公开(公告)号：CN115692538B

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202211400883.6

申请日：2022-11-09

Applicant: 南京大学

Inventor： 刘斌 ,  丁宇 ,  庄喆

IPC: H10F30/222 ,  H10F77/20 ,  H10F71/00

Abstract: 本发明公开了一种基于Mxene‑铝铟镓氮异质结的自驱动紫外光探测器及其制备方法，其衬底材料为蓝宝石基片上外延生长的AlInGaN半导体，探测器表面分别为金属电极、Mxene薄层和测试电极，其中Mxene与AlInGaN构成异质结。Mxene和AlInGaN的功函数差使得异质结界面处产生肖特基势垒，可在零偏压下分离光生电子/空穴对，输出光电流，即探测器具备自驱动功能。Mxene薄层具有良好的紫外透光性，能够扩大器件的感光面积，同时探测器的负极退火后与AlInGaN形成欧姆接触，可快速收集电子，提高探测器的工作效率。本发明还提供了Mxene‑AlInGaN异质结的激光剥离转移方法，可进一步制得柔性自驱动紫外光探测器。

公开(公告)号：CN115692538A

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202211400883.6

申请日：2022-11-09

Applicant: 南京大学

Inventor： 刘斌 ,  丁宇 ,  庄喆

IPC: H01L31/109 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种基于Mxene‑铝铟镓氮异质结的自驱动紫外光探测器及其制备方法，其衬底材料为蓝宝石基片上外延生长的AlInGaN半导体，探测器表面分别为金属电极、Mxene薄层和测试电极，其中Mxene与AlInGaN构成异质结。Mxene和AlInGaN的功函数差使得异质结界面处产生肖特基势垒，可在零偏压下分离光生电子/空穴对，输出光电流，即探测器具备自驱动功能。Mxene薄层具有良好的紫外透光性，能够扩大器件的感光面积，同时探测器的负极退火后与AlInGaN形成欧姆接触，可快速收集电子，提高探测器的工作效率。本发明还提供了Mxene‑AlInGaN异质结的激光剥离转移方法，可进一步制得柔性自驱动紫外光探测器。