磁控溅射方法以及磁控溅射装置
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117604474A

    公开(公告)日:2024-02-27

    申请号:CN202311632364.7

    申请日:2023-11-30

    IPC分类号: C23C14/35

    摘要: 本申请实施例公开了一种磁控溅射方法,应用于磁控溅射装置,磁控溅射装置包括第一磁控溅射组件,该方法包括:将第一磁控溅射组件置于待镀膜基底表面上方;调整第一磁控溅射组件,使得第一磁控溅射组件产生的第一溅射粒子射向待镀膜基底表面的第一区域,且第一溅射粒子的传输方向与待镀膜基底表面的第一区域之间所成的夹角取值范围为0°~90°,不包括端点值;启动第一磁控溅射组件,给待镀膜基底表面的第一区域提供第一溅射粒子,在待镀膜基底表面的第一区域镀膜,从而使得第一溅射粒子斜着射向待镀膜基底表面,增加第一溅射粒子到达待镀膜基底表面的行程,降低第一溅射粒子到达待镀膜基底表面的能量,减小对待镀膜基底上已有膜层的损伤。

    一种背接触钙钛矿电池及其制备方法

    公开(公告)号:CN118714859A

    公开(公告)日:2024-09-27

    申请号:CN202410958860.X

    申请日:2024-07-17

    摘要: 本公开的实施例提供一种背接触钙钛矿电池及其制备方法,所述制备方法包括:提供镍箔,对所述镍箔进行清洗烘干处理;在处理后的所述镍箔上表面沿其长度方向沉积制备多个相互间隔的阻隔层;在相邻两个所述阻隔层之间的所述镍箔上表面制备NiOx空穴传输层;在各所述阻隔层上表面蒸镀制备金属电极层;在各所述金属电极层外表面蒸镀制备电子传输层,以及在所述电子传输层和所述NiOx空穴传输层上表面旋涂制备钙钛矿层,以形成背接触钙钛矿模组;对所述背接触钙钛矿模组进行封装,得到背接触钙钛矿电池。本公开的实施例的背接触钙钛矿电池的制备方法,可以避免透明导电层的使用,降低生产成本和工艺难度。