公开(公告)号：CN103094434B

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201210492605.8

申请日：2012-11-27

Applicant: 南京大学

Inventor： 张荣 ,  智婷 ,  陶涛 ,  谢自力 ,  万图图 ,  叶展圻 ,  刘斌 ,  修向前 ,  李毅 ,  韩平 ,  施毅 ,  郑有炓

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/00

Abstract: ICP刻蚀GaN基多量子阱制备纳米阵列图形的方法，包括以下步骤：取一衬底，衬底的材料为硅、蓝宝石或氮化镓；在衬底依次外延生长GaN缓冲层，n型GaN层、InGaN/GaN量子阱层和P型GaN,形成初步的GaN基片；量子阱层整个厚度约50nm-200nm，周期数为2-10；在GaN基片上采用PVD进行蒸镀金属层；对蒸镀生长金属层的基片进行高温退火；利用ICP刻蚀工艺，刻蚀GaN基片直至n型GaN层或部分n型GaN层；形成InGaN/GaN纳米柱。

公开(公告)号：CN103094434A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201210492605.8

申请日：2012-11-27

Applicant: 南京大学

Inventor： 张荣 ,  智婷 ,  陶涛 ,  谢自力 ,  万图图 ,  叶展圻 ,  刘斌 ,  修向前 ,  李毅 ,  韩平 ,  施毅 ,  郑有炓

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/00

Abstract: ICP刻蚀GaN基多量子阱制备纳米阵列图形的方法，包括以下步骤：取一衬底，衬底的材料为硅、蓝宝石或氮化镓；在衬底依次外延生长GaN缓冲层，n型GaN层、InGaN/GaN量子阱层和P型GaN,形成初步的GaN基片；量子阱层整个厚度约50nm-200nm，周期数为2-10；在GaN基片上采用PVD进行蒸镀金属层；对蒸镀生长金属层的基片进行高温退火；利用ICP刻蚀工艺，刻蚀GaN基片直至n型GaN层或部分n型GaN层；形成InGaN/GaN纳米柱。