公开(公告)号：CN119986046A

公开(公告)日：2025-05-13

申请号：CN202510207526.5

申请日：2025-02-25

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 张少林 ,  刘骅锋 ,  刘金全 ,  王秋 ,  熊雯 ,  魏星宇 ,  徐娇

IPC: G01P21/00

Abstract: 本申请属于加速度计领域，具体公开了一种加速度计非线性系数辨识方法及装置，方法包括：获取加速度计的幅频响应信息；幅频响应信息包括：不同频率点处的增益信息；增益为相应频率点处加速度输入对应加速度计响应与同幅值常值加速度输入对应加速度计响应的比值；欠阻尼加速度计在第一频率段内增益大于1，在第二频率段内增益接近1；结合幅频响应信息，设置多个输入加速度，使得加速度计的多个响应达到多个预设目标输入加速度在第二频率段内的响应，并分别获取多个输出信号；根据多个预设目标输入加速度和多个输出信号，进行非线性系数辨识；其中，至少一个输入加速度的频率在第一频率段内。通过本申请，提供一种欠阻尼加速度计的非线性辨识方案。

公开(公告)号：CN119986042A

公开(公告)日：2025-05-13

申请号：CN202510222078.6

申请日：2025-02-27

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 刘骅锋 ,  魏星宇 ,  徐娇 ,  张少林 ,  王秋

IPC: G01P15/125 ,  G01P15/08 ,  G01V1/18 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00

Abstract: 本申请属于MEMS器件领域，具体公开了一种MEMS加速度计、地震检波器及制备方法，加速度计的敏感单元在SOI制备，包括：外框架、质量块、弹簧结构、拾取结构、第一反馈电容结构以及第二反馈电容结构；弹簧结构制备在SOI第一层，第一反馈电容结构和第二反馈电容结构制备在SOI第三层，第一层和第三层为衬底层和器件层的任一种组合；第一反馈电容结构和第二反馈电容结构分别设置在质量块的敏感轴和垂直敏感轴方向，且分别为变面积电容和变间距电容；拾取结构设置在SOI第一层质量块的上方。通过本申请，基于SOI工艺降低MEMS加速度计所占面积，且可将传感信号和反馈信号通过SOI的绝缘层隔离，提升加速度计检测精度，并调控加速度计反馈执行的线性度。

公开(公告)号：CN117783587A

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202311786170.2

申请日：2023-12-22

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 刘骅锋 ,  徐娇 ,  魏星宇 ,  张少林 ,  王秋

IPC: G01P15/125 ,  B81B3/00 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明提供一种阵列质量块式MEMS加速度计及其制备方法，MEMS加速度计包括：多个传感器单元和外框架；外框架用于对多个传感器单元进行封装；每个传感器单元包括：质量块、至少一个第一电容梳齿、至少一个第二电容梳齿、内框架、第二弹簧梁以及第一锚点；第二弹簧梁的一端设置有第一锚点，另一端连接质量块的内侧；质量块的外侧连接所述第一电容梳齿，内框架的内侧连接所述第二电容梳齿，内框架的内侧与质量块的外侧相对，使所述第一电容梳齿和第二电容梳齿相互交错分布；所述第一锚点用于将第二弹簧梁的一端与所述外框架连接；多个传感器单元呈阵列排布，且相邻传感器单元的质量块通过第一弹簧梁连接。本发明提高了MEMS加速度计的零偏稳定性。