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公开(公告)号：CN109860048A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201910141042.X
申请日：2019-02-26
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/335 , H01L29/778 , H01L21/28
Abstract: 本发明公开了一种基于I-V表征凹槽深度及凹槽表面损伤的槽栅结构的AlGaN/GaN增强型MOSFET器件的制备方法，刻蚀栅凹槽时测量源漏极之间的I-V特性，当I-V特性显示源漏极之间呈现高阻态时，停止刻蚀。并公开了制得的器件，以及源漏极之间的I-V测试在表征槽栅结构的AlGaN/GaN增强型MOSFET器件的栅凹槽深度以及表面损伤中的应用。本发明利用源漏极之间的I-V测试，结合低功率循环刻蚀的方法，能准确定位凹槽刻蚀深度，减少刻蚀损伤。同时I-V测试能表征表面处理工艺是否可以降低栅凹槽表面损伤。本发明采用源漏极之间的I-V测试来表征凹槽深度和表面处理工艺的优劣，成本低，难度小，节约时间和成本，加快实验进程。
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