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公开(公告)号:CN118434247A
公开(公告)日:2024-08-02
申请号:CN202311818698.3
申请日:2023-12-27
Applicant: 华北电力大学 , 华能集团技术创新中心有限公司
Abstract: 本发明公开了一种去除卤化物钙钛矿表面缺陷的方法及其在太阳电池中的应用。该方法的步骤包括在衬底上沉积卤化物钙钛矿前驱体,通过退火晶化处理得到加厚的钙钛矿薄膜,然后将其置于飞秒激光器前进行激光蚀刻,从而去除表面富缺陷层。将该方法应用于钙钛矿电池正置、反置以及无传输层结构时,能显著降低钙钛矿薄膜表面缺陷密度,从而减少了电荷的非辐射复合损耗。本发明具有迅速完成,工艺流程简单且环保的特点,为大面积、快速制备高性能钙钛矿太阳能电池奠定了坚定的基础。
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公开(公告)号:CN118251023A
公开(公告)日:2024-06-25
申请号:CN202311819003.3
申请日:2023-12-27
Applicant: 华北电力大学
Abstract: 本发明属于钙钛矿太阳电池技术领域。本发明公开了一种基于横向p/n梯度掺杂结构的钙钛矿同质结太阳电池及其制备方法,所述横向梯度掺杂的同质结结构包含p型横向梯度钙钛矿层和n型横向梯度钙钛矿层,p/n型横向梯度钙钛矿层通过自掺杂或外源掺杂实现横向梯度结。横向梯度掺杂的同质结结构的形成能够使钙钛矿在横向和纵向同时具有载流子整流效应,有效减少层内横向载流子的传输损失,并增强纵向载流子的传输效率,可在以下电池结构中实现(包含但不限于):导电基底、n型横向梯度钙钛矿层、p型横向梯度钙钛矿层、金属电极。这种结构的钙钛矿太阳电池可实现无电荷传输层发电,弄够降低制备成本,提高了电池的稳定性,具有良好的商业应用前景。
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