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公开(公告)号:CN103078031A
公开(公告)日:2013-05-01
申请号:CN201310025873.3
申请日:2013-01-23
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明涉及纳米银圆环局域表面等离激元增强型发光二极管,同时还涉及其制备方法,属于纳米光电子器件材料技术领域。该二极管包括P型硅基底,P型硅基底上的纳米银圆环;沉积在纳米银圆环覆盖P型硅基底的掺氧a-SiNx:O薄膜发光有源层;掺氧a-SiNx:H发光有源层上蒸发金属电极,留出窗口。本发明使发光有源层和纳米金属圆环的有机结合,可以切实实现硅基局域表面等离激元增强的可控波长的发光二极管的制备。