一种以重水为溶剂的全液态电致变色器件及其制备方法

    公开(公告)号:CN116047826A

    公开(公告)日:2023-05-02

    申请号:CN202310066138.0

    申请日:2023-02-06

    Abstract: 本发明涉及一种以重水为溶剂的全液态电致变色器件及其制备方法,该电致变色器件包含第一透明导电基底、变色层和第二透明导电基底,所述变色层夹设于所述第一透明导电基底和所述第二透明导电基底之间,所述变色层包含由重水和溶解于重水中的第一无机电致变色材料和第二无机电致变色材料制成的电致变色液,所述第一无机电致变色材料为偏钨酸铵。该电致变色液的使用显著改善了该全液态电致变色器件的透射调制幅度和循环稳定性,所述电致变色液经简单的毛细封装法灌装至透明导电基底形成的夹层中即可获得全液态电致变色器件,无需复杂昂贵的气体环境和过程,该制作方法简单易操作。

    一种人工视觉系统及其制备方法

    公开(公告)号:CN114023875B

    公开(公告)日:2023-01-13

    申请号:CN202111180823.3

    申请日:2021-10-11

    Abstract: 本发明涉及人工视觉系统及其制备方法,涉及新型微纳电子材料及功能器件领域。该人工视觉系统包括一种基于光电忆阻器的视觉传感器,所述光电忆阻器包括第一电极、第二电极和AlOx/MLG薄膜介质层,所述AlOx/MLG薄膜介质层夹在第一电极和第二电极之间。该光电忆阻器以AlOx/MLG为中间介质,能够在超低电压下实现双极性光电响应,以此为基础可以实现可重构的光电突触可塑性,为进一步集成以对光信息灵活处理奠定了基础。

    一种窄光谱发射的红光碳量子点及其水热制备方法与应用

    公开(公告)号:CN111847424B

    公开(公告)日:2022-02-22

    申请号:CN202010592746.1

    申请日:2020-06-24

    Abstract: 本发明公开了一种窄光谱发射的红光碳量子点及其水热制备方法与应用。该制备方法包括:将蒽绛酚和选定的催化剂同时溶解或者分散于纯溶剂或者混合溶剂中,搅拌获得均匀的前驱体溶液,并将该反应液在反应釜溶剂热条件下进行反应数小时,待其冷却至室温后得到粗产物分散液,最后通过对粗产物分散液进行提纯、干燥和分散得到所述的窄光谱发射的红光碳量子点材料。本发明设计的碳量子点具有红光发射(发射峰:‑615 nm),窄半高宽(FWHM 40%)的特点。将该红光碳量子点与蓝光和绿光芯片封装在一起形成白光LED背光源,可以显著提升LCD显示器的色域。

    环境友好型钙钛矿太阳电池空穴传输层及制备方法与应用

    公开(公告)号:CN113410394A

    公开(公告)日:2021-09-17

    申请号:CN202110525638.7

    申请日:2021-05-14

    Abstract: 本发明涉及一种钙钛矿太阳电池空穴传输层及其制备方法与应用,该空穴传输层包括CuSCN,可选的还包括PEDOT:PSS,其特征在于,所述空穴传输层由含CuSCN溶液退火制得,所述含CuSCN溶液的溶剂包括水、乙醇胺、乙二胺和二乙醇。本发明使用的混合溶液很好地溶解了CuSCN,这种CuSCN溶液具有很好的成膜性及浸润性,可以与多种水性空穴传输材料共混或掺杂,从而进一步提升钙钛矿层的成膜和总体太阳电池的性能。除此之外,该种溶剂溶解的CuSCN属于无毒无害环保产品。与传统的含PEDOT:PSS空穴传输层的电池相比,本发明的太阳电池填充因子大幅提升,从而实现了高性能低成本且环保的太阳电池制备。

    一种钙钛矿与GaAs串联叠层太阳电池的制备方法

    公开(公告)号:CN112289887A

    公开(公告)日:2021-01-29

    申请号:CN202011024108.6

    申请日:2020-09-25

    Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿与GaAs串联叠层太阳电池的制备方法,包括如下制备步骤:对GaAs单结电池片进行清洗干净;放入磁控溅射设备中进行磁控溅射,溅射一层中间传输层;使用匀胶机,依次形成空穴传输层、钙钛矿层、第一电子传输层、缓冲层;在缓冲层上蒸镀一层第二电子传输层,再蒸镀一层背电极。本发明综合了钙钛矿材料的开启电压高、制作简便、带隙可调的优点以及GaAs的弱光性能好、单节电池转化效率高的优点,将这两种性能优异的半导体材料结合起来形成了高转化效率的叠层太阳电池,利用二者吸光性能扩大太阳电池的光谱吸收范围从而可以进一步增加太阳电池对于光线的吸收,实现了高性能的太阳电池的制备。

    一种量子点LED封装结构及封装方法

    公开(公告)号:CN109755357B

    公开(公告)日:2020-08-14

    申请号:CN201811578919.3

    申请日:2018-12-24

    Abstract: 本发明公开了一种量子点LED封装结构及封装方法,所述封装结构包括:蓝光LED芯片;用于固定所述蓝光LED芯片的条形基板;连接所述蓝光LED芯片和条形基板的电极;固化在所述蓝光LED芯片上表面的AB胶隔热层;固化在所述AB胶隔热层上表面的量子点层;固化在所述量子点层上表面的AB胶保护层;包覆所述蓝光LED芯片、电极、AB胶隔热层、量子点层和AB胶保护层并与条形基板对上述部件进行密封的PMMA透镜封装层;设置在所述条形基板上并将每个蓝光LED芯片串联的共用电极。本发明通过设置透镜封装层以及双层保护胶层,能够阻挡外界水氧对量子点层与LED芯片的侵袭,为量子点提供了一个隔绝水氧的环境,有利于提高量子点的发光效率与使用寿命。

    用于光伏储能的四氧化三钴非对称超级电容器及制备方法

    公开(公告)号:CN106531465B

    公开(公告)日:2019-03-19

    申请号:CN201611150202.X

    申请日:2016-12-13

    Abstract: 本发明提供一种用于光伏储能的Co3O4非对称超级电容器及其制备方法,包括如下步骤:S1、制备Co3O4纳米管电极:将Co(NO3)2·6H2O和尿素的混合溶液、及泡沫镍加入到反应釜中进行水热反应,待反应釜冷却后清洗样品,干燥,获得沉积有Co3O4纳米管阵列的泡沫镍,作为Co3O4纳米管电极;S2、组装非对称超级电容器:以Co3O4纳米管电极为正极,以活性炭电极为负极,在正极、负极之间以隔膜隔开。本发明提供了一种制备工艺简单的Co3O4非对称超级电容器制备方法,制得的非对称超级电容器绿色环保、价格低廉,且性能优异。

    量子点On-chip白光LED的二次气密性封装方法

    公开(公告)号:CN107833963A

    公开(公告)日:2018-03-23

    申请号:CN201710861916.X

    申请日:2017-09-21

    CPC classification number: H01L33/52 H01L33/502

    Abstract: 本发明公开了量子点On-chip白光LED的二次气密性封装方法。该方法将蓝光芯片固定在LED支架的底部后,通过包括等离子体增强化学气相沉积或原子层沉积的低温沉积技术在LED支架的底部以及内侧壁沉积隔水隔氧的透明薄膜层,再将量子点与透明的封装胶混合成量子点封装胶体后涂覆在LED支架内,加热固化后,将紫外固化胶点胶在固化后的量子点荧光胶体上并盖上玻璃片,再进行紫外固化,完成量子点On-chip白光LED的二次气密性封装。本发明方法能进一步隔离空气中的水和氧,有效解决了现有LED器件封装气密性差的问题,实现量子点On-chip白光LED的高发光效率和高稳定性。

    TADF材料敏化的多层结构量子点发光二极管及其制法

    公开(公告)号:CN107808931A

    公开(公告)日:2018-03-16

    申请号:CN201710861996.9

    申请日:2017-09-21

    CPC classification number: H01L51/502 H01L51/5056 H01L51/506 H01L51/56

    Abstract: 本发明公开了TADF材料敏化的多层结构量子点发光二极管及其制备方法。该量子点发光二极管(QD-LEDs)由阳极至阴极依次包括透明衬底、透明导电薄膜阳极、空穴注入/阳极修饰层、TADF掺杂空穴传输层、量子点活性层、电子传输层和金属阴极。本发明通过在空穴注入/阳极修饰层与量子点活性层之间插入TADF材料掺杂PVK作为空穴传输与TADF敏化层,形成激子捕获层,实现空穴传输与TADF材料激子收集及其向量子点活性层之间的界面能量转移,改善空穴注入,提高量子点发光二极管的效率;同时,全溶液法加工制备TADF敏化多层结构QD-LEDs,有利于大面积的QD-LEDs的制备,与热蒸镀方式相比,具有制备简单、成本低的优势。

    一种低温烧结制备高导银纳米粒子柔性导电电路的方法

    公开(公告)号:CN107135602A

    公开(公告)日:2017-09-05

    申请号:CN201710345090.1

    申请日:2017-05-16

    Inventor: 罗昊 赵灵智 章勇

    CPC classification number: H05K1/097 H05K3/125 H05K3/1283 H05K2203/1131

    Abstract: 本发明公开了一种低温烧结制备高导银纳米粒子柔性导电电路的方法。该方法采用乙酸银溶液与银纳米颗粒分散液形成复合导电墨水,将得到的复合导电墨水注入中性签字笔或喷墨打印机墨盒中,在柔性薄膜衬底上直接书写或印刷所需电路图案,把印制有电路图案的柔性薄膜衬底放置在热台上低温烧结,在柔性薄膜衬底上得到所述高导银纳米粒子柔性导电电路。本发明方法解决了高的烧结温度对柔性衬底影响的问题,在低温下即可烧结制备,降低烧结温度和减小对银纳米颗粒固含量的需求,节约了成本。

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