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公开(公告)号：CN118099295A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410148161.9
申请日：2024-02-02
申请人： 华灿光电(浙江)有限公司
摘要： 本公开实施例提供了一种发光二极管的制备方法及制品，属于光电子制造技术领域。该制备方法包括：在衬底上形成多个发光结构，发光结构包括沿远离衬底的方向依次层叠的第一半导体层、多量子阱层和第二半导体层，发光结构具有从第二半导体层的远离多量子阱层的表面向第一半导体层延伸的台面；在第二半导体层的第一表面所在的一侧形成透明导电层，中心区域中透明导电层的厚度大于环形区域中透明导电层的厚度；在台面上形成第一电极，并在透明导电层上形成第二电极，中心区域中第二电极和透明导电层的接触面的面积小于环形区域中第二电极和透明导电层的接触面的面积。本公开实施例能提高LED的电压的一致性。
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公开(公告)号：CN117352627A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202311101815.4
申请日：2023-08-28
申请人： 华灿光电(浙江)有限公司
摘要： 本公开实施例提供了一种发光二极管芯片及其制作方法，属于半导体技术领域。该发光二极管包括衬底、发光结构、第一DBR层和第二DBR层，衬底具有相对的正面和背面，发光结构位于衬底的正面，衬底的背面具有至少一个凹槽，第一DBR层位于凹槽中，第一DBR层包括多个第一高折射率层和多个第一低折射率层，第二DBR层位于背面且覆盖第一DBR层，第二DBR层包括多个第二高折射率层和多个第二低折射率层，第一高折射率层与第一低折射率层的折射率差值大于第二高折射率层与第二低折射率层的折射率差值。本公开实施例能有效减少DBR层对光的吸收，提高LED芯片的发光效率。
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公开(公告)号：CN117012870A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202310882819.4
申请日：2023-07-18
申请人： 华灿光电(浙江)有限公司
摘要： 本公开提供了一种改善电极断裂的发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括外延层和第一电极，所述外延层包括依次层叠的第一半导体层、多量子阱层和第二半导体层；所述第二半导体层具有露出所述第一半导体层的阶梯孔，所述阶梯孔包括依次相连的多个子孔段，从所述第一半导体层到所述第二半导体层的方向上，所述子孔段的孔径逐渐增大；所述第一电极包括金属条，所述金属条位于所述第二半导体层远离所述第一半导体层的表面，且位于各所述子孔段的侧壁和所述第一半导体层的表面上。本公开实施例能改善电极容易在凹孔内出现断裂的问题，提升发光二极管的可靠性。
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公开(公告)号：CN118099322A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410068263.X
申请日：2024-01-17
申请人： 华灿光电(浙江)有限公司
摘要： 本公开实施例提供了一种发光二极管芯片及其制备方法，属于半导体技术领域。该发光二极管芯片包括发光结构、第一电流扩展层、第二电流扩展层、第一钝化层和反射层，发光结构包括依次层叠的第一半导体层、多量子阱层和第二半导体层；第一电流扩展层位于第二半导体层的远离多量子阱层的表面；第一钝化层具有露出第一电流扩展层的多个第一通孔；第二电流扩展层填充在第一通孔内，且第二电流扩展层与第一电流扩展层连接；反射层位于第一电流扩展层上的第一钝化层的远离多量子阱层的表面，且与第二电流扩展层连接。本公开实施例能提高LED芯片的可靠性。
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公开(公告)号：CN117352626A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202311092699.4
申请日：2023-08-28
申请人： 华灿光电(浙江)有限公司
摘要： 本公开实施例提供了一种提高粘附力的发光二极管芯片及其制作方法，属于半导体技术领域。该发光二极管包括衬底、发光结构、第一DBR层和第二DBR层，衬底具有相对的正面和背面，发光结构位于衬底的正面，第一DBR层位于衬底的背面，第一DBR层包括交替层叠的多个第一高折射率层和多个第一低折射率层，第一DBR层中具有阵列布置的凹槽，凹槽的深度等于第一DBR层的厚度；第二DBR层位于凹槽中且与第一DBR层平齐，第二DBR层包括交替层叠的多个第二高折射率层和多个第二低折射率层。本公开实施例能减弱DBR层中的应力，提高DBR层的粘附力，提高LED芯片的质量。
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公开(公告)号：CN118471790A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410518480.4
申请日：2024-04-28
申请人： 京东方华灿光电(浙江)有限公司
IPC分类号： H01L21/027 , H01L33/00
摘要： 本公开提供了一种发光二极管的光刻方法，属于半导体制备领域。该光刻方法包括：提供一外延层；在外延层的一面涂覆光刻胶，以形成光刻胶层；通过第一光刻版，对光刻胶层进行第一次曝光；通过第二光刻版，对光刻胶层进行第二次曝光；对外延层进行刻蚀；去除多余的光刻胶层。本公开能够有效的提高发光二极管的制备效率。
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公开(公告)号：CN115458652A
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202210975513.9
申请日：2022-08-15
申请人： 华灿光电(浙江)有限公司
摘要： 本公开提供了一种高亮发光二极管及其制备方法，该发光二极管包括：衬底、外延层、复合阻挡层、第一电极和第二电极；所述外延层包括依次层叠在所述衬底上的第一半导体层、多量子阱层和第二半导体层，所述外延层具有露出所述第一半导体层的凹槽；所述复合阻挡层位于所述第二半导体层的表面，所述复合阻挡层包括依次层叠的第一阻挡层和第二阻挡层，所述第一阻挡层的折射率高于所述第二阻挡层的折射率；所述第一电极位于所述凹槽内且与所述第一半导体层电性相连，所述第二电极位于所述复合阻挡层的表面，且与所述第二半导体层电性相连。本公开能减少电极对光线的吸收，提升发光二极管的亮度和发光效率。
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