公开(公告)号：CN106637103A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201610890808.0

申请日：2016-10-12

Applicant: 南京华东电子信息科技股份有限公司

Inventor： 朱成顺 ,  王艳昌

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/08

Abstract: 本发明公开了一种IGZO成膜设备的阳极稳定装置，包括设置在阳极周边的隔离组件，所述隔离组件具有供电子导出阳极的通道。本发明在IGZO成膜的阳极周边增设隔离组件，隔离组件能有效阻挡靶材分子溅射到阳极上，故阳极表面维持高电位，可有效快速的导出电子，整个空间电子分布更加均匀，降低电子聚集所带来的热效应，延长阳极使用寿命，维持阳极稳定，提高设备稼动率；同时隔离组件将阳极的底部全部遮盖，能够防止电子聚集在底部；此外，阳极通过隔离组件避免了IGZO绝缘膜沉积，整个阳极的电场均匀，不会造成因上下端膜层较薄所引起的中间电场弱两端电场强的问题，成膜速率稳定。

公开(公告)号：CN106637103B

公开(公告)日：2019-04-05

申请号：CN201610890808.0

申请日：2016-10-12

Applicant: 南京华东电子信息科技股份有限公司 ,  南京中电熊猫平板显示科技有限公司

Inventor： 朱成顺 ,  王艳昌 ,  翟云华 ,  沙双庆

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/08

Abstract: 本发明公开了一种IGZO成膜设备的阳极稳定装置，包括设置在阳极周边的隔离组件，所述隔离组件具有供电子导出阳极的通道。本发明在IGZO成膜的阳极周边增设隔离组件，隔离组件能有效阻挡靶材分子溅射到阳极上，故阳极表面维持高电位，可有效快速的导出电子，整个空间电子分布更加均匀，降低电子聚集所带来的热效应，延长阳极使用寿命，维持阳极稳定，提高设备稼动率；同时隔离组件将阳极的底部全部遮盖，能够防止电子聚集在底部；此外，阳极通过隔离组件避免了IGZO绝缘膜沉积，整个阳极的电场均匀，不会造成因上下端膜层较薄所引起的中间电场弱两端电场强的问题，成膜速率稳定。