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公开(公告)号：CN120035346A
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202510201197.3
申请日：2025-02-24
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种多色堆叠的钙钛矿/GaN叠层器件，其包括自下而上设置的如下结构：n型GaN层、多量子阱层、p型GaN层、ITO层、空穴传输层、钙钛矿层、电子传输层，在n型GaN层上设有阴极，在电子传输层上设有阴极。本发明提供了一种多色堆叠的钙钛矿/GaN叠层器件的制备方法，此Pe‑GaN串联LED可由两个独立电源驱动，相应地，该装置的亮度和颜色能够实现独立控制。通过对两层器件发光进行独立设计与控制，操作简单可控，避免了巨量转移技术，有利于实现低成本的新型全彩显示。
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公开(公告)号：CN117778973A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311735719.5
申请日：2023-12-18
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明涉及一种多温区卷绕式磁控溅射镀膜机，包括线性磁控溅射靶(4)、卷料盒(7)、多温区衬底温控装置(8)，衬底材料通过所述卷料盒(7)在磁控溅射镀膜机内传输。磁控溅射镀膜机腔体内设有若干个衬底温控装置(8)，通过设置多温区衬底温控装置(8)的温度，可以实现衬底在不同区域的温度控制，进而实现多温区薄膜生长的有效控制；本发明能够在卷绕式磁控溅射镀膜机中实现多温区的控制，从而实现每层温度单独精确可控的多层膜电子材料的连续生长，提高溅射镀膜的多样性与可控性，有效提高电子材料与器件的性能和生产效率。
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公开(公告)号：CN117637270A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311684313.9
申请日：2023-12-11
Applicant: 南京大学
IPC: H01C17/075 , H01C7/00
Abstract: 本发明涉及一种氮化钽埋嵌式薄膜电阻晶相调控及制备方法，该埋嵌式薄膜电阻材料为氮化钽，通过磁控溅射技术在硅衬底上以纯钽靶，氮气与氩气的混合气进行溅射得到氮化钽薄膜，对溅射过程中的晶相加以调控，经实验表明，为获得接近0的TCR值可选取氮分压为5％，气体流量60sccm的溅射条件，此时晶相以Ta4N为主，为获得较大方阻值，可选取氮分压为20％，气体流量为40sccm的溅射条件，此时晶相以TaN为主。该方案通过调控晶相调控方阻与电性能稳定性，其温度电阻系数小、阻值可调范围大(从导体到绝缘体可调)，应用前景广泛。
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公开(公告)号：CN116723756A
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202310472494.2
申请日：2023-04-27
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明涉及一种二维硒化钨‑氧化铝突触器件，自下而上依次设置为衬底层、氧化物层、硒化钨纳米片和电极层，其中电极层包括分别设置在硒化钨纳米片两端的源电极和漏电极，该技术方案提供的突触器件不仅具有良好的电响应行为，还表现出良好的持续导电现象，能够有效实现双脉冲易化、短时程可塑性、长时程可塑性和高通滤波等突触行为，有望在神经形态器件和电响应储存设备上应用。
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公开(公告)号：CN109728157A
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201811531677.2
申请日：2018-12-14
Applicant: 南京大学 , 浙江驰拓科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种半金属外延磁隧道结的生长方法，包括：采用MBE技术在GaAs衬底上外延生长Co2FeAl层、MgO层、Co2FeAl层形成半金属磁性隧道结构，且生长过程中Co、Fe、Al均由热蒸发束源炉进行蒸发，通过分别控制三个热蒸发束源炉的蒸发温度来控制三种元素的沉积速率；在生长前对GaAs衬底进行退火，在生长每层Co2FeAl层后对其进行退火，在生长Mg层后向MBE腔体内通入氧气，使其氧化为MgO薄膜，最后生长3nm的Al层进行覆盖。本发明利用MBE技术对束流的精确控制实现合金薄膜组分的调制，利用RHEED和原位热处理使得样品表面平整并形成单晶结构，从而得到高质量的半金属外延磁隧道结。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114221203B
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202111160845.3
申请日：2021-09-30
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种输出长时间稳定的极紫外脉冲光源装置，包括高功率飞秒激光器、差分气体作用装置和激光阻断装置；其中，高功率飞秒激光器发出飞秒级别的超短脉冲激光，经过平面反射镜和激光聚焦镜，聚焦于差分气体作用装置内；反应气体经过压力控制后连续注入到长度可调的气体盒子内并与激光相互作用产生高次谐波，辐射出EUV光；气体盒子被安装在差分腔室中，与外真空腔形成差分，有效维持了真空腔内的真空度；反应产生的EUV光和未转换的入射激光进入激光阻断装置，入射激光被衰减阻断，得到纯净的EUV光。
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公开(公告)号：CN116234419A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310513606.4
申请日：2023-05-09
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开一种自旋轨道矩器件的制备方法，通过磁控溅射手段，通以氩气、氧气混合气体溅射高纯金属靶材，形成金属氧化物绝缘插层、强自旋轨道耦合层、铁磁性垂直自由层及非磁性氧化物层，并通过光刻、离子束刻蚀、套刻、去胶、光电子束蒸发镀膜等微纳加工工艺，通过电学输运测试及XPS刻蚀深度测量得到，底层绝缘氧化物的氧原子扩散影响重金属层及重金属/铁磁层界面，从而显著降低临界翻转电流及开关辅助磁场大小，临界翻转电流密度低至4×106A/cm2。类阻尼转矩和类场转矩这两种类型的自旋轨道转矩都明显增强，分别增至9.18Oe/mA和20.18Oe/mA，相比于无底层氧化层结构提高了85%。
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公开(公告)号：CN115231616A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210847399.1
申请日：2022-07-19
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种无掩膜制备二硫化钼微孔图案的方法，其步骤包括：(1)、将二硫化钼膜转移到衬底上，所述衬底上已经制备好待转移的周期性图案；(2)、常压、空气氛围中升温，达到指定温度后，通入惰性气体保温一段时间，得到上有与衬底图案相对应的周期性图案的二硫化钼膜。本发明方法操作简单，设备要求低，而且能减小多余杂质引入。
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公开(公告)号：CN114509924A
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202210167231.6
申请日：2022-02-23
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种激光等离子体方式的极紫外光源发生及表征装置，包含高功率纳秒激光器、极紫外光源发生器、掠入射平场光谱仪、极紫外能量探测器和离子碎屑探测器；其中，高功率纳秒激光器发出高能量短脉冲激光，短脉冲激光经过平面反射镜和真空窗片进入极紫外光源发生器，随后短脉冲激光在发生器真空腔内被透镜聚焦并打到靶材上；靶材在短脉冲激光的作用下被加热、蒸发和电离，最终形成高温致密的等离子体，等离子体持续吸收激光能量并向外辐射极紫外光；掠入射平场光谱仪和极紫外能量探测器都与极紫外光源发生器输出窗口相连，分别实现对光源光谱的探测和对光源带内功率的定量测量。
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公开(公告)号：CN109728157B
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN201811531677.2
申请日：2018-12-14
Applicant: 南京大学 , 浙江驰拓科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种半金属外延磁隧道结的生长方法，包括：采用MBE技术在GaAs衬底上外延生长Co2FeAl层、MgO层、Co2FeAl层形成半金属磁性隧道结构，且生长过程中Co、Fe、Al均由热蒸发束源炉进行蒸发，通过分别控制三个热蒸发束源炉的蒸发温度来控制三种元素的沉积速率；在生长前对GaAs衬底进行退火，在生长每层Co2FeAl层后对其进行退火，在生长Mg层后向MBE腔体内通入氧气，使其氧化为MgO薄膜，最后生长3nm的Al层进行覆盖。本发明利用MBE技术对束流的精确控制实现合金薄膜组分的调制，利用RHEED和原位热处理使得样品表面平整并形成单晶结构，从而得到高质量的半金属外延磁隧道结。
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