公开(公告)号：CN119277863A

公开(公告)日：2025-01-07

申请号：CN202411354665.2

申请日：2024-09-27

Applicant: 南京大学

Inventor： 陶涛 ,  杨凯越 ,  徐家兴 ,  窦蓉蓉 ,  牛庆翔 ,  严羽 ,  庄喆 ,  刘斌

IPC: H10H20/813 ,  H10H20/812

Abstract: 本发明公开了一种非直流驱动的LED外延片结构，包括由多个PN结单元堆叠的周期性结构，每一个PN结单元包括P型GaN层、多量子阱层、N型GaN层，两个相邻的PN结单元之间还设有一多量子阱层。本发明的LED外延片采用了多重串联的结构方式，包括多个多重串联的PN结，构成多个发光区域。在交流电驱动的条件下，每一个PN结交替正向导通发光和反向击穿，从而在施加正向电压和反向电压时均可以导通，提高发光效率，延长LED的使用寿命。本发明用于解决现有技术中采用交流驱动时发光效率过低，在反向击穿过程中不发光使得功率损耗较大的问题，同时设置了多个量子阱的发光区域，可以设置不同的发光波长，使得LED的发光波长具有更多选择。