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公开(公告)号：CN118109899B
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410243642.8
申请日：2024-03-04
申请人： 华南理工大学
摘要： 本发明属于金属有机化学气相沉积技术领域，具体是一种实时监控外延片裂纹情况的MOCVD设备，包括设备主体，还包括设置生长反应室以及退火室，生长反应室内部设置有加热器，退火室内部设置有冷却器，设备主体内部还设置有用于存放产品的成品回收室，而分析单元，分析单元包括采集组件以及反馈调节模块，采集组件包括高清摄像头以及光线传感器，高清摄像头以及光线传感器均用于对外延片裂纹情况进行记录，本发明中，通过高清摄像头以及光线传感器均对外延片裂纹情况进行记录，而控制器可根据外延片裂纹的状态实时调节设备主体的运行参数，当某一个外延片出现裂纹后，及时对运行参数进行纠正，避免批量性的产生不良品，防止造成大量的经济损失。
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公开(公告)号：CN116377594B
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202310354772.4
申请日：2023-04-04
申请人： 华南理工大学
IPC分类号： C30B33/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C25B11/054 , C25B11/057 , C25B11/091 , C25B1/04 , C25B1/55 , C30B25/18 , C30B29/40 , C25D11/32
摘要： 本发明公开了一种基于p‑GaAs衬底上的InN纳米柱的钝化方法、钝化终产物复合结构及其应用。该钝化终产物复合结构包括p‑GaAs衬底、生长在所述p‑GaAs衬底上的In(As)N纳米带。本发明提出的对p‑GaAs衬底上的InN纳米柱的电化学阳极钝化法，能够高效、简单地钝化InN纳米柱中的In原子团簇；同时，钝化终产物复合结构形成的p‑GaAs/In(As)N异质结构满足了析氢电位，增大了内部费米势垒，增强光生载流子分离与转移效率，能显著提高光电转换效率。本发明的p‑GaAs/In(As)N异质结具有较大的比表面积，对太阳光有较强的吸收，适用于光电解水产氢。
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公开(公告)号：CN116377594A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310354772.4
申请日：2023-04-04
申请人： 华南理工大学
IPC分类号： C30B33/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C25B11/054 , C25B11/057 , C25B11/091 , C25B1/04 , C25B1/55 , C30B25/18 , C30B29/40 , C25D11/32
摘要： 本发明公开了一种基于p‑GaAs衬底上的InN纳米柱的钝化方法、钝化终产物复合结构及其应用。该钝化终产物复合结构包括p‑GaAs衬底、生长在所述p‑GaAs衬底上的In(As)N纳米带。本发明提出的对p‑GaAs衬底上的InN纳米柱的电化学阳极钝化法，能够高效、简单地钝化InN纳米柱中的In原子团簇；同时，钝化终产物复合结构形成的p‑GaAs/In(As)N异质结构满足了析氢电位，增大了内部费米势垒，增强光生载流子分离与转移效率，能显著提高光电转换效率。本发明的p‑GaAs/In(As)N异质结具有较大的比表面积，对太阳光有较强的吸收，适用于光电解水产氢。
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公开(公告)号：CN118109899A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202410243642.8
申请日：2024-03-04
申请人： 华南理工大学
摘要： 本发明属于金属有机化学气相沉积技术领域，具体是一种实时监控外延片裂纹情况的MOCVD设备，包括设备主体，还包括设置生长反应室以及退火室，生长反应室内部设置有加热器，退火室内部设置有冷却器，设备主体内部还设置有用于存放产品的成品回收室，而分析单元，分析单元包括采集组件以及反馈调节模块，采集组件包括高清摄像头以及光线传感器，高清摄像头以及光线传感器均用于对外延片裂纹情况进行记录，本发明中，通过高清摄像头以及光线传感器均对外延片裂纹情况进行记录，而控制器可根据外延片裂纹的状态实时调节设备主体的运行参数，当某一个外延片出现裂纹后，及时对运行参数进行纠正，避免批量性的产生不良品，防止造成大量的经济损失。
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