公开(公告)号：CN104587567B

公开(公告)日：2018-01-05

申请号：CN201510008013.8

申请日：2015-01-05

申请人： 华南师范大学 ,  深圳市国华光电科技有限公司 ,  深圳市国华光电研究院

发明人： 金名亮 ,  刘霞 ,  水玲玲 ,  周国富

IPC分类号： A61M5/32 ,  A61M5/158 ,  H01L21/302 ,  H01L21/00 ,  B81C1/00

摘要： 本发明公开了一种微型空心硅针的制备方法，本发明通过光刻技术在单晶硅片上制作光刻胶的方形阵列图形，结合单晶硅各向异性蚀刻，以及金属辅助的各向同性蚀刻构建大面积、尺寸可控的微型空心硅针结构；化学湿法蚀刻使用浓度是1~80wt%的氢氧化钾溶液或者浓度是5~50wt%的四甲基氢氧化铵溶液，解决了干法蚀刻需要的高真空环境、蚀刻速度慢以及能耗高的缺点；金属辅助的各向同性蚀刻使用体积比是0.01~100：1的氢氟酸和双氧水混合溶液，加快了反应的速率，缩短了生产周期；同时，通过控制金颗粒的大小，可以控制针孔的尺寸，进而满足不同的用途。本发明方法步骤简单、成本低廉，并且适合大规模、大面积微型空心硅针的生产。

公开(公告)号：CN104587567A

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201510008013.8

申请日：2015-01-05

申请人： 华南师范大学 ,  深圳市国华光电科技有限公司 ,  深圳市国华光电研究所

发明人： 金名亮 ,  刘霞 ,  水玲玲 ,  周国富

IPC分类号： A61M5/32 ,  A61M5/158 ,  H01L21/302 ,  H01L21/00 ,  B81C1/00

CPC分类号： A61M37/0015 ,  A61B17/205 ,  A61M2037/0046 ,  A61M2037/0053

摘要： 本发明公开了一种微型空心硅针的制备方法，本发明通过光刻技术在单晶硅片上制作光刻胶的方形阵列图形，结合单晶硅各向异性蚀刻，以及金属辅助的各向同性蚀刻构建大面积、尺寸可控的微型空心硅针结构；化学湿法蚀刻使用浓度是1~80wt%的氢氧化钾溶液或者浓度是5~50wt%的四甲基氢氧化铵溶液，解决了干法蚀刻需要的高真空环境、蚀刻速度慢以及能耗高的缺点；金属辅助的各向同性蚀刻使用体积比是0.01~100：1的氢氟酸和双氧水混合溶液，加快了反应的速率，缩短了生产周期；同时，通过控制金颗粒的大小，可以控制针孔的尺寸，进而满足不同的用途。本发明方法步骤简单、成本低廉，并且适合大规模、大面积微型空心硅针的生产。