-
公开(公告)号：CN114221624B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202111334476.5
申请日：2021-11-11
申请人： 华南理工大学
摘要： 本发明公开了一种低噪声放大器及芯片，其中低噪声放大器包括：噪声抵消电路，包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管；其中，第一晶体管与第二晶体管组成了一个噪声抵消环路，为整体电路提供平坦的低噪声系数和输入匹配；增益调节电路，包括第五晶体管、第六晶体管和增益调谐单元；通过调节第六晶体管的栅极偏置来实现增益控制，可以更灵活地控制增益变化，且电路结构简单。另外，在第二晶体管处使用了gm‑boosting技术，降低了对第二晶体管M2尺寸的要求。本发明可广泛应用于微波低噪声放大器技术领域。
-
公开(公告)号：CN113328712A
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN202110581243.9
申请日：2021-05-27
申请人： 华南理工大学
摘要： 本发明公开了一种可变增益线性功率放大器及芯片，其中放大器包括：可变增益放大器；后失真功率放大器，包括驱动级放大器和级联功率级放大器，所述可变增益放大器的输出端与所述驱动级放大器的输入端连接，所述驱动级放大器的输出端与所述级联功率级放大器的输入端连接；根据所述级联功率级放大器的增益扩张失真特性补偿所述驱动级放大器的增益压缩失真特性，以使后失真功率放大器的增益曲线获得更高的1dB压缩点。本发明利用了后级低偏置C类放大器本身产生的增益扩张失真特性来补偿前级高偏置A类放大器所产生的增益压缩失真，在不引入额外预失真器的情况下实现了1dB压缩点的提高，避免了预失真器带来的额外损耗，可广泛应用于放大器电路。
-
公开(公告)号：CN112953395B
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN202110318434.6
申请日：2021-03-25
申请人： 华南理工大学
IPC分类号： H03B5/30
摘要： 本发明公开了一种逆F类压控振荡器及芯片，其中振荡器包括：交叉耦合晶体管对，包括晶体管M1x和晶体管M1y，用于为振荡电路提供负阻，使振荡电路自激并产生包含谐波的振荡信号；多峰值谐振腔，用于为振荡电路提供基波阻抗峰值和二次谐波阻抗峰值，对振荡信号进行滤波；频率调谐模块，用于控制多峰值谐振腔中一端口和二端口的电容值大小，以控制谐振腔的基波和二次谐波谐振峰值所在的频率，进而控制振荡器输出振荡信号的频率。本发明中的多峰值谐振腔在晶体管漏极结点能够产生更强的二次谐波阻抗峰值，使晶体管漏极电压的二次谐波分量大幅增强，产生的振荡电压更加接近半正弦信号，降低了电路的相位噪声，可广泛应用于电子通信技术领域。
-
公开(公告)号：CN114844470A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202210309131.2
申请日：2022-03-28
申请人： 华南理工大学
摘要： 本发明公开了一种低噪声放大器及芯片，其中放大器包括：第一电容和第三电感的连接点与第一电感的一端连接；第一晶体管的源极通过第二电感接地，第一晶体管的漏极与第二晶体管的源极连接；第一电感和第二电感构成第一变压器；第二晶体管的漏极通过第五电感连接到电源，第二晶体管的漏极与第三晶体管的栅极连接；第三晶体管的源极通过第七电感接地，第三晶体管的漏极通过第八电感与第四晶体管的源极连接；第五电感和第七电感构成第二变压器；第四晶体管的漏极通过第九电感连接到电源；第八电感和第九电感构成第三变压器。本发明基于变压器耦合结构来实现毫米波频段上宽带低噪声放大器，有效减小了电路的面积，可广泛应用于半导体技术领域。
-
公开(公告)号：CN113328712B
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202110581243.9
申请日：2021-05-27
申请人： 华南理工大学
摘要： 本发明公开了一种可变增益线性功率放大器及芯片，其中放大器包括：可变增益放大器；后失真功率放大器，包括驱动级放大器和级联功率级放大器，所述可变增益放大器的输出端与所述驱动级放大器的输入端连接，所述驱动级放大器的输出端与所述级联功率级放大器的输入端连接；根据所述级联功率级放大器的增益扩张失真特性补偿所述驱动级放大器的增益压缩失真特性，以使后失真功率放大器的增益曲线获得更高的1dB压缩点。本发明利用了后级低偏置C类放大器本身产生的增益扩张失真特性来补偿前级高偏置A类放大器所产生的增益压缩失真，在不引入额外预失真器的情况下实现了1dB压缩点的提高，避免了预失真器带来的额外损耗，可广泛应用于放大器电路。
-
公开(公告)号：CN114221624A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202111334476.5
申请日：2021-11-11
申请人： 华南理工大学
摘要： 本发明公开了一种低噪声放大器及芯片，其中低噪声放大器包括：噪声抵消电路，包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管；其中，第一晶体管与第二晶体管组成了一个噪声抵消环路，为整体电路提供平坦的低噪声系数和输入匹配；增益调节电路，包括第五晶体管、第六晶体管和增益调谐单元；通过调节第六晶体管的栅极偏置来实现增益控制，可以更灵活地控制增益变化，且电路结构简单。另外，在第二晶体管处使用了gm‑boosting技术，降低了对第二晶体管M2尺寸的要求。本发明可广泛应用于微波低噪声放大器技术领域。
-
公开(公告)号：CN112953395A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202110318434.6
申请日：2021-03-25
申请人： 华南理工大学
IPC分类号： H03B5/30
摘要： 本发明公开了一种逆F类压控振荡器及芯片，其中振荡器包括：交叉耦合晶体管对，包括晶体管M1x和晶体管M1y，用于为振荡电路提供负阻，使振荡电路自激并产生包含谐波的振荡信号；多峰值谐振腔，用于为振荡电路提供基波阻抗峰值和二次谐波阻抗峰值，对振荡信号进行滤波；频率调谐模块，用于控制多峰值谐振腔中一端口和二端口的电容值大小，以控制谐振腔的基波和二次谐波谐振峰值所在的频率，进而控制振荡器输出振荡信号的频率。本发明中的多峰值谐振腔在晶体管漏极结点能够产生更强的二次谐波阻抗峰值，使晶体管漏极电压的二次谐波分量大幅增强，产生的振荡电压更加接近半正弦信号，降低了电路的相位噪声，可广泛应用于电子通信技术领域。
-
-
-
-
-
-
搜索结果
7 条记录 (耗时 0.029 秒)
