-
公开(公告)号：CN119562653A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202411623777.3
申请日：2024-11-14
Applicant: 中国科学院高能物理研究所
IPC: H10F77/1226 , H10F77/30 , H10F77/20 , H10F30/21 , H10F71/00 , H10F77/50 , H10F77/00 , H10F39/90 , G01T5/00
Abstract: 本发明提供一种交流耦合SiC低增益探测器芯片、低增益探测器及制备方法，所述芯片由下至上依次包括N型电极层、N型基底层、N型有源层、N+增益层、P+型电极层和绝缘层，其中：所述绝缘层顶部设置有交流电极层和直流电极层，所述N型电极层为阴极，所述直流电极层为阳极，并采用结终端扩展结合刻蚀形成终端层。本发明相较于常规耦合探测器，其位置分辨对像素尺寸的要求较低，减少了探测死区和SiC在刻蚀台面终端中造成的漏电流大的问题，同时兼具优异的位置分辨和时间分辨特性。
-
公开(公告)号：CN113253333B
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202110182741.6
申请日：2021-02-07
Applicant: 卡尔蔡司显微镜有限责任公司
Inventor： D.普雷克斯扎斯
IPC: G01T5/00
Abstract: 本发明涉及一种用于操作粒子束装置以对物体进行成像和/或分析的方法、一种计算机程序产品和一种用于执行该方法的粒子束装置。该粒子束装置例如被实施为电子束装置和/或离子束装置。该方法包括：生成粒子束；将该粒子束聚焦到该物体的扫描区域上，其中，该扫描区域被实施为第一区；使该粒子束在该物体上的扫描场之上扫描，其中，在扫描设备最大偏转的情况下，该扫描场被实施为第二区，其中，该扫描区域的第一区和该扫描场的第二区具有第一重叠区域，并且其中，该扫描场的第二区具有与该扫描区域的第一区不重叠的第二区域；以及利用仅由于源自该第一重叠区域的第一相互作用粒子和/或相互作用辐射而生成的检测信号生成图像和/或执行分析。
-
公开(公告)号：CN119087495A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411239777.3
申请日：2024-09-05
Applicant: 北京理工大学唐山研究院 , 北京理工大学
IPC: G01T5/00 , G01T7/00 , G01N15/1031 , G01B7/00
Abstract: 本发明涉及位置测量技术的领域，尤其是涉及一种带电微颗粒的定位装置，其包括支撑框架和电场强度计，电场强度计至少设置有四个，电场强度计设置于支撑框架的顶点上。本发明中带电微颗粒的定位装置实现了带电微颗粒的定位以及带电量测量，解决了目前带电微颗粒路径追踪对光线的依赖问题，简化了测量装置，提高了测量装置的操作便捷性。
-
公开(公告)号：CN117826232B
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410250896.2
申请日：2024-03-06
Applicant: 山东大学
IPC: G01T5/00
Abstract: 本发明公开了一种面向加速器实验的低物质量分布式读出电路，涉及加速器物理实验径迹探测领域，应用于硅径迹探测器，包括靠近硅径迹探测器的探测区域电路、远离硅径迹探测器的后端处理电路，所述探测区域电路、后端处理电路之间由线缆进行信号连接，所述探测区域电路用于接收待测硅径迹探测器的输出信号并进行初步处理，同时监测硅径迹探测器的工作温度；所述后端处理电路用于对接收到的探测信号进行模数转换，并将转换后的数据发送至计算机，同时为探测区域电路提供所需的控制信号、时钟信息、工作电压。本发明电路有效减少读出电路引入的额外物质量，提高探测效率，从而满足加速器实验的需求。
-
公开(公告)号：CN118112635A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202311799473.8
申请日：2023-12-25
Applicant: 中国原子能科学研究院
IPC: G01T5/00
Abstract: 本申请涉及辐射探测技术领域，提供一种探测方法及探测系统，探测方法包括通过探测器获取粒子在探测器沿轴向的不同位置与位置因子的对应关系，其中，探测器响应于粒子产生信号并通过两个输出端输出，位置因子为两个输出端的信号的能量值之差与能量值之和两者的比值；通过探测器获取待测粒子的位置因子；根据待测粒子的位置因子和对应关系，获取待测粒子的位置。本申请实施例的探测方法，可以提高探测粒子的位置的精确性。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106707328B
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN201710007693.0
申请日：2017-01-05
Abstract: 本发明具体涉及一种基于单质子径迹成像的中子能谱测量装置及方法。包括中子转换体、质子径迹发光室、成像系统和电源；中子转换体包括中子源、中子‑质子转换靶和光阑；质子径迹发光室包括腔室，设置在腔室外一端的质子入射密封窗口、设置在腔室内的圆筒形多丝结构、与腔室内部连通的充气系统和抽真空系统、设置在腔室外侧的光学窗口、以及与圆筒形多丝结构连接的电压源；圆筒形多丝结构由位于圆柱轴心的一根阳极丝和分布在阳极丝圆周的多根阴极丝组成；中子源出射中子束经过中子‑质子转换靶的转换变向后，穿过光阑和质子入射密封窗口进入腔室，成像系统由阳极丝所收集的电荷信号控制成像，电源与圆筒形多丝结构连接。
-
公开(公告)号：CN117148415A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202310938858.1
申请日：2023-07-28
Applicant: 华中科技大学 , 国家电网有限公司 , 中国电力科学研究院有限公司 , 国网江苏省电力有限公司营销服务中心
Abstract: 本发明涉及一种电子高收集率的法拉第筒，包括收集腔体、永磁铁及粒子入射通道；收集腔体内部靠近侧壁的位置设有斜面，使收集腔体内部形成了入口至收集腔体内底部体积逐渐增大的锥形空间，用于改变收集腔体内粒子的撞击运动方向；永磁铁设于收集腔体的外部，并能够产生磁场，用于改变收集腔体内入射电子及二次电子的运动轨迹；粒子入射通道设于收集腔体的入口处；粒子入射通道第一端连通收集腔体的入口，第二端设有抑制电极，抑制电极设于粒子入射通道第二端的前端。本发明的优点是，能够使电子撞击在侧壁斜面，减少向杯口方向发射的反射电子，通过设置的永磁铁改变电子路径，减少逸出，提高电子收集效率。
-
公开(公告)号：CN115480288A
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202110667256.8
申请日：2021-06-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Inventor： 乔山
IPC: G01T5/00
Abstract: 本发明提供一种图像型电子自旋分析器，包括二维图像型电子探测器及电子光学系统，其中，电子光学系统包括铁磁性反射靶、入射电子透镜组及至少一反射电子透镜组。本发明利用铁磁性反射靶对具有不同自旋方向的电子的不同的反射率实现对电子自旋的测量，反射靶的镜面反射可以实现入射电子轨道和出射电子轨道的分离，从而避免电子光学系统及电子探测器的几何配置困难，并可使透镜系统采用较大的尺寸从而获得较小的像差，电子光学系统能够实现初始平面处电子图像到二维图像型电子探测器入口平面的点到点二维成像，从而实现对电子自旋的二维多通道测量。另外，相比现有图像型VLEED电子自旋分析器，本发明的图像型电子自旋分析器无需引入磁场，结构更简单。
-
公开(公告)号：CN108802797B
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN201810611919.2
申请日：2018-06-14
Applicant: 山东航天电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种在轨粒子探测与单粒子效应监测系统，将空间辐射环境探测与辐射效应监测模块集成至同一个系统中，能够在轨监测单粒子效应的同时，获取有可能诱发此单粒子效应的粒子信息(包括能量、种类及LET值等)，这对于单粒子效应产生机理研究具有重要的意义；采用多功能一体化设计，既满足了多类粒子探测需求，又可以进行辐射效应监测，有助于航天器轻小型化设计需求。
-
公开(公告)号：CN110988975B
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN201911283215.8
申请日：2019-12-13
Applicant: 西北核技术研究院
IPC: G01T7/00 , G01T5/00 , G01R19/165
Abstract: 本发明属于高功率强流脉冲电子束与物质相互作用研究领域，涉及一种MV级电压峰值测量探头及其制作方法，能够进行MV级高电压测量，其解决了现有脉冲电压测量方法不适用数MV电压测量的问题。该MV级电压峰值测量探头包括探测元件、铝膜过滤器、载台和紧固套筒；所探测元件为探测阈能宽的固体核径迹探测元件；载台顶端设置有安装凸台，安装凸台的顶端设置有安装凹槽，探测元件设置在安装凹槽内；铝膜过滤器为板状结构，其设置在安装凸台的上方，将探测元件覆盖；紧固套筒套装在安装凸台上，并将铝膜过滤器压紧在安装凸台上。本发明MV级电压峰值测量探头具有很宽的电压峰值测量范围，能够实现数MV以上的电压峰值测量。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
159
records
(took 0.017 seconds)
