公开(公告)号：CN102082214A

公开(公告)日：2011-06-01

申请号：CN201010563394.3

申请日：2010-11-29

Applicant: 华南师范大学

Inventor： 尹以安 ,  闫其昂 ,  牛巧利 ,  章勇

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明公开了一种GaN基LED半导体芯片的制备方法。本发明GaN基LED半导体芯片是利用AlInN材料的湿法刻蚀性质，对常规GaN基LED结构中插入一层AlInN牺牲层，实现蓝宝石沉底和外延层的分离，结合芯片粘合技术、电镀等，将GaN外延层转移到电导率、热导率高的铜衬底上，得到GaN基LED半导体芯片。本发明方法制得的GaN基LED半导体芯片光输出功率显著提高，电学性能、发光性能和结构性能明显改善，制作成本低，简单易行，彻底解决了蓝宝石衬底给器件带来的不利影响，适于在LED领域或半导体器件制备中推广使用。

公开(公告)号：CN102082214B

公开(公告)日：2012-09-26

申请号：CN201010563394.3

申请日：2010-11-29

Applicant: 华南师范大学

Inventor： 尹以安 ,  闫其昂 ,  牛巧利 ,  章勇

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明公开了一种GaN基LED半导体芯片的制备方法。本发明GaN基LED半导体芯片是利用AlInN材料的湿法刻蚀性质，对常规GaN基LED结构中插入一层AlInN牺牲层，实现蓝宝石沉底和外延层的分离，结合芯片粘合技术、电镀等，将GaN外延层转移到电导率、热导率高的铜衬底上，得到GaN基LED半导体芯片。本发明方法制得的GaN基LED半导体芯片光输出功率显著提高，电学性能、发光性能和结构性能明显改善，制作成本低，简单易行，彻底解决了蓝宝石衬底给器件带来的不利影响，适于在LED领域或半导体器件制备中推广使用。