公开(公告)号：CN117116908A

公开(公告)日：2023-11-24

申请号：CN202311091378.2

申请日：2023-08-28

申请人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

发明人： 樊嘉祺 ,  孙鹏 ,  戴风伟

IPC分类号： H01L23/538 ,  H01L23/367 ,  H01L21/768

摘要： 本发明涉及一种基于晶上系统的高密度互连结构及封装方法。其包括功能芯片以及转接互连单元，所述芯片引出连接层包括若干芯片连接焊盘；所述转接互连单元包括转接互连布线层以及与所述转接互连布线层适配电连接的转接引出连接层，所述转接引出连接层包括若干转接连接焊盘；转接互连单元对准贴装于功能芯片上时，转接互连单元内的转接连接焊盘与功能芯片的芯片连接焊盘呈一一正对应，以使得转接互连单元与功能芯片对准互连，且通过转接互连单元的转接互连布线层将对准互连后的功能芯片引出。本发明能有效实现高密度的互连，降低大幅降低工艺制造难度和流片成本，与现有工艺兼容，不会额外增加封装面积。

公开(公告)号：CN112599423A

公开(公告)日：2021-04-02

申请号：CN202011476243.4

申请日：2020-12-15

申请人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

发明人： 戴风伟 ,  曹立强

IPC分类号： H01L21/48 ,  H01L23/498

摘要： 本发明提供了一种TSV转接板结构及其制造方法，包括：制作基板，所述基板包括依次堆叠的底层基板层、中间基板层及顶层基板层；在顶层基板层上形成TSV结构，通过所述TSV结构暴露出部分中间基板层；去除底层基板层；在中间基板层上的TSV结构中形成电性引出结构。实现了所有TSV通孔一遇到中间基板层即可停止打孔，打孔深度一致，且打孔深度可控，可以解决现有技术方案中TSV刻蚀深度不能精确控制的问题，其次通过去除底层基板层，可以暴露出中间基板层，在中间基板层上直接形成电性引出结构，作为TSV结构的露头将所述TSV结构的电性引出，同时实现了背面露头工艺的简单可控。

公开(公告)号：CN112117249A

公开(公告)日：2020-12-22

申请号：CN202011005359.X

申请日：2020-09-22

申请人： 上海先方半导体有限公司 ,  华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

发明人： 戴风伟 ,  曹立强

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L21/603

摘要： 本发明提供了一种晶圆级键合结构及晶圆级键合方法，晶圆级键合结构包括：第一晶圆，所述第一晶圆具有第一键合面，所述第一键合面设置有第一导电结构；第二晶圆，所述第二晶圆具有第二键合面，所述第二键合面设置有第二导电结构，所述第二键合面上设置有填充层，所述填充层中具有位于部分所述第二导电结构上的凹槽；所述第一导电结构位于所述凹槽中且与所述第二导电结构连接；所述填充层与所述第一导电结构侧部的所述第一键合面接触。本发明避免了晶圆级键合结构后续工艺出现质量问题，如减薄、刻蚀等容易碎片的问题。

公开(公告)号：CN111554647A

公开(公告)日：2020-08-18

申请号：CN202010426007.5

申请日：2020-05-19

申请人： 上海先方半导体有限公司 ,  华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

发明人： 严阳阳 ,  曹立强 ,  孙鹏 ,  陈天放 ,  戴风伟

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/485 ,  H01L21/768 ,  H01L21/60

摘要： 本发明公开了一种晶圆级芯片结构、多芯片堆叠互连结构及制备方法，其中晶圆级芯片结构，包括：贯穿晶圆的硅通孔，其第一表面包括：有源区、多层再分布线层以及凸点，其第二表面包括：绝缘介质层，以及与硅通孔相连接的锥台过渡结构。本发明实施例在晶圆背面TSV露头区域与UBM之间引入锥台型阻抗过渡结构，使TSV与UBM之间实现阻抗匹配，改善了因阻抗突变引起的信号畸变问题，和传统方案相比，为了实现本方案的锥台型过渡结构，并未增加光罩数量，而仅在原有工艺基础上，增加一步光刻工艺以及一步反应离子刻蚀工艺，工艺流程并不复杂。

公开(公告)号：CN107346755B

公开(公告)日：2019-10-01

申请号：CN201710512423.5

申请日：2017-06-29

申请人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

发明人： 戴风伟 ,  张文奇

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/687 ,  H01L21/02

摘要： 本发明公开了一种晶圆清洗装置，包括：清洗台，所述清洗台包括用于支撑待清洗的晶圆的支撑面、与所述支撑面连通的废液收集腔体，所述废液收集腔体用于收集并容纳清洗废液，所述废液收集腔体具有废液出口，用于将所述废液收集腔内的废液排出；晶圆固定装置，所述晶圆固定装置将待清洗的晶圆固定在所述清洗台的支撑面上，其中所述晶圆固定装置包括载片，所述载片具有多个孔，所述待清洗的晶圆与载片层叠在一起，使得待清洗的晶圆上TSV通孔与载片上的孔连通，形成清洗液的流动通道；清洗液释放装置，所述清洗液喷嘴朝向待清洗的晶圆；以及废液排出装置，用于迫使清洗液从待清洗的晶圆上的TSV通孔内流过。

公开(公告)号：CN106783797A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201611152903.7

申请日：2016-12-14

申请人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 ,  上海交通大学

发明人： 张文奇 ,  戴风伟 ,  李明 ,  张俊红 ,  高兰雅

IPC分类号： H01L23/522 ,  H01L23/535

CPC分类号： H01L23/522 ,  H01L23/535

摘要： 本发明实施例公开了一种半导体器件的导通孔结构，该结构包括：半导体基体；导通孔，形成在半导体基体中，导通孔中填充有电镀材料，电镀材料覆盖导通孔的底部，以及导通孔的内表面，电镀材料中间形成有空隙，空隙中填充有有机聚合物；依次形成在半导体器件表面的下金属层和种子层，下金属层和种子层覆盖电镀材料和有机聚合物；微凸点，形成在种子层上方，且与导通孔的位置对应。本发明实施例提供的半导体器件的导通孔结构，避免了半导体通孔结构中出现缝隙以及应力集中的问题。

公开(公告)号：CN103474417B

公开(公告)日：2016-09-21

申请号：CN201310456142.4

申请日：2013-09-29

申请人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

发明人： 李君 ,  曹立强 ,  戴风伟

IPC分类号： H01L23/532 ,  H01L23/528 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L2224/13

摘要： 本发明提供了一种三维互连结构及其制备方法，通过在半导体衬底的正面形成梯形槽，然后在梯形槽的斜面上布设至少一层正面金属布线层，然后，研磨半导体背面使位于所述梯形槽斜面上的靠近所述梯形槽底部的各层正面金属布线层暴露，接着在半导体背面以及暴露的正面金属布线层下方形成至少一层背面金属布线层。位于半导体正面的金属布线层和位于半导体背面的金属布线层通过梯形槽上的金属布线层实现了电连接。在本发明提供的三维互连结构中，位于梯形槽斜面上的正面金属布线层相当于传输带，可以实现在半导体正面、梯形槽斜面以及半导体背面之间形成阻抗相同或相近的互连线，能够克服由于阻抗不匹配而引起的信号反射大的问题。

公开(公告)号：CN103367139B

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201310289797.7

申请日：2013-07-11

申请人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

发明人： 戴风伟 ,  于大全

IPC分类号： H01L21/311 ,  H01L21/768

摘要： 本发明提供了一种TSV孔底部介质层刻蚀方法，对于小孔径的TSV孔，可以降低了TSV孔底部介质层刻蚀难度，避免了刻蚀过程中对TSV侧壁绝缘层材料造成损伤。其包括以下步骤：（1）、对拥有IC器件晶圆进行背面减薄，（2）、在拥有IC器件晶圆的背面对应金属焊盘的位置制作TSV孔；（3）、在TSV孔内制作聚合物绝缘层，（4）、去除TSV孔底部的聚合物绝缘层，使TSV孔底部氧化物绝缘层暴露出来，（5）、采用湿法工艺刻蚀TSV孔底部暴露出来的氧化物绝缘层，使金属焊盘裸露，（6）采用金属连接线制作RDL，使RDL与TSV底部的金属焊盘连接，并进一步制作表面金属焊盘和微凸点，使表面金属焊盘和微凸点与RDL连接。

公开(公告)号：CN103280427B

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201310233922.2

申请日：2013-06-13

申请人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

发明人： 戴风伟 ,  于大全

IPC分类号： H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76898

摘要： 本发明公开了一种TSV正面端部互连工艺，包括：采用刻蚀工艺在基底上制备若干TSV孔；在TSV孔内壁及基底表面制备绝缘层；在TSV孔中及绝缘层表面电镀形成TSV导电柱；CMP工艺，去除包括TSV导电柱在内的一定厚度的硅基底；对TSV导电柱进行退火，使TSV导电柱凸出于基底之上一定高度；在基底及TSV导电柱表面制备钝化层；去除部分钝化层，使TSV导电柱顶部暴露出钝化层；制备TSV导电柱的金属互连结构。本发明通过减小或去除了TSV端部拐角处的应力集中区，降低由于应力而产生绝缘层与基底之间分层或裂纹的可能性；同时利用电镀TSV导电柱并进行退火处理后，TSV导电柱会凸出这一现有工艺的缺陷，实现TSV导电柱与再分布层金属的互连。

公开(公告)号：CN103367185B

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201310317189.2

申请日：2013-07-25

申请人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

发明人： 戴风伟 ,  曹立强 ,  周静

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L2224/11

摘要： 本发明揭示了一种用于微电子封装中的碳纳米管柔性凸点的制作方法。本发明中碳纳米管柔性凸点的制作方法是通过低温转移的方式把生长在其它基底上的碳纳米管束经过致密化处理后移植到半导体基底上制作成柔性微凸点。由于碳纳米管束具有一定的弹性和柔韧性，因此，利用碳纳米管束制作微凸点可以一定程度上缓解互连中热应力引起的失效问题。同时由于碳纳米管具有优秀的电学性能，如超高的电导率和超过109A/cm2的电流密度，因此，利用碳纳米管作为微凸点不但具有良好的电传输性能，而且还可以解决金属凸点的电迁移问题。本发明具有操作简单，兼容半导体工艺。