公开(公告)号：CN105140200A

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201510436075.9

申请日：2015-07-22

申请人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

发明人： 曹立强 ,  何洪文 ,  戴风伟 ,  秦飞 ,  史戈 ,  别晓锐

IPC分类号： H01L23/485 ,  H01L21/60 ,  H01L21/78

CPC分类号： H01L2224/11

摘要： 本发明涉及一种晶圆级凸点封装结构的制作方法，包括如下步骤：（1）提供集成了芯片电极和绝缘层的晶圆；（2）在晶圆上制作保护层；（3）将芯片电极上方的保护层去除形成第一开口，将晶圆上的芯片切割位置的保护层去除形成第二开口；（4）在第一开口处制作凸点下金属层和凸点层；（5）沿第二开口的位置进行切割，得到单颗晶圆级凸点封装结构。本发明避免了因热失配而导致保护层拉扯绝缘层的应力过大的问题，从而提高了封装可靠性；且在提高可靠性的同时，并没有增加工艺步骤。本发明在切割晶圆过程中，由于去除了预定切割位置处的保护胶，使保护层避开了切割道，消除了切割时保护层对绝缘层的拉扯，减少了切割时芯片本体的崩边现象。

公开(公告)号：CN105070698A

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201510435559.1

申请日：2015-07-22

申请人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

发明人： 曹立强 ,  何洪文 ,  戴风伟 ,  秦飞 ,  别晓锐 ,  史戈

IPC分类号： H01L23/485 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L2224/11

摘要： 本发明涉及一种晶圆级焊锡微凸点及其制作方法，包括形成于IC晶圆上的焊盘和钝化层，在钝化层上设有开口，焊盘的表面于开口处裸露；在所述焊盘上依次设置溅镀的钛层和铜层，在溅镀的铜层表面设置电镀的附着层和阻挡层，在阻挡层上设置焊锡微凸点；所述焊锡微凸点包裹阻挡层的表面以及阻挡层和附着层的侧部，附着层和阻挡层的尺寸较铜层和钛层的尺寸小，附着层和阻挡层的边缘与铜层和钛层的边缘之间存在一定间距，焊锡微凸点包裹该间距处铜层的表面以及溅镀的铜层和钛层的侧部。本发明增加了焊锡微凸点与溅镀铜层的接触面积，提高了两者之间的粘附性，避免了分层失效的发生；避免了现有湿法刻蚀工艺去除溅镀金属层时引起的电镀铜层底切问题。

公开(公告)号：CN105070698B

公开(公告)日：2018-01-16

申请号：CN201510435559.1

申请日：2015-07-22

申请人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

发明人： 曹立强 ,  何洪文 ,  戴风伟 ,  秦飞 ,  别晓锐 ,  史戈

IPC分类号： H01L23/485 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L2224/11

摘要： 本发明涉及一种晶圆级焊锡微凸点及其制作方法，包括形成于IC晶圆上的焊盘和钝化层，在钝化层上设有开口，焊盘的表面于开口处裸露；在所述焊盘上依次设置溅镀的钛层和铜层，在溅镀的铜层表面设置电镀的附着层和阻挡层，在阻挡层上设置焊锡微凸点；所述焊锡微凸点包裹阻挡层的表面以及阻挡层和附着层的侧部，附着层和阻挡层的尺寸较铜层和钛层的尺寸小，附着层和阻挡层的边缘与铜层和钛层的边缘之间存在一定间距，焊锡微凸点包裹该间距处铜层的表面以及溅镀的铜层和钛层的侧部。本发明增加了焊锡微凸点与溅镀铜层的接触面积，提高了两者之间的粘附性，避免了分层失效的发生；避免了现有湿法刻蚀工艺去除溅镀金属层时引起的电镀铜层底切问题。