公开(公告)号：CN108878469A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201810725971.0

申请日：2018-07-04

Applicant: 南京大学

Inventor： 刘斌 ,  岑旭 ,  赵毅峰 ,  张荣 ,  陶涛 ,  谢自力 ,  周玉刚 ,  陈敦军 ,  韩平 ,  施毅 ,  郑有炓

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/32 ,  H01L33/06 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明公开了一种基于III族氮化物半导体/量子点的混合型RGB微米孔LED阵列器件，设有贯穿p型GaN层、量子阱有源层，深至n型GaN层的相互隔离的阵列式正方形台面结构，正方形台面上刻蚀形成微米孔；所述正方形台面结构每2*2个构成一个RGB像素单元，每个RGB像素单元的四个微米孔中，一个填充有红光量子点，另一个填充有绿光量子点。并公开其制备方法。本发明的微米孔LED阵列器件，反向漏电流低至10‑10A量级，并通过喷墨打印技术将II‑VI族核壳结构CdSe/ZnS的红光量子点、绿光量子点填充至微米孔内，红光量子点经蓝光Micro‑LED激发发红光，绿光量子点经蓝光Micro‑LED激发发绿光，实现了每个RGB像素单元的三色显示。

公开(公告)号：CN108878469B

公开(公告)日：2020-06-09

申请号：CN201810725971.0

申请日：2018-07-04

Applicant: 南京大学

Inventor： 刘斌 ,  岑旭 ,  赵毅峰 ,  张荣 ,  陶涛 ,  谢自力 ,  周玉刚 ,  陈敦军 ,  韩平 ,  施毅 ,  郑有炓

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/32 ,  H01L33/06 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明公开了一种基于III族氮化物半导体/量子点的混合型RGB微米孔LED阵列器件，设有贯穿p型GaN层、量子阱有源层，深至n型GaN层的相互隔离的阵列式正方形台面结构，正方形台面上刻蚀形成微米孔；所述正方形台面结构每2*2个构成一个RGB像素单元，每个RGB像素单元的四个微米孔中，一个填充有红光量子点，另一个填充有绿光量子点。并公开其制备方法。本发明的微米孔LED阵列器件，反向漏电流低至10‑10A量级，并通过喷墨打印技术将II‑VI族核壳结构CdSe/ZnS的红光量子点、绿光量子点填充至微米孔内，红光量子点经蓝光Micro‑LED激发发红光，绿光量子点经蓝光Micro‑LED激发发绿光，实现了每个RGB像素单元的三色显示。