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公开(公告)号：CN112259681B
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN201910659402.5
申请日：2019-07-22
申请人： 华邦电子股份有限公司
摘要： 本发明提供一种电阻式随机存取存储器结构及其制造方法。此电阻式随机存取存储器结构包括依序形成于基板上的底电极层、电阻转态层及注入控制层。电阻转态层包括导电丝局限区及围绕导电丝局限区的外围区。此电阻式随机存取存储器结构包括保护层及顶电极层。保护层共形地覆盖底电极层、电阻转态层及注入控制层，且具有一开口。顶电极层位于注入控制层上，且顶电极层的一部分填入开口中。顶电极层的位置对应于导电丝局限区的位置，且顶电极层的顶表面高于保护层的顶表面。
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公开(公告)号：CN111769132B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN201910261072.4
申请日：2019-04-02
申请人： 华邦电子股份有限公司
IPC分类号： H10B63/00
摘要： 一种电阻式随机存取存储器结构，包含半导体衬底、晶体管、底电极、多个顶电极、以及电阻转换层。晶体管设置于半导体衬底之上。底电极设置于半导体衬底之上且与晶体管的漏极区电性连接。这些顶电极沿着底电极的侧壁设置。电阻转换层设置于这些顶电极与底电极之间。其中，电阻式随机存取存储器结构包含沿着底电极的侧壁设置的多个顶电极，以实现1TnR结构(其中n等于或大于4)，使得电阻式随机存取存储器结构的单位面积的储存容量得以提升。
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公开(公告)号：CN106876583B
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN201610120845.3
申请日：2016-03-03
申请人： 华邦电子股份有限公司
IPC分类号： H01L45/00
摘要： 本发明提供一种电阻式随机存取存储器，包括下部电极、上部电极、可变电阻层、氧交换层以及侧壁保护层。下部电极设置于基底上。上部电极设置于下部电极上。可变电阻层设置于下部电极与上部电极之间。氧交换层设置于可变电阻层与上部电极之间。侧壁保护层，其为氧供应层，至少设置于氧交换层的侧壁。本发明提供的电阻式随机存取存储器，能够增进存储器元件的高温数据保持特性以及耐久性，并且能够增加存储器元件的产率以及稳定度。
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公开(公告)号：CN111681694A
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：CN201910178936.6
申请日：2019-03-11
申请人： 华邦电子股份有限公司
IPC分类号： G11C13/00
摘要： 本发明提供了一种电阻式存储器电路，包括第一电阻式存储器单元、第二电阻式存储器单元、第一晶体管以及第二晶体管。第一电阻式存储器单元耦接于第一位线以及第一节点之间。第二电阻式存储器单元耦接于第二位线以及第一节点之间。第一晶体管包括第一栅极端、第一漏极端以及第一源极端，第一栅极端耦接至第一字元线，第一漏极端耦接至第一节点，第一源极端耦接至第一源极线。第二晶体管包括第二栅极端、第二漏极端以及第二源极端，第二栅极端耦接至第一字元线，第二漏极端耦接至第一节点，第二源极端耦接至第二源极线。
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公开(公告)号：CN111463169A
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN201911188011.6
申请日：2019-11-28
申请人： 华邦电子股份有限公司
IPC分类号： H01L21/768
摘要： 本发明提出一种半导体装置的制造方法，其包含在衬底上方形成第一介电层和穿过第一介电层的通孔；在通孔中形成多个虚设接触件；在虚设接触件上形成多个第一虚设导线；在上述第一虚设导线之间填入第二介电层，其中第二介电层具有第一气隙；移除虚设接触件和第一虚设导线以露出通孔并藉此于通孔上方形成第一导线沟槽；以及在通孔和第一导线沟槽中形成导孔和第一导线。本发明可以提升半导体装置的可靠度，同时降低成本并提升半导体装置的良品率。
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公开(公告)号：CN104576926A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201310512266.X
申请日：2013-10-25
申请人： 华邦电子股份有限公司
IPC分类号： H01L45/00
摘要： 本发明提供一种电阻式存储器及其制造方法，该制造方法包括：提供一基底；形成一介电层于基底之上；形成一停止层于介电层上；形成一开口穿过停止层与介电层；形成一底电极于开口之中，其中底电极与停止层共平面；沉积一介电层于底电极与停止层之上；沉积一顶电极材料于介电层上；以及图案化顶电极材料与介电层，以定义出一顶电极以及其下的一电极间介电层，其中顶电极具有一第二表面与底电极的一第一表面相对，且第二表面的面积大于第一表面的面积。通过本发明可有效解决电阻式随机存取存储器的操作电流-电压特性的变异问题。
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公开(公告)号：CN111463169B
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN201911188011.6
申请日：2019-11-28
申请人： 华邦电子股份有限公司
IPC分类号： H01L21/768
摘要： 本发明提出一种半导体装置的制造方法，其包含在衬底上方形成第一介电层和穿过第一介电层的通孔；在通孔中形成多个虚设接触件；在虚设接触件上形成多个第一虚设导线；在上述第一虚设导线之间填入第二介电层，其中第二介电层具有第一气隙；移除虚设接触件和第一虚设导线以露出通孔并藉此于通孔上方形成第一导线沟槽；以及在通孔和第一导线沟槽中形成导孔和第一导线。本发明可以提升半导体装置的可靠度，同时降低成本并提升半导体装置的良品率。
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公开(公告)号：CN111681694B
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN201910178936.6
申请日：2019-03-11
申请人： 华邦电子股份有限公司
IPC分类号： G11C13/00
摘要： 本发明提供了一种电阻式存储器电路，包括第一电阻式存储器单元、第二电阻式存储器单元、第一晶体管以及第二晶体管。第一电阻式存储器单元耦接于第一位线以及第一节点之间。第二电阻式存储器单元耦接于第二位线以及第一节点之间。第一晶体管包括第一栅极端、第一漏极端以及第一源极端，第一栅极端耦接至第一字元线，第一漏极端耦接至第一节点，第一源极端耦接至第一源极线。第二晶体管包括第二栅极端、第二漏极端以及第二源极端，第二栅极端耦接至第一字元线，第二漏极端耦接至第一节点，第二源极端耦接至第二源极线。
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