元包括：盲板、第一全金属管阀、第一传导管、第二全金属管阀、第二加热单元和第二温度检测单元，主要用于铯的传输；第二传导单元包括：第二CF法兰、陶瓷、连接元件、第二传导管、喷嘴、第三加热单元和第三温度检测单元，主要用于铯的传输。本发明在传导管等电阻丝容易缠绕部位采用欧姆加热方式，对于管阀等电阻丝不易缠绕和固定的部位采用感应加热方式，两种方式相互配合实现了喷铯装置不同部位准确、均匀的温度控制，从而达到铯喷发速率可控的目的。
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公开(公告)号：CN106568805B
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201610980115.0
申请日：2016-11-08
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01N27/00
Abstract: 本发明公开了一种高集成度朗缪尔探针诊断系统及方法；包括朗缪尔探针、触发器、扫描电源、数据采集单元和数据处理单元；触发器通过光纤传输脉冲触发信号给扫描电源，触发其产生指定幅值，周期和重复次数的锯齿波电压，加载至朗缪尔探针；同时数据采集单元对朗缪尔探针的电压、电流数据进行快速多次同步采集和存储；数据采集结束后将结果一次性发送至数据处理单元，通过计算机上的数据处理程序进行自动处理和分析，显示采集的伏安特性曲线和等离子体参数。本发明的自动化程度和集成度高，能够实现高速同步的数据采集和大容量数据存储和通信，并利用数据处理对采集数据自动处理和分析，提供良好的人机交互界面对处理结果进行显示和记录。
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公开(公告)号：CN105137169A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510621963.8
申请日：2015-09-25
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01R21/00
Abstract: 本发明公开了一种低射频功率检测电路，该检测电路将射频输入信号连接至匹配负载，然后经过基于检波二极管的峰值检测电路处理，峰值检测电路的输出连接至峰值补偿电路，使得补偿之后的直流电平与射频信号峰值基本一致。补偿电路的输出连接至乘法器的两个输入端，乘法器的输出经滤波、放大、零位补偿之后，在检测电路输出端得到一个与待测信号功率成正比的直流信号。该发明的特点是：各功能电路相对独立，调试方便；补偿电路可精细调节，在一定频率和功率范围内测量准确度较高；通过设定电路参数，响应速度灵活可调；能满足高达几百毫瓦的射频信号功率测量，有较好的实用价值和应用前景。
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公开(公告)号：CN103700470A
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201310418116.2
申请日：2013-09-13
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种大功率中频隔离变压器，至少包含一个变比为1:1的变压器单元；变压器单元包括一次绕组、二次绕组、第一立板、第二立板、第一绝缘支撑子、第二绝缘支撑子和环形磁芯；一次绕组固定在两侧立板之间；二次绕组固定在两侧绝缘支撑子之间，且二次绕组与一次绕组同轴设置；环形磁芯固定在所述一次绕组外侧；一次绕组和所述二次绕组通过环形磁芯实现磁耦合。本发明提供的大功率中频隔离变压器的整体结构紧凑，模块化设计，变比可调，调整灵活、节约成本；一、二次的同轴结构，二次绕组外的环形磁芯结构，漏感小，损耗小，磁芯不必单独冷却。对于不同的功率要求，可灵活调整磁芯个数，以避免磁芯饱和、控制温升，满足功率传输要求。
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