一种基于宽禁带材料的垂直结构真空沟道晶体管及其制备方法

    公开(公告)号:CN117238738B

    公开(公告)日:2024-02-20

    申请号:CN202311502089.7

    申请日:2023-11-13

    摘要: 本发明公开了一种基于宽禁带材料的垂直结构真空沟道晶体管及其制备方法,所述晶体管包括:衬底、第一电极、第一介质层、第二电极、栅阻挡介质、第二介质层、第三电极和若干个沟道;依次从下至上设置包括衬底、第一电极、第一介质层、第二电极、栅阻挡介质、第二介质层、第三电极;本发明可以使晶体管在尺寸上压缩的更小,真空纳米沟道的尺度小于电子在空气中的平均自由程,使得载流子在沟道内部的输运满足场致电子发射或隧穿的形式,具有高响应速度、高截止频率;沟道向内凹,降低电子与介质层的碰撞,提高器件稳定性。

    一种基于宽禁带材料的垂直结构真空沟道晶体管及其制备方法

    公开(公告)号:CN117238738A

    公开(公告)日:2023-12-15

    申请号:CN202311502089.7

    申请日:2023-11-13

    摘要: 本发明公开了一种基于宽禁带材料的垂直结构真空沟道晶体管及其制备方法,所述晶体管包括:衬底、第一电极、第一介质层、第二电极、栅阻挡介质、第二介质层、第三电极和若干个沟道;依次从下至上设置包括衬底、第一电极、第一介质层、第二电极、栅阻挡介质、第二介质层、第三电极;本发明可以使晶体管在尺寸上压缩的更小,真空纳米沟道的尺度小于电子在空气中的平均自由程,使得载流子在沟道内部的输运满足场致电子发射或隧穿的形式,具有高响应速度、高截止频率;沟道向内凹,降低电子与介质层的碰撞,提高器件稳定性。

    一种垂直结构的钙钛矿基纳米空气沟道晶体管及制备方法

    公开(公告)号:CN117059458A

    公开(公告)日:2023-11-14

    申请号:CN202311002981.9

    申请日:2023-08-10

    IPC分类号: H01J21/10 H01J19/24 H01J9/00

    摘要: 本发明公开了一种垂直结构的钙钛矿基纳米空气沟道晶体管及制备方法,包括自下往上依次连接的第一绝缘层、发射极、中间层和收集极,中间层包括自下往上依次连接的第二绝缘层、第一栅极和第三绝缘层;中间层上设有通孔结构,以使得所述发射极、中间层和收集极之间形成一个真空沟道,且发射极上设置有钙钛矿纳米线。本发明使用了钙钛矿纳米线作为发射材料,可以有效提升发射电流密度,弥补现有场发射器件的劣势。此外,电子在真空沟道中运动,能够缓解甚至避免太空辐射带来的影响的,具有耐高温、抗辐照的特性。

    一种微焦点X射线发生器
    4.
    实用新型

    公开(公告)号:CN221043311U

    公开(公告)日:2024-05-28

    申请号:CN202321928253.6

    申请日:2023-07-21

    IPC分类号: H05G1/02

    摘要: 本实用新型公开了一种微焦点X射线发生器,包括防护套本体,所述防护套本体一端呈锥形收缩形成出光口,所述防护套本体内设有X射线发生器本体并在锥形收缩处设有锥形的折射镜片,所述X射线发生器本体和折射镜片轴向对接,在出光口处设有镜头,所述X射线发生器本体和折射镜片的底部均设有用于折射光线的弧形凹口,所述X射线发生器本体的顶部延伸至折射镜片的底部,且与折射镜片底部的弧形凹口相互贴合。本实用新型可以使X射线发生器本体产生光线后在弧形凹口的折射下,集中从中间部位射出,减小光线的散射,从而可以射向更远的距离。

    一种X射线管对接装置
    5.
    实用新型

    公开(公告)号:CN220821462U

    公开(公告)日:2024-04-19

    申请号:CN202321902212.X

    申请日:2023-07-19

    IPC分类号: H01J35/02 H01J35/16

    摘要: 本实用新型公开了一种X射线管对接装置,包括X射线管本体及对接管,所述X射线管本体在对接管所在的一侧开设有供其插入的导向槽,所述X射线管本体和对接管的外表面分别设有第一对接环和第二对接环,所述第一对接环外部转动连接有活动环,所述第二对接环外部转动连接有环形圈,所述环形圈的外表面开设有开口,所述开口的两侧内壁之间转动连接有连杆,所述活动环上开设卡口,所述连杆可转动至对接管的轴线方向,卡于卡口内。解决了现有的底座在对接发射头时,由于发射头卡合部位长短不一致,所以在卡合时很容易导致卡合不紧密,产生松动现象的技术问题。