公开(公告)号：CN117650110A

公开(公告)日：2024-03-05

申请号：CN202311510783.3

申请日：2023-11-14

申请人： 南京南瑞半导体有限公司 ,  国网浙江省电力有限公司杭州供电公司

发明人： 王蕤 ,  董志意 ,  张大华 ,  刘旭光 ,  吴靖 ,  史宇超

IPC分类号： H01L23/367 ,  H01L23/31 ,  H01L25/07 ,  H01L23/473

摘要： 本发明公开了一种增强散热的IGBT模块封装结构，包括若干个IGBT模块，每个IGBT模块包括IGBT基板，IGBT基板内设有微沟槽冷却部，IGBT模块封装结构还包括散热管和水泵，散热管设于IGBT基板下表面的凹槽内，散热管内流通冷却液；水泵数量大于0且不大于IGBT模块数量N。本发明在不增加模块基板厚度的条件下设置了微沟槽冷却部和液冷系统，有效降低了模块热阻；通过对多个IGBT模块微沟槽冷却部的单独控制，根据模块不同工作条件及散热条件调整基板散热器中通过冷却液的流量及温度，提升芯片的散热能力，保证模块安全稳定运行，提高整个装置的热安全性。

公开(公告)号：CN117851770A

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN202311681297.8

申请日：2023-12-08

申请人： 南京南瑞半导体有限公司 ,  国网浙江省电力有限公司杭州供电公司

发明人： 常飞浩 ,  刘旭光 ,  骆健 ,  童颜 ,  吴靖 ,  史宇超

IPC分类号： G06F18/20 ,  G06F18/213 ,  G06F18/27

摘要： 本发明公开了一种分析IGBT损耗和结温的方法及系统，涉及功率半导体器件技术领域，包括在包括IGBT和二极管的器件中，采集IGBT特征数据和二极管特征数据构建数据手册，从数据手册中提取IGBT和二极管的特性曲线参数并进行拟合；基于特性曲线参数拟合结果，计算器件的总损耗；对器件的热网络进行等效，构建IGBT和二极管等效热网络模型，并根据热网络模型分析器件最高结温。本发明所述方法通过提取IGBT和二极管的特性曲线参数，提高了器件损耗结温估计的精准度；通过基于特性曲线参数，计算器件的导通损耗和开断损耗，提高了系统整体效率和器件损耗结温估计的可靠性；通过构建IGBT和二极管等效热网络模型，有助于提高器件的稳定性和可靠性。

公开(公告)号：CN117728210A

公开(公告)日：2024-03-19

申请号：CN202311634890.7

申请日：2023-12-01

申请人： 南京南瑞半导体有限公司 ,  国网浙江省电力有限公司杭州供电公司

发明人： 姚二现 ,  常飞浩 ,  黄全全 ,  杨金龙 ,  赵仕林 ,  刘旭光 ,  史宇超 ,  吴靖

IPC分类号： H01R13/02 ,  H01R13/40

摘要： 本发明公开了一种插拔式端子，从上至下依次包括与电路板配合的引导段和插入段以及脚部焊接段，所述插入段设有梭形环，梭形环内壁设有用于增加其结构强度的加强肋；所述脚部焊接段底部为平面，整个脚部焊接段的重心在插拔式端子中轴线上。本发明还公开了一种功率模块。本发明在梭形环内侧增加两处加强肋，并经过局部冲压硬化处理，对抗插拔过程中的塑性变形，提高插入段插拔次数，提高端子的可靠性；其脚部采用对称弯曲设计，保证端子重心在端子竖直投影中心位置，稳定性好，避免端子在焊接过程中出现倾倒的不良现象。

公开(公告)号：CN118566682A

公开(公告)日：2024-08-30

申请号：CN202410806913.6

申请日：2024-06-21

申请人： 南京南瑞半导体有限公司 ,  华能(浙江)能源开发有限公司 ,  浙江苍华海上风电科技有限公司

发明人： 董志意 ,  沈正华 ,  段周朝 ,  王蕤 ,  刘旭光 ,  王春林 ,  陈屹扬 ,  林子文 ,  申旭辉 ,  汤海雁 ,  章卓雨 ,  段嘉誉

IPC分类号： G01R31/26 ,  G01K7/24

摘要： 本发明公开了一种芯片结温在线检测方法，在IGBT模块内设置热敏电阻，热敏电阻设于芯片的有源区，与芯片电连接，在不同工作温度环境下，采用四探针法得到热敏电阻值‑温度分布表；芯片通过键合线连接至上下半桥DBC板上，并连接到IGBT模块外壳的辅助端子上，然后实现热敏电阻与PCB板的电阻串联分压；其中，热敏电阻与芯片元胞表面和IGBT模块的终端区绝缘；通过采样电路获取热敏电阻的电阻值，数模转换后发送到校正模块，采用滞环比较法和查表法进行校正；得到芯片的瞬态结温和稳态结温。本发明的热敏电阻和芯片融为一体，热敏电阻的温度基本为芯片的结温，利用滞环控制法，对芯片的实际温度进行校正，最终实现IGBT模块的结温检测，测量误差小。

公开(公告)号：CN118969760A

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN202411019568.8

申请日：2024-07-29

申请人： 南京南瑞半导体有限公司

发明人： 王蕤 ,  董志意 ,  刘旭光 ,  张大华 ,  童颜

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L23/367

摘要： 本发明公开了一种双面散热半桥功率器件，包括上桥IGBT芯片、上桥FRD芯片、下桥IGBT芯片、下桥FRD芯片；所有上桥IGBT芯片的集电极与所有上桥FRD芯片的阴极分别通过第一连接层与第一上铜层连接；所有下桥IGBT芯片的发射极与所有下桥FRD芯片的阴极分别通过第二连接层与第二上铜层连接；所有上桥IGBT芯片的发射极与所有上桥FRD芯片的阳极分别通过一第一垫片连接至导流柱下表面，所有下桥IGBT芯片的集电极与所有下桥FRD芯片的阴极分别通过一第二垫片连接至导流上表面，实现上下桥的电气连接。本发明能够解决现有双面散热模块存在的电流密度无法进一步提升，以及各回路寄生电感不一致的问题。