一种基于摄像头阵列的惯性测量装置及方法

    公开(公告)号:CN107044855A

    公开(公告)日:2017-08-15

    申请号:CN201710312142.5

    申请日:2017-05-05

    CPC classification number: G01C21/16

    Abstract: 本发明提供一种基于摄像头阵列的惯性测量装置及方法,该装置包括摄像头阵列单元,特征点生成单元,环境分析单元,运动分析单元。摄像头阵列单元用于实时采集环境图像,特征点生成单元分析图像以选取多组特征点用于构建特征点矩阵,环境分析单元通过分析各特征点分别在多个摄像头成像平面中的成像位置计算各特征点相对于摄像头阵列在环境中的实际位置。运动分析单元根据各特征点在不同时刻同一摄像头成像平面中的成像位置变化情况计算出整个装置的角速度、角加速度、线速度、线加速度、运动轨迹等,达到惯性测量的目的。

    基于距离矩阵的图像质量评价方法

    公开(公告)号:CN102760293A

    公开(公告)日:2012-10-31

    申请号:CN201210195313.8

    申请日:2012-06-14

    Abstract: 本发明公开了一种基于距离矩阵的图像质量评价方法,属于图像处理技术领域。本发明从图像自身信息出发,提出以距离图的方式反映图像中的像素和其周围像素之间的相关性:对于清晰的图像,由于存在的干扰少,像素灰度值与其邻域像素之间的相关性跟随图像的内容不同而不同,而存在大量干扰的图像,像素与其周围像素之间的距离会变得近,使得距离图像出现模糊;然后通过距离矩阵的方式提取图像距离图的特征,距离矩阵的散布范围及其位置即可反映图像的质量,进而可得到图像的质量参数。本发明还公开了一种图像融合装置,利用本发明的图像质量评价方法对融合图像的质量进行实时评价。本发明不需要标准图像,可有效的评价图像处理系统或成像装置的像质。

    基于巨压阻传感器的高灵敏度气体流量测量装置及方法

    公开(公告)号:CN106895886B

    公开(公告)日:2023-06-16

    申请号:CN201710239210.X

    申请日:2017-04-13

    Abstract: 本发明公开了一种基于巨压阻传感器的高灵敏度气体流量测量装置及方法,装置包括若干个环绕在管道外壁上的巨压阻传感器,巨压阻传感器包括自下至上叠放的玻璃基底层、硅底层和绝缘二氧化硅层,绝缘二氧化硅层四周设置有硅铝异质结,硅铝异质结包括自内而外依次嵌套的内层硅、中间层铝和外层硅,硅铝异质结的两端设置有金属边,金属边通过引线连接金属片,金属片通过其上引出的电极连接铝端子;本发明采用硅铝异质结在相同应力下产生更大的阻值变化,使得压阻系数与应变系数成倍的增加,提升了灵敏度,使得测量数据更加准确;巨压阻传感器以120°环绕安装在通过待测气体的管道上,可以测量管道不同位置的数据,得到真实的气体流量值。

    一种压电材料及磁电复合材料

    公开(公告)号:CN103113099B

    公开(公告)日:2015-04-29

    申请号:CN201310054480.5

    申请日:2013-02-20

    Inventor: 曹鸿霞

    Abstract: 本发明公开了一种压电材料,该压电材料为掺杂铬(Cr)元素的钛酸钡(BaTiO3)压电陶瓷;铬元素与钡元素的摩尔比为1.0~1.5:100。本发明还公开了一种磁电复合材料,该磁电复合材料是将掺杂铬元素的钛酸钡压电陶瓷压电材料极化后与磁致伸缩材料粘合制备。本发明制备的磁电复合材料是对环境无危害的环保型材料,且在高频环境下具有更强的磁电效应。

    基于巨压阻传感器的高灵敏度气体流量测量装置及方法

    公开(公告)号:CN106895886A

    公开(公告)日:2017-06-27

    申请号:CN201710239210.X

    申请日:2017-04-13

    CPC classification number: G01F1/56

    Abstract: 本发明公开了一种基于巨压阻传感器的高灵敏度气体流量测量装置及方法,装置包括若干个环绕在管道外壁上的巨压阻传感器,巨压阻传感器包括自下至上叠放的玻璃基底层、硅底层和绝缘二氧化硅层,绝缘二氧化硅层四周设置有硅铝异质结,硅铝异质结包括自内而外依次嵌套的内层硅、中间层铝和外层硅,硅铝异质结的两端设置有金属边,金属边通过引线连接金属片,金属片通过其上引出的电极连接铝端子;本发明采用硅铝异质结在相同应力下产生更大的阻值变化,使得压阻系数与应变系数成倍的增加,提升了灵敏度,使得测量数据更加准确;巨压阻传感器以120°环绕安装在通过待测气体的管道上,可以测量管道不同位置的数据,得到真实的气体流量值。

    一种同步移相横向剪切干涉仪及检测方法

    公开(公告)号:CN103033272B

    公开(公告)日:2014-11-19

    申请号:CN201210563816.6

    申请日:2012-12-21

    Abstract: 本发明公开了一种同步移相横向剪切干涉仪及检测方法,属于精密测量的技术领域。所述同步移相横向剪切干涉仪包括置于壳体内的光学元器件。包括两个在主光轴上依次同心设置且垂直于栅线的衍射光栅,平行于光栅设置的空间滤波器,与空间滤波器呈四十五度夹角设置的分束镜,镜像分布在分束镜两侧的剪切板组,与衍射光垂直的CCD图像传感器。所述同步移相横向剪切干涉仪的检测方法通过调节两个剪切板之间的夹角与距离实现同步移相。本发明通过调节剪切板之间的距离和夹角来避免复杂机械运动,同时达到移相效果;在同一采集图像上可同步获取多幅一维移相剪切干涉图,可在后续的算法中消除外界环境对每幅干涉图的影响,大大降低对环境的要求;操作简单。

    一种同步移相横向剪切干涉仪及检测方法

    公开(公告)号:CN103033272A

    公开(公告)日:2013-04-10

    申请号:CN201210563816.6

    申请日:2012-12-21

    Abstract: 本发明公开了一种同步移相横向剪切干涉仪及检测方法,属于精密测量的技术领域。所述同步移相横向剪切干涉仪包括置于壳体内的光学元器件。包括两个在主光轴上依次同心设置且垂直于栅线的衍射光栅,平行于光栅设置的空间滤波器,与空间滤波器呈四十五度夹角设置的分束镜,镜像分布在分束镜两侧的剪切板组,与衍射光垂直的CCD图像传感器。所述同步移相横向剪切干涉仪的检测方法通过调节两个剪切板之间的夹角与距离实现同步移相。本发明通过调节剪切板之间的距离和夹角来避免复杂机械运动,同时达到移相效果;在同一采集图像上可同步获取多幅一维移相剪切干涉图,可在后续的算法中消除外界环境对每幅干涉图的影响,大大降低对环境的要求;操作简单。

    基于石墨烯复合膜的双D型光纤传感器及其制作方法

    公开(公告)号:CN108458994A

    公开(公告)日:2018-08-28

    申请号:CN201810260709.3

    申请日:2018-03-27

    Abstract: 本发明公开了一种基于石墨烯复合膜的双D型光纤传感器及其制作方法,包括纤芯、包层、金银复合膜和石墨烯层,纤芯的外表面包裹有包层,包层两侧面均设有D型凹槽,两个所述D型凹槽以纤芯为中心轴线相互对称,包层上的D型凹槽的内侧底壁为抛光面,抛光面上镀有一层金银复合膜,金银复合膜的表面敷设有石墨烯层;制作双D型光纤:去除单模光纤外表面的外保护层,清洗外保护层的碎屑,将单模光纤固定住,在单模光纤的包层两边的侧面均研磨出D型凹槽,保持研磨的包层的切面平滑;在两个D型凹槽内侧底壁的切面上溅射一层银薄膜,在银薄膜上溅射一层金薄膜;在金银复合膜上生长石墨烯;本发明具有成本低、体积小、使用寿命长、灵敏度高等优势。

    MEMS传感器
    9.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103743789B

    公开(公告)日:2016-03-23

    申请号:CN201410001233.3

    申请日:2014-01-03

    Abstract: 本发明公开了MEMS传感器,属于微机械传感器的技术领域。所述传感器包括三层单晶硅片制成的基板,第二空腔、第一通孔、第三空腔、第二通孔构成气体流通的唯一路径,在气体流通路径中最狭窄的部位布局测量电阻以及加热电阻,提高了微机械传感器的灵敏度。利用这种微机械传感器可测量降水粒子。

    基于距离矩阵的图像质量评价方法

    公开(公告)号:CN102760293B

    公开(公告)日:2014-09-10

    申请号:CN201210195313.8

    申请日:2012-06-14

    Abstract: 本发明公开了一种基于距离矩阵的图像质量评价方法,属于图像处理技术领域。本发明从图像自身信息出发,提出以距离图的方式反映图像中的像素和其周围像素之间的相关性:对于清晰的图像,由于存在的干扰少,像素灰度值与其邻域像素之间的相关性跟随图像的内容不同而不同,而存在大量干扰的图像,像素与其周围像素之间的距离会变得近,使得距离图像出现模糊;然后通过距离矩阵的方式提取图像距离图的特征,距离矩阵的散布范围及其位置即可反映图像的质量,进而可得到图像的质量参数。本发明还公开了一种图像融合装置,利用本发明的图像质量评价方法对融合图像的质量进行实时评价。本发明不需要标准图像,可有效的评价图像处理系统或成像装置的像质。

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