公开(公告)号：CN115439410A

公开(公告)日：2022-12-06

申请号：CN202210925855.X

申请日：2022-08-03

申请人： 华南理工大学

发明人： 罗家祥 ,  邓筠钰 ,  杨志宇 ,  鲁思奇 ,  李巍 ,  胡跃明

IPC分类号： G06T7/00 ,  G06T7/11 ,  G06T7/13 ,  G06T7/136 ,  G06T5/00 ,  G06V10/24 ,  G06V10/26 ,  G06V10/28 ,  G06V10/30 ,  G06V10/44 ,  G06V10/764

摘要： 本发明公开了一种MLCC的外观缺陷检测方法、装置及存储介质，其中方法包括：首先获取MLCC图像，进行旋转矫正，对矫正后的图像进行分割，得到电容本体、左、右电极区域图像；采用基于连续距离异常点的凸包检测法和基于电极对称特性的矩形检测法对电极边缘崩边、崩角缺陷进行检测；针对本体图像进行预处理，裁剪得到本体边缘位置图像，补全本体完整底边并得到本体边缘区域掩膜；采用基于异常白点位置的连通域检测法、基于多余边缘段的长度异常检测法和基于完整底边凹陷的滑动窗口检测法分别对本体边缘白点、裂痕和崩缺缺陷进行检测。本发明能够实现对MLCC电极崩边、崩角及本体白点、裂痕、崩缺缺陷的快速分类检测，可广泛应用于电子元器件缺陷检测领域。