一种基于梯度多孔结构的中子防护装置和制备方法

    公开(公告)号:CN116364322A

    公开(公告)日:2023-06-30

    申请号:CN202310051185.8

    申请日:2023-02-02

    IPC分类号: G21F1/02

    摘要: 本发明涉及一种基于梯度多孔结构的中子防护装置和方法,防护装置包括与被屏蔽结构相适应的外壳,外壳内固设有梯度多孔结构,梯度多孔结构设有多个互相连通的孔隙,梯度多孔结构的孔隙率在三维方向梯度渐变,孔隙内填充有防护填充物。由于梯度多孔结构的孔隙率在三维方向梯度渐变,因此,在孔隙率较高处填充有较多的防护填充物,防护填充物占比更高,可用于贴近被屏蔽结构,具有较好的屏蔽效果;在孔隙率较低处填充有较少的防护填充物,梯度多孔结构占比更高,具有较好的力学性能,可用于连接外部固定结构,延长了防护装置的使用寿命。本发明的防护装置能够同时兼顾屏蔽效果与力学性能,提高了防护装置的中子屏蔽效率和服役寿命。

    面向中子防护的铝基碳化硼结构的增材制造方法

    公开(公告)号:CN111893341B

    公开(公告)日:2022-05-17

    申请号:CN202010630620.9

    申请日:2020-07-03

    摘要: 本发明公开了一种面向中子防护的铝基碳化硼结构的增材制造方法,包括下述步骤:将铝合金实体结构通过拓扑优化再设计为点阵结构,并通过激光选区熔化技术对其进行制造成形;所述点阵结构为内部为具有一定孔隙率的多孔结构,而外部轮廓封闭,但留有碳化硼粉末填充口;将细小的碳化硼粉末灌入铝合金点阵结构中;将铝合金点阵结构的碳化硼粉末填充口通过激光选区熔化技术进行再增材,从而使再增材后的铝合金点阵结构外部轮廓实体完整。本发明将增材制造结构成形自由度高的特点应用到防中子辐射铝基碳化硼材料的成形制造中,弥补了防中子辐射铝基碳化硼材料的传统制造方法无法成形异性结构,中子吸收材料空间分布防护效能低且有漏缝的缺陷。

    面向中子防护的铝基碳化硼结构的增材制造方法

    公开(公告)号:CN111893341A

    公开(公告)日:2020-11-06

    申请号:CN202010630620.9

    申请日:2020-07-03

    摘要: 本发明公开了一种面向中子防护的铝基碳化硼结构的增材制造方法,包括下述步骤:将铝合金实体结构通过拓扑优化再设计为点阵结构,并通过激光选区熔化技术对其进行制造成形;所述点阵结构为内部为具有一定孔隙率的多孔结构,而外部轮廓封闭,但留有碳化硼粉末填充口;将细小的碳化硼粉末灌入铝合金点阵结构中;将铝合金点阵结构的碳化硼粉末填充口通过激光选区熔化技术进行再增材,从而使再增材后的铝合金点阵结构外部轮廓实体完整。本发明将增材制造结构成形自由度高的特点应用到防中子辐射铝基碳化硼材料的成形制造中,弥补了防中子辐射铝基碳化硼材料的传统制造方法无法成形异性结构,中子吸收材料空间分布防护效能低且有漏缝的缺陷。

    一种放射性固体废物的处理方法

    公开(公告)号:CN113096843B

    公开(公告)日:2024-04-23

    申请号:CN201911341329.3

    申请日:2019-12-23

    IPC分类号: G21F9/30 G21F9/06

    摘要: 本发明提供了一种放射性固体废物的处理方法,包括步骤:(1)将放射性固体废物进行分拣处理,选择表面剂量率≤1mSv/h的放射性固体废物投入溶解釜中;(2)于溶解釜中加入所需氧化剂的一部分、溶剂和催化剂;(3)将溶解釜加热至溶胀温度,维持一定时间,溶胀温度为60~70℃;(4)于溶解釜中加入余下的氧化剂,并加热至反应温度,维持一定时间,开启溶解釜的紫外发生器,其中,反应温度为85~95℃;(5)将溶解釜内温度降低至50~60℃;(6)进行过滤处理、矿化处理和分离处理。利用该放射性固体废物的处理方法,可实现放射性固体废物的高效降解,最终转化为二氧化碳和水,实现放射性固体废物的有效减容。

    高通量多试样腐蚀释放及包壳管表面污垢沉积试验系统

    公开(公告)号:CN117854763A

    公开(公告)日:2024-04-09

    申请号:CN202311702659.7

    申请日:2023-12-12

    IPC分类号: G21C17/00 G01N17/00 G01N17/04

    摘要: 本发明涉及一种高通量多试样腐蚀释放及包壳管表面污垢沉积试验系统,包括主回路温控器、回路控制段、燃料包壳污垢沉积试验段、挂片腐蚀试验段、加药装置、冷却装置;燃料包壳污垢沉积试验段内设有至少两根燃料包壳管,挂片腐蚀试验段内挂设有若干挂片试样;回路控制段控制试验回路中溶液的流动参数;加药装置的加药支路连接主回路温控器的入口,以从入口向主回路温控器内加入试验药剂,加药装置的反馈支路连接主回路温控器的出口,以从出口获取流出溶液的试剂含量,控制加药支路的加药量;冷却装置连接在主回路温控器、燃料包壳污垢沉积试验段之间,对流出燃料包壳污垢沉积试验段的溶液冷却,本试验系统能在同一试验系统上实现两种试验研究。

    屏蔽制件及其制备方法与防辐射制品

    公开(公告)号:CN117681437A

    公开(公告)日:2024-03-12

    申请号:CN202311572409.6

    申请日:2023-11-22

    摘要: 本申请涉及一种屏蔽制件及其制备方法与应用、防辐射制品。屏蔽制件的制备方法包括以下步骤:(1)采用选择性激光熔化工艺打印屏蔽制件骨架,屏蔽制件骨架具有沿打印高度方向的孔结构;(2)采用熔融沉积制造工艺在屏蔽制件骨架的孔结构中打印屏蔽材料;(3)重复步骤(1)~(2),以进行多次打印屏蔽制件骨架的步骤和在前一次打印形成的屏蔽制件骨架中打印屏蔽材料的步骤,直到获得所需高度的屏蔽制件。采用该制备方法可获得所需高度的屏蔽制件,且可有效提升屏蔽制件的防护效果。