公开(公告)号：CN118039363A

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202410272256.1

申请日：2024-03-11

Applicant: 南京大学

Inventor： 陶涛 ,  叶光恒 ,  何宏晖 ,  庄喆 ,  智婷 ,  刘斌

IPC: H01G9/20

Abstract: 本发明公开了一种利用极化电场的光电化学电池的光电阳极，在AlGaN/GaN异质结外延片上设置周期排列的圆柱金属电极。本发明提供的光电阳极结构，在AlGaN层与GaN层间有高浓度的二维电子气，受极化效应影响，A1GaN/GaN异质结由于导带不连续性在AIGaN/GaN界面处形成比较深的三角势阱，界面处的二维电子气被束缚在三角势阱中。在太阳光照射下产生光生电子空穴对，光生电子空穴对受极化电场作用分离，光生空穴向上移动，由周期排列的圆柱金属电极收集，加速光生空穴与电解液发生析氧反应；光生电子向下移动，汇入二维电子气，二维电子气通过金属电极通过外电路传导到铂对电极，与溶液发生析氢反应。

公开(公告)号：CN119433484A

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202411514815.1

申请日：2024-10-29

Applicant: 南京大学

Inventor： 陶涛 ,  何宏晖 ,  闫庆雨 ,  牛庆翔 ,  胡泽华 ,  窦蓉蓉 ,  谢自力 ,  庄喆 ,  智婷 ,  刘斌

IPC: C23C16/01 ,  G02B5/08 ,  C23C14/24 ,  C23C14/16 ,  C23C14/58 ,  C23C16/50 ,  C23C16/40 ,  C23C16/34 ,  H01S5/183

Abstract: 本发明公开了一种DBR反射镜的制备方法。该方法能够高效转移在金属薄膜上生长的DBR，并制备成低阈值激光器。具体而言，DBR在高温环中生长时，由于金属薄膜的热应力导致自剥离，利用胶带固定剥离的DBR，可以实现二次转移。本发明克服了传统转移技术的局限，利用生长DBR时的高温环境实现自剥离，使得工艺更加简单高效。本发明利用转移好的DBR制备的激光器可以获得更高的性能。