-
公开(公告)号：CN119602083A
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202411521076.9
申请日：2024-10-29
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种单金属波导GaN基太赫兹量子级联激光器，其特征在于其结构最底层为衬底，其上依次设置有n型高掺杂的n++层、QCL有源区、n型掺杂层，在n型高掺杂的n++层上设有阴极电极层，在n型掺杂层上设有阳极电极层，其中所述衬底为GaN衬底、AlN衬底或SiC衬底。还公开了其制备方法。本发明基于对THz频率下GaN的折射率相关参数系统研究的基础上，分析了单金属波导结构参数对QCL光场限制因子和自由载流子吸收，设计了不同衬底的高光场限制因子低损耗的QCL。此外，本发明设计的有源区结构，在10K时增益高达88/cm，在280K时高达34/cm，且对应的波长为6.6THz，实现了传统GaAs体系无法做到的频率。
Search Results
1
records
(took 0.014 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
