公开(公告)号：CN112259374A

公开(公告)日：2021-01-22

申请号：CN202010972653.1

申请日：2020-09-16

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 王歆 ,  钟煌 ,  卢振亚 ,  陈志武

IPC: H01G4/012 ,  H01G4/008 ,  H01G4/14 ,  H01G4/33

Abstract: 本发明公开了一种BST基多层介电增强薄膜及其制备方法，包括衬底，采用溶胶凝胶法在衬底上旋涂多层异质薄膜，利用磁控溅射在多层异质薄膜上沉积Au电极，所述多层异质薄膜由BST薄膜和BTO薄膜交替堆叠构成。该结构是利用溶胶凝胶旋涂制膜，通过不同的溶胶浓度以及旋涂工艺获得周期厚度不一的多层异质结构薄膜，本发明改善了由于进一步减小薄膜厚度所带来的介电性能下降的问题，使材料的介电常数得到剧增。

公开(公告)号：CN113241256B

公开(公告)日：2023-04-21

申请号：CN202110356882.5

申请日：2021-04-01

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 王歆 ,  钟煌 ,  卢振亚 ,  陈志武 ,  李心宏

IPC: H01G4/005 ,  H01G4/33

Abstract: 本发明公开了一种基于BPO电极的PZT基多层介电增强薄膜及其制备方法，包括衬底，通过磁控溅射法在衬底上制备BPO薄膜电极，采用溶胶凝胶法在BPO上制备多层异质薄膜，热处理过后，再在表面通过磁控溅射制备Au电极。所述多层异质薄膜由PZT和BTO薄膜交替堆叠构成。本发明利用异质薄膜间的静电耦合效应极大的提高了薄膜的介电性能，并且通过氧化物电极BPO改善了电畴的扎钉效应，使得PZT/BTO薄膜的抗疲劳特性大幅地提升。

公开(公告)号：CN113241256A

公开(公告)日：2021-08-10

申请号：CN202110356882.5

申请日：2021-04-01

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 王歆 ,  钟煌 ,  卢振亚 ,  陈志武 ,  李心宏

IPC: H01G4/005 ,  H01G4/33

Abstract: 本发明公开了一种基于BPO电极的PZT基多层介电增强薄膜及其制备方法，包括衬底，通过磁控溅射法在衬底上制备BPO薄膜电极，采用溶胶凝胶法在BPO上制备多层异质薄膜，热处理过后，再在表面通过磁控溅射制备Au电极。所述多层异质薄膜由PZT和BTO薄膜交替堆叠构成。本发明利用异质薄膜间的静电耦合效应极大的提高了薄膜的介电性能，并且通过氧化物电极BPO改善了电畴的扎钉效应，使得PZT/BTO薄膜的抗疲劳特性大幅地提升。