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公开(公告)号：CN106788485B
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201611072088.3
申请日：2016-11-29
申请人： 华南理工大学
摘要： 本发明公开了一种低功耗发射机，包括发射机核心电路，还包括启动控制电路，所述启动控制电路用于当接收到所需发射的数据且接收到的第一使能信号的电平为启动电平时，则输出第二使能信号至发射机核心电路，从而控制发射机核心电路启动；所述启动控制电路的输出端与发射机核心电路的控制端连接。本发明的发射机能令发射机核心电路在数据DATA进入发射机的时候才会打开启动，从而最大限度地减少发射机核心电路的工作时间，节省整个系统的电流。本发明一种低功耗发射机可广泛应用于无线传感网络节点收发芯片领域中。
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公开(公告)号：CN108538908B
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201810297761.6
申请日：2018-04-04
申请人： 华南理工大学
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/778 , H01L21/335
摘要： 本发明公开了一种增强型GaN HEMT器件及其制备方法，包括衬底以及设置在衬底上的HEMT异质结结构；所述的HEMT异质结结构顶层为薄AlGaN势垒层；在薄AlGaN势垒层上方分别设置漏极、源极和栅极；薄AlGaN势垒层上方在栅极与源极之间、栅极与漏极之间设置介质层用于提高沟道的二维电子气浓度；所述的薄AlGaN势垒层与漏极、源极为欧姆接触，与栅极为肖特基接触。优点在于，通过采用薄AlGaN势垒层使HEMT器件栅极区域的沟道处于耗尽截止状态，在栅‑漏、栅‑源之间的区域则通过调控介质层作用来提高其沟道的二维电子气浓度，从而实现具有较小导通电阻的增强型器件。
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公开(公告)号：CN109245329A
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201811036287.8
申请日：2018-09-06
申请人： 华南理工大学
摘要： 本发明公开了一种基于矢量功率叠加的无线能量传输系统及方法，包括电源电路、时钟控制及栅极驱动电路、第一逆变电路、第二逆变电路、无线能量耦合电路和AC-DC转换电路；逆变电路将电流输出至无线能量耦合电路，以电场耦合和磁耦合的方式将能量传输到接收电路，并将接收到的两种相位不同的能量以矢量叠加的方式传输到AC-DC转换电路，最终输出至负载。本发明通过无线能量耦合电路以电场耦合和磁耦合两种方式进行能量传输；并经由AC-DC转换电路输出至负载，使得原边电路与副边电路的位置更加灵活，提高了整个系统的传输功率。
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公开(公告)号：CN108538908A
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201810297761.6
申请日：2018-04-04
申请人： 华南理工大学
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/778 , H01L21/335
摘要： 本发明公开了一种增强型GaN HEMT器件及其制备方法，包括衬底以及设置在衬底上的HEMT异质结结构；所述的HEMT异质结结构顶层为薄AlGaN势垒层；在薄AlGaN势垒层上方分别设置漏极、源极和栅极；薄AlGaN势垒层上方在栅极与源极之间、栅极与漏极之间设置介质层用于提高沟道的二维电子气浓度；所述的薄AlGaN势垒层与漏极、源极为欧姆接触，与栅极为肖特基接触。优点在于，通过采用薄AlGaN势垒层使HEMT器件栅极区域的沟道处于耗尽截止状态，在栅-漏、栅-源之间的区域则通过调控介质层作用来提高其沟道的二维电子气浓度，从而实现具有较小导通电阻的增强型器件。
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公开(公告)号：CN107659000A
公开(公告)日：2018-02-02
申请号：CN201711035951.2
申请日：2017-10-30
申请人： 华南理工大学
摘要： 本发明涉及一种可双向无线充电的收发电路，不采用传统的反相器连接的class-D功率放大器结构，而是将反相器的连接改进为两P型MOS管的交叉耦合连接，并能达到基本相同的功率放大器功能。且本发明通过交叉耦合连接结构的两P型MOS管，使得无论在本电路处于发射模式还是接收模式，都不需要对两P型MOS管的连接结构进行调整，也即两P型MOS管能够在发射模式时用作功率放大器，也能够在接收模式时用作整流器的二极管；由此实现在进行工作模式的切换时，没必要利用选通器改变两P型MOS管之间的连接结构，两P型MOS管也能够直接与输入/输出连接，从而减少了选通器和驱动电路的数量，简化了电路结构，并提升了无线充电的效率。
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公开(公告)号：CN107621845A
公开(公告)日：2018-01-23
申请号：CN201710883301.7
申请日：2017-09-26
申请人： 华南理工大学
发明人： 黄沫
IPC分类号： G05F1/56
摘要： 本发明提供一种低压差稳压器，包括误差放大器，其正极输入端接收参考电压，负极输入端与输出端连接；第二场效应管，其漏极与误差放大器的输出端连接，源极通过第二电流源接地，栅极通过第二电流源接地；功率器件，其漏极接入电源电压，功率器件的源极与第一场效应管的漏极连接，同时分别通过第一电容接地、通过负载电流源接地、通过第三电容、第一电流源接地；第一场效应管，其栅极与第二场效应管的栅极连接，第一场效应管的漏极与功率器件的源极连接，第一场效应管的源极通过第一电流源接地，同时与超级源跟随器输入端连接；超级源跟随器，其输出端与功率器件的栅极连接，同时通过第二电容接地。
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公开(公告)号：CN106909194A
公开(公告)日：2017-06-30
申请号：CN201710159750.7
申请日：2017-03-17
申请人： 华南理工大学
IPC分类号： G05F1/567
CPC分类号： G05F1/567
摘要： 本发明公开了一种具有高阶温度补偿的带隙基准电压源，包括三输出开关电容变换器、开关电容模块一和开关电容模块二，输入电压VCC连接到三输出开关电容变换器的输入端，三输出开关电容变换器输出端分别输出三路偏置电压VEB1、VEB2和VEB3，第一路偏置电压VEB1连接到开关电容模块一的第一输入端，第二路偏置电压VEB2连接到开关电容模块一的第二输入端和开关电容模块二的第二输入端，第三路偏置电压VEB3连接到开关电容模块二的第三输入端，开关电容模块一的输出端连接到开关电容模块二的第一输入端，开关电容模块二的输出端输出基准电压VREF。本发明基于开关电容结构，大大降低了额电路复杂度，实现了消去高阶项和带隙基准的高阶温度补偿，获得了较低的温度系数。
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公开(公告)号：CN109634337B
公开(公告)日：2019-10-15
申请号：CN201811534060.6
申请日：2018-12-14
申请人： 华南理工大学
IPC分类号： G05F1/56
摘要： 本发明公开了一种幅度可调的低温度系数升压电路，包括运算放大器、含有运放负反馈回路的镜像电路、采样电阻、升压电阻和使能开关；所述的运算放大器的反相输入端用于输入参考电压，所述的运算放大器的同相输入端连接采样电阻后接地；所述的镜像电路的输入端连接运算放大器的输出端，所述的镜像电路的第一输出端连接采样电阻后接地，所述的镜像电路的第二输出端经过使能开关后连接升压电阻；所述的运放负反馈回路用于使镜像电路与采样电阻之间的电压等于参考电压；在所述的使能开关与升压电阻之间设有电压输出端，所述的采样电阻与升压电阻的类型相同。其优点在于：本发明具有幅度可调节、低温度系数和精度高的特点。
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公开(公告)号：CN107659000B
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201711035951.2
申请日：2017-10-30
申请人： 华南理工大学
摘要： 本发明涉及一种可双向无线充电的收发电路，不采用传统的反相器连接的class‑D功率放大器结构，而是将反相器的连接改进为两P型MOS管的交叉耦合连接，并能达到基本相同的功率放大器功能。且本发明通过交叉耦合连接结构的两P型MOS管，使得无论在本电路处于发射模式还是接收模式，都不需要对两P型MOS管的连接结构进行调整，也即两P型MOS管能够在发射模式时用作功率放大器，也能够在接收模式时用作整流器的二极管；由此实现在进行工作模式的切换时，没必要利用选通器改变两P型MOS管之间的连接结构，两P型MOS管也能够直接与输入/输出连接，从而减少了选通器和驱动电路的数量，简化了电路结构，并提升了无线充电的效率。
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公开(公告)号：CN104811404A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201510178333.8
申请日：2015-04-14
申请人： 华南理工大学
IPC分类号： H04L25/06
摘要： 本发明公开了一种直流偏移校正方法和装置，方法包括：对接收机的直流偏移值进行模拟增益挡位和本振频率分段，然后在接收机芯片上电初始化的过程中采用逐次逼近算法完成所有模拟增益挡位和本振频率分段的直流偏移检测，并将检测出的直流偏移值存储到存储单元中；根据当前模拟增益挡位和本振频率分段自动从存储单元取出相应的当前直流偏移值，然后在放大器和ADC之前进行第一级直流偏移校正；在接收的有用信号未到达二级直流偏移检测点前进行第二级直流偏移值检测，并在接收的有用信号到达时将第二级直流偏移值从有用信号中减掉。本发明具有既不会降低放大器和ADC的动态范围又具有非常好的实时性的优点，可广泛应用于射频通信领域。
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