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公开(公告)号：CN114300620A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202111514006.7
申请日：2021-12-13
Applicant: 华北电力大学 , 华能集团技术创新中心有限公司
Abstract: 本发明属于钙钛矿太阳电池技术领域。本发明提出了一种基于单层二维‑三维‑二维渐变结构钙钛矿薄膜的太阳电池，所述太阳电池结构自下而上依次为：玻璃基底、FTO透明电极、电子传输层、二氧化钛介孔层、二维‑三维‑二维渐变结构钙钛矿薄膜、空穴传输层、金属电极。本发明通过胺基大分子掺入钙钛矿薄膜两层边缘，形成二维‑三维‑二维渐变结构钙钛矿薄膜，二维‑三维‑二维渐变结构的形成能够有效地加强钙钛矿与电子传输层的连接，钝化电池界面缺陷，隔绝空气中的水氧，提高电池水氧环境下的工作稳定性，从而实现高效稳定钙钛矿太阳电池的制备，有利于钙钛矿太阳电池的商业化应用。
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公开(公告)号：CN117835777A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202311818378.8
申请日：2023-12-27
Applicant: 华北电力大学 , 华能青铜峡新能源发电有限公司 , 华能集团技术创新中心有限公司
Abstract: 本发明公开了一种大面积钙钛矿太阳电池的制备方法，属于钙钛矿太阳电池领域，步骤如下：通过水浴法或旋涂法在带有透明金属氧化物电极的玻璃基底上制备电子传输层，并通过大面积蒸镀技术制备的PbI2薄膜；将FAI和辅助形核剂以及空穴传输层溶解在有机溶剂中，并制备成有机凝胶，并将其依次涂布在PbI2薄膜上，形成钙钛矿薄膜和空穴传输层；再通过一系列的其他工艺组装成完整的太阳电池，本方法中得到的钙钛矿太阳电池有极高的二维平面均匀度，并可以通过调控凝胶粘稠度和厚度来控制钙钛矿的反应速率和最终形成的薄膜厚度，其制备过程工艺简单、重复性好、适合大规模机械化生产，有着良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN117835713A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202311823503.4
申请日：2023-12-27
Applicant: 华北电力大学 , 华能青铜峡新能源发电有限公司 , 华能集团技术创新中心有限公司
Abstract: 本发明属于钙钛矿太阳电池领域，具体涉及一种无需空气氧化且能保护钙钛矿的空穴传输层及其在钙钛矿太阳电池中的应用。所述空穴传输层中包含碘苯二乙酸，碘苯二乙酸能够迅速地氧化空穴传输层，避免后续的空气氧化过程，排除复杂空气环境对电池可重复性的不利影响。另外，碘苯二乙酸可以与4‑叔丁基吡啶发生化学相互作用，抑制4‑叔丁基吡啶对钙钛矿层破坏的同时减缓挥发。将本发明提供的一种无需空气氧化且能保护钙钛矿的空穴传输层应用到钙钛矿太阳电池中，可以提升电池的效率和稳定性。
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公开(公告)号：CN113540363A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110754198.2
申请日：2021-07-02
Applicant: 华北电力大学 , 华能集团技术创新中心有限公司 , 中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司
Abstract: 本发明提供了一种钙钛矿薄膜缺陷态的气相钝化方法，包括如下步骤：(1)采用物理化学法将钙钛矿前驱液涂覆于导电基底上，经退火处理后形成钙钛矿薄膜；(2)将步骤(1)所述的涂覆有钙钛矿薄膜的导电基底送入反应腔内；(3)将特定的电压加载于步骤(2)所述的导电基底上，进而实现向基底上涂覆的钙钛矿薄膜加载电压；(4)使用缓冲气体将用于缺陷态钝化的气体分子通入至步骤(2)所述的反应腔内，与步骤(3)所述的已加载电压的钙钛矿薄膜进行化学反应；(5)将步骤(4)所述的钙钛矿薄膜和气体分子的反应活性经原位表征系统进行检测，根据反应活性的检测结果即可判断钙钛矿薄膜缺陷态的钝化。所述方法是通过向钙钛矿薄膜施加电场，诱发钙钛矿薄膜缺陷态与气体分子发生化学反应，实现钙钛矿薄膜缺陷态的钝化。本发明具有条件可控、重复准确性高等优点。
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公开(公告)号：CN116096192A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202211633523.0
申请日：2022-12-19
Applicant: 华北电力大学 , 华能集团技术创新中心有限公司
Abstract: 本发明属于钙钛矿太阳电池领域，涉及一种基于配体化二氧化钛电子传输层的钙钛矿太阳电池及其制备方法。本发明通过调控化学水浴制备二氧化钛的沉积过程，缓和四氯化钛水解速率，调控二氧化钛晶粒的形核与生长，以解决二氧化钛晶粒团聚、与钙钛矿薄膜界面接触性能差等问题，得以制备高效的二氧化钛基平面钙钛矿太阳电池。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115172606A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210686256.7
申请日：2022-06-17
Applicant: 华北电力大学 , 华能集团技术创新中心有限公司
Abstract: 本发明属于钙钛矿太阳电池技术领域。本发明提出了一种基于同质结界面交联的钙钛矿太阳电池及其制备方法，所述太阳电池结构自下而上依次为：FTO基底、n型钙钛矿层、分子交联层、p型钙钛矿层、金属电极。所述制备方法中，采用热压处理诱导界面重结晶交联，制备钙钛矿同质结，以提高钙钛矿同质结的质量；同时，在钙钛矿同质结界面引入交联结构，钝化界面缺陷，减少光生载流子损失，从而提升无电荷传输层的钙钛矿同质结太阳电池的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN118540969A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202311817401.1
申请日：2024-06-04
Applicant: 华北电力大学 , 华能青铜峡新能源发电有限公司 , 华能集团技术创新中心有限公司
Abstract: 本发明属于太阳电池技术领域，涉及一种基于偶极分子表面调控的混合2D/3D钙钛矿太阳电池及其制备方法。所述钙钛矿太阳电池依次由掺氟氧化锡(FTO)基底、电子传输层、钙钛矿光吸收层、覆盖层、空穴传输层、金电极层所组成，覆盖层所用材料为4‑氟苯甲脒盐酸盐(FPhFACl)。其中，FPhFA+形成偶极子层，促进界面电荷输运，同时FPhFA+与Pb‑I八面体配位抑制钙钛矿的非辐射复合。采用FPhFACl作为偶极分子调控钙钛矿薄膜表面可以显著提升钙钛矿太阳电池的效率和稳定性。
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公开(公告)号：CN118434247A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202311818698.3
申请日：2023-12-27
Applicant: 华北电力大学 , 华能集团技术创新中心有限公司
Abstract: 本发明公开了一种去除卤化物钙钛矿表面缺陷的方法及其在太阳电池中的应用。该方法的步骤包括在衬底上沉积卤化物钙钛矿前驱体，通过退火晶化处理得到加厚的钙钛矿薄膜，然后将其置于飞秒激光器前进行激光蚀刻，从而去除表面富缺陷层。将该方法应用于钙钛矿电池正置、反置以及无传输层结构时，能显著降低钙钛矿薄膜表面缺陷密度，从而减少了电荷的非辐射复合损耗。本发明具有迅速完成，工艺流程简单且环保的特点，为大面积、快速制备高性能钙钛矿太阳能电池奠定了坚定的基础。
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公开(公告)号：CN117849129A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202311817974.4
申请日：2023-12-27
Applicant: 华北电力大学 , 华能青铜峡新能源发电有限公司 , 华能集团技术创新中心有限公司
Abstract: 本发明属于传感器技术领域,具体涉及一种基于有机无机杂化钙钛矿的二氧化碳传感器。本发明公开了一种基于有机无机杂化钙钛矿的二氧化碳传感器，所述二氧化碳传感器自下往上依次包括：基底、有机无机杂化钙钛矿薄膜、叉指状电极，外壳。所述钙钛矿为FAXMAYGUA1‑X‑YPbI3·ZLiI，其中FA为甲脒，MA为甲胺，Gua为胍基；其中X和Y限定为0≤X≤1，0≤Y≤1并且0≤X+Y≤1；其中Z在0～0.1之间。所述二氧化碳传感器以有机无机杂化钙钛矿薄膜为气敏层，在较低温度下能实现高灵敏度和快速的二氧化碳响应特性。
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公开(公告)号：CN115084379A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202111513736.5
申请日：2021-12-13
Applicant: 华北电力大学 , 华能集团技术创新中心有限公司
Abstract: 本发明属于钙钛矿太阳电池技术领域。本发明提出了一种基于透明电极与电子传输层一体化复合层的钙钛矿同质结太阳电池，所述太阳电池结构自下而上依次为：玻璃基底、透明电极与电子传输层一体化复合层、n型钙钛矿层、p型钙钛矿层、金属电极。其中复合层为纵向氟元素掺杂浓度梯度分布的氧化锡薄膜和纵向铟元素掺杂浓度梯度分布的氧化锡薄膜中的一种，薄膜中元素高浓度掺杂区域导电能力强，具有导体性质，作为电极使用，薄膜中元素低浓度掺杂区域导电能力弱，具有半导体性质，作为电子传输层使用。
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