公开(公告)号：CN120018765A

公开(公告)日：2025-05-16

申请号：CN202510099978.6

申请日：2025-01-22

Applicant: 合肥国家实验室 ,  南京大学

Inventor： 孙国柱 ,  麻华世 ,  周顺宏 ,  李柄霖 ,  许问渠 ,  左权 ,  郭婷婷 ,  张凯旋 ,  俞铭远 ,  景凌啸 ,  曹春海 ,  吴培亨

IPC: H10N60/01 ,  H10N60/82 ,  H10N69/00

Abstract: 本发明公开了一种基于NbN膜的高集成度超导量子器件倒装芯片及其制备方法，芯片从下到上依次设置为：下层芯片包括下层衬底、第一超导薄膜，第一金属柱子，上层芯片包括上层衬底、第二超导薄膜和第二金属柱子，其中：第一超导薄膜上制作共面波导传输线、第一套刻对准标记，第二超导薄膜上制作谐振器、第二套刻对准标记；上层芯片和下层芯片之间采用倒装技术，通过将下层芯片的第一套刻对准标记与上层芯片的第二套刻对准标记一一对准，将第一金属柱子与第二金属柱子连接在一起，从而使上下层芯片实现电性连接。本发明有助于减小器件的占地面积和提高集成度。

公开(公告)号：CN117832166A

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN202311538767.5

申请日：2023-11-17

Applicant: 南京大学

Inventor： 孙国柱 ,  盛怡凡 ,  郭婷婷 ,  江俊良 ,  李子硕 ,  俞铭远 ,  吴培亨

IPC: H01L21/768

Abstract: 本发明公开了一种用于电路连接的多形貌三折空气桥的制作方法，在衬底上旋涂光刻胶；进行灰度曝光，桥墩部分曝光剂量最大，桥面上升部分曝光剂量按照预设曲线变化，桥面水平部分与空气桥外侧不进行曝光；曝光显影完成，镀上导电层后按照设计的保护层版图进行保护层曝光，保护层的版图可以根据需要设计成十字型，Y型等等，设计水平桥面和上升桥面的大小比例可以保证桥的结构的稳定，平行的桥面作为公用部分链接各个桥墩；曝光显影后利用刻蚀法去除不需要的导电材料：最后进行光刻胶的剥离达到需要的空气桥。本发明提高了空气桥版图设计的灵活性和实用性，使得空气桥的设计可以适配更多更复杂的电路结构。