-
公开(公告)号：CN103852951B
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201410055784.8
申请日：2014-02-19
Applicant: 南京大学
IPC: G02F1/355
Abstract: 利用纳米硅和二氧化硅界面态来提高非线性光学性能的方法，包括以下步骤；1）利用等离子体增强化学气相淀积技术在单晶硅衬底或者石英衬底制备非晶硅/二氧化硅交替的多层薄膜，非晶硅/二氧化硅的层数一般为4‑16层，通过控制非晶硅的生长时间及原位等离子氧化时间来控制非晶硅子层和二氧化硅子层的厚度；控制非晶硅子层和二氧化硅子层厚度，随后形成纳米硅量子点时获得尺寸和密度不同的材料；2）对非晶硅/二氧化硅多层薄膜进行热退火处理。本发明可以在较大范围增强非线性光学系数，还可以调控其非线性光学性能。
-
公开(公告)号：CN102315333B
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201110309884.5
申请日：2011-10-13
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/032 , H01L31/06 , C25D9/08 , C25D5/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 三元ZnSnS薄膜的制备方法，以玻璃、陶瓷或硅片镀有金属膜作为电极构成带电极的衬底材料、或采用ITO衬底，经清洗后在电解液中以脉冲电位法进行电沉积，电解液的温度为室温至45℃；电沉积过程：在阴极即工作电极上夹好带电极的衬底或ITO衬底浸入到电解液中，调节脉冲电位法的参数为，开启电位-1.0至-1.2V，开启时间10，沉积时的关断电位不是0V，而是设置为负关断电位-0.6V，关断时间10s；重复上述电沉积过程或增加相应的脉冲次数以获得需要的厚度；本发明的改进脉冲电沉积制备方法，一步获得相关薄膜，其设备和制备过程简单，可实现大面积制备，成本低。
-
公开(公告)号：CN101667619B
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN200910183439.1
申请日：2009-09-11
Applicant: 南京大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明涉及一种提高纳米硅/二氧化硅发光器件发光强度的方法，属于半导体发光器件技术领域。该方法的主要步骤为：以聚苯乙烯小球为掩模，对硅衬底表面进行等离子体刻蚀；在纳米硅衬底的硅锥结构表面淀积多层a-Si:H/SiO2薄膜；再放入退火炉内，先后完成脱氢退火、快速热退火和稳态高温退火，得到预定周期的nc-Si/SiO2薄膜。本发明的主要有益效果是：阵列式的硅锥粗糙表面增强了场发射效应，从而使得载流子的注入效率得以提高，并提高了器件的光提取效率，限制了器件的漏电流和功耗，不会影响薄膜质量，操作简单，工艺可靠，参数可精确调节，有很好的可控性与重复性。
-
公开(公告)号：CN101509123B
公开(公告)日：2010-09-08
申请号：CN200910024491.2
申请日：2009-02-24
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明涉及一种低温下制备小尺寸氧化铟锡纳米线材料的方法，属于光电子器件材料技术领域。其主要步骤为在电子束蒸发仪腔体中装入靶材和衬底，关闭电子束蒸发仪的腔体，将腔体内抽真空并烘烤腔体，调节电子束斑，使之打在ITO靶材表面，调节电子束束流，使靶材蒸发后在衬底上的沉积速率为0.2-0.5nm/s，待衬底上达到所需沉积厚度时，停止蒸发，冷却后完成制备。本发明利用常规电子束蒸发装置在较低温度下制备出小尺寸的ITO纳米线材料。所获得的纳米材料不仅具有优异的场发射性能和良好的减反射特性，而且均匀可控，成本低廉，可以实现大面积制备，不需要添加任何催化剂，因此可以在发光、显示和光伏产业中应用。
-
公开(公告)号：CN101667619A
公开(公告)日：2010-03-10
申请号：CN200910183439.1
申请日：2009-09-11
Applicant: 南京大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明涉及一种提高纳米硅/二氧化硅发光器件发光强度的方法，属于半导体发光器件技术领域。该方法的主要步骤为：以聚苯乙烯小球为掩模，对硅衬底表面进行等离子体刻蚀；在纳米硅衬底的硅锥结构表面淀积多层a-Si:H/SiO 2 薄膜；再放入退火炉内，先后完成脱氢退火、快速热退火和稳态高温退火，得到预定周期的nc-Si/SiO 2 薄膜。本发明的主要有益效果是：阵列式的硅锥粗糙表面增强了场发射效应，从而使得载流子的注入效率得以提高，并提高了器件的光提取效率，限制了器件的漏电流和功耗，不会影响薄膜质量，操作简单，工艺可靠，参数可精确调节，有很好的可控性与重复性。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100524579C
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200710020043.6
申请日：2007-02-09
Applicant: 南京大学
IPC: H01J1/304 , H01J9/02 , H01L21/205 , H01L21/324 , B82B1/00 , B82B3/00 , C30B29/00
Abstract: 本发明涉及一种半导体硅场电子发射材料，同时还涉及其制备方法，属于半导体材料技术领域。该材料包括沉积在衬底上的氢化非晶硅半导体薄膜，氢化非晶硅半导体薄膜的厚度在4-50纳米，氢化非晶硅半导体薄膜上镶嵌有均匀分布的硅晶粒，硅晶粒的粒径在1-10nm。制备时，经过在衬底上沉积氢化非晶硅半导体薄膜、准分子超短脉冲激光晶化等步骤。本发明通过晶化使得非晶硅半导体薄膜形成纳米尺度的硅晶粒，在薄膜表面形成纳米突起，从而具有低的场发射阈值电场和高的场增强因子。由于与超大规模集成电路工艺相匹配，又可以使用廉价的玻璃衬底，因此对于半导体硅材料在大面积平板场发射显示器件的应用具有重要意义。
-
公开(公告)号：CN100442438C
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：CN200610161307.5
申请日：2006-12-20
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/18 , H01L21/205 , H01L21/324
Abstract: 本发明涉及一种非晶碳膜半导体制备方法，属于非晶碳薄膜材料制备技术领域。该方法通过(1)在衬底上淀积氢化非晶碳(a-C:H)薄膜、(2)氢等离子体化学退火处理、(3)重复步骤(1)和(2)形成氢等离子体逐层化学退火处理的氢化非晶碳膜、(4)氮等离子体表面掺杂——通入氨气(NH3)各步骤，制成本发明的非晶碳膜半导体。本发明整个制备过程无需昂贵设备技术、操作简单、有利于大规模生产，几乎没有面积的限制，有很好的可控性与重复性，避免了湿法技术带来的表面污染等问题。
-
公开(公告)号：CN101114102A
公开(公告)日：2008-01-30
申请号：CN200710025127.9
申请日：2007-07-13
Applicant: 南京大学
Abstract: 硅基光子分子的设置方法，以气相共形薄膜生长制备的光子分子，在玻璃和硅衬底设有直径尺寸为0.5－5μm，高度为0.4－2μm的柱形平台，并以共形薄膜生长方法制备含两个或多个有源层为a－SiNz的三维限制微腔结构：即形成两个有源层的三维DBR限制结构的微腔；设有两个DBR位于两个有源层两侧微腔的谐振波长为λ，DBR包括4±10个周期的中低折射率层和高折射层的a－SiNx和a－SiNy薄膜，每个折射层厚度为λ/4n)；n是折射率，有源层是折射率在低折射率层和高折射层的折射率之间a－SiNz薄膜，厚度为λ/(2n)；两个有源层之间的距离为m个周期，DBR的厚度d＝m×L，m为0.5－9.5，L为一个周期高低折射率薄膜的厚度。
-
公开(公告)号：CN1387069A
公开(公告)日：2002-12-25
申请号：CN02137805.3
申请日：2002-06-20
Applicant: 南京大学
Abstract: 利用电沉积技术制备可调电子和光子带隙的三维半导体量子点光子晶体的方法:由胶体化学方法制备II－VI族半导体CdSe、CdS或ZnO等量子点,得到单分散性高的电子带隙可调的半导体量子点;用胶体化学方法,分别通过正硅酸乙酯水解和苯乙烯单体聚合制备尺寸在200－400纳米的溶胶SiO2和PS小球;通过自然沉积法,由溶胶SiO2和PS小球自组织晶化,沉积在ITO导电玻璃上制备成三维光子晶体模板;然后用电沉积法将半导体量子点填充入PS模板。本发明方法得到的CdSe等光子晶体的电子带隙可调,使其覆盖可见光范围,本发明材料在器件应用上有了更为广泛的空间。
-
公开(公告)号：CN102544180A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210026928.8
申请日：2012-02-08
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/065 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种硫系太阳能电池及其制作方法，硫系太阳能电池包括衬底、ITO、纳米结构层、纳米硅层和下电极；所述下电极设在纳米硅层上；所述纳米硅层设在纳米结构层上；所述纳米结构层设在ITO上；所述ITO设在衬底上；方法包括衬底的处理、透明导电层的生长、纳米结构层的制备、纳米硅层(Nano-Si)生长和蒸镀下电极步骤。基于ZnS、CdS、CdTe纳米晶或nano-Si和非晶硅薄膜组成的多结面硫系太阳能电池结构，对可见光的吸收极大增大，从而其光电转化效率较普通单层薄膜太阳电池高；可以通过改变生长条件控制纳米结构介质层中纳米晶或纳米线的尺寸及分布，从而达到调节纳米晶层的光学带隙宽度的目的；硫系太阳能电池制作方法与传统的半导体硅工艺相兼容。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
57
records
(took 0.022 seconds)
