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公开(公告)号:CN108458994A
公开(公告)日:2018-08-28
申请号:CN201810260709.3
申请日:2018-03-27
Applicant: 南京信息工程大学
IPC: G01N21/552
Abstract: 本发明公开了一种基于石墨烯复合膜的双D型光纤传感器及其制作方法,包括纤芯、包层、金银复合膜和石墨烯层,纤芯的外表面包裹有包层,包层两侧面均设有D型凹槽,两个所述D型凹槽以纤芯为中心轴线相互对称,包层上的D型凹槽的内侧底壁为抛光面,抛光面上镀有一层金银复合膜,金银复合膜的表面敷设有石墨烯层;制作双D型光纤:去除单模光纤外表面的外保护层,清洗外保护层的碎屑,将单模光纤固定住,在单模光纤的包层两边的侧面均研磨出D型凹槽,保持研磨的包层的切面平滑;在两个D型凹槽内侧底壁的切面上溅射一层银薄膜,在银薄膜上溅射一层金薄膜;在金银复合膜上生长石墨烯;本发明具有成本低、体积小、使用寿命长、灵敏度高等优势。
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公开(公告)号:CN207964632U
公开(公告)日:2018-10-12
申请号:CN201820420685.9
申请日:2018-03-27
Applicant: 南京信息工程大学
IPC: G01N21/552
Abstract: 本实用新型公开了一种基于石墨烯复合膜的双D型光纤传感器,包括纤芯、包层、金银复合膜和石墨烯层,纤芯的外表面包裹有包层,包层两侧面均设有D型凹槽,两个所述D型凹槽以纤芯为中心轴线相互对称,包层上的D型凹槽的内侧底壁为抛光面,抛光面上镀有一层金银复合膜,金银复合膜的表面敷设有石墨烯层;本实用新型具有成本低、体积小、使用寿命长、灵敏度高等优势。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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