隔离型内串联式异质结电池及其制作方法

    公开(公告)号:CN115000225A

    公开(公告)日:2022-09-02

    申请号:CN202210910824.7

    申请日:2022-07-29

    摘要: 本发明公开一种隔离型内串联式异质结电池及其制作方法,隔离型内串联式异质结电池的衬底上设有将衬底分隔为多个衬底单元的隔离层,第一P型非晶硅层和第一N型非晶硅层的总数量与衬底单元的数量相等并一一对应,第二P型非晶硅层/第二N型非晶硅层与第一N型非晶硅层/第一P型非晶硅层的数量相等并一一对应,多个第一透明导电层在衬底的纵向间隔分布并用于将第一P型非晶硅层与位于第一侧的相邻第一N型非晶硅层电连接,多个第二透明导电层在衬底的纵向间隔分布并用于将第二N型非晶硅层与第二侧的相邻第二P型非晶硅层电连接,第一侧的朝向与第二侧的朝向相反。本发明提供的隔离型内串联式异质结电池具有能量转换效率高、加工成本低的优点。

    隔离型内串联式异质结电池及其制作方法

    公开(公告)号:CN115000225B

    公开(公告)日:2022-11-04

    申请号:CN202210910824.7

    申请日:2022-07-29

    摘要: 本发明公开一种隔离型内串联式异质结电池及其制作方法,隔离型内串联式异质结电池的衬底上设有将衬底分隔为多个衬底单元的隔离层,第一P型非晶硅层和第一N型非晶硅层的总数量与衬底单元的数量相等并一一对应,第二P型非晶硅层/第二N型非晶硅层与第一N型非晶硅层/第一P型非晶硅层的数量相等并一一对应,多个第一透明导电层在衬底的纵向间隔分布并用于将第一P型非晶硅层与位于第一侧的相邻第一N型非晶硅层电连接,多个第二透明导电层在衬底的纵向间隔分布并用于将第二N型非晶硅层与第二侧的相邻第二P型非晶硅层电连接,第一侧的朝向与第二侧的朝向相反。本发明提供的隔离型内串联式异质结电池具有能量转换效率高、加工成本低的优点。

    内部钝化的背接触PERC电池片的制作方法

    公开(公告)号:CN115000247A

    公开(公告)日:2022-09-02

    申请号:CN202210909540.6

    申请日:2022-07-29

    IPC分类号: H01L31/18 H01L31/068

    摘要: 本发明公开一种内部钝化的背接触PERC电池片的制作方法,内部钝化的背接触PERC电池片的制作方法包括以下步骤:在单晶硅片的向光面沉积第一钝化层;在单晶硅片的背光面进行磷和硼的扩散,形成多个交替的P区和N区;在P区和N区上沉积掩膜,在任意P区和N区之间使用激光划刻得到隔离槽,隔离槽贯穿单晶硅片;在隔离槽内沉积钝化材料,得到隔离层;去除掩膜,在P区和N区上沉积第二钝化层;在第二钝化层上使用激光划刻得到多个激光浅槽,激光浅槽贯穿第二钝化层且至少部分位于N区发射极/P区发射极,至少部分激光浅槽内印刷电极。本发明提供的内部钝化的背接触PERC电池片的制作方法具有P区和N区的有效面积大,电池效率高的优点。

    内部钝化的背接触PERC电池片的制作方法

    公开(公告)号:CN115000247B

    公开(公告)日:2022-11-04

    申请号:CN202210909540.6

    申请日:2022-07-29

    IPC分类号: H01L31/18 H01L31/068

    摘要: 本发明公开一种内部钝化的背接触PERC电池片的制作方法,内部钝化的背接触PERC电池片的制作方法包括以下步骤:在单晶硅片的向光面沉积第一钝化层;在单晶硅片的背光面进行磷和硼的扩散,形成多个交替的P区和N区;在P区和N区上沉积掩膜,在任意P区和N区之间使用激光划刻得到隔离槽,隔离槽贯穿单晶硅片;在隔离槽内沉积钝化材料,得到隔离层;去除掩膜,在P区和N区上沉积第二钝化层;在第二钝化层上使用激光划刻得到多个激光浅槽,激光浅槽贯穿第二钝化层且至少部分位于N区发射极/P区发射极,至少部分激光浅槽内印刷电极。本发明提供的内部钝化的背接触PERC电池片的制作方法具有P区和N区的有效面积大,电池效率高的优点。