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公开(公告)号:CN105355462B
公开(公告)日:2018-05-15
申请号:CN201510670124.5
申请日:2015-10-13
Applicant: 华南理工大学
CPC classification number: Y02E60/13
Abstract: 本发明公开了一种δ‑MnO2厚膜赝电容器电极的制备方法,包括以下步骤:将碳纤维纸浸入高锰酸钾溶液中浸泡0.5 h,然后水热生长GZO纳米线阵列作三维骨架,最后在该导电性良好的骨架上进行不同时间的阳极沉积得到δ‑MnO2厚膜。本发明的合成方法简单,成本低,得到的赝电容器电极具有高的质量和面积比电容、较高的电位窗口和好的循环稳定性。
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公开(公告)号:CN105355462A
公开(公告)日:2016-02-24
申请号:CN201510670124.5
申请日:2015-10-13
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种δ-MnO2厚膜赝电容器电极的制备方法,包括以下步骤:将碳纤维纸浸入高锰酸钾溶液中浸泡0.5h,然后水热生长GZO纳米线阵列作三维骨架,最后在该导电性良好的骨架上进行不同时间的阳极沉积得到δ-MnO2厚膜。本发明的合成方法简单,成本低,得到的赝电容器电极具有高的质量和面积比电容、较高的电位窗口和好的循环稳定性。
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