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公开(公告)号:CN118068155A
公开(公告)日:2024-05-24
申请号:CN202410495622.X
申请日:2024-04-24
Applicant: 南京大学
IPC: G01R31/26 , G01R31/265
Abstract: 本发明提供了一种多参量宽禁带半导体缺陷测试方法、装置及系统,包括激光激励器和实验台;所述实验台包括探针台和用于放置探针台的低温台;所述低温台与温控仪电连接;所述探针台上放置有待测产品,所述待测产品和所述激光激励器之间设置有斩波器;所述探针台电连接有电流放大器、用于在待测产品正负极施加偏置电压并测量电流具体数值的电学源表、监测产品电流波形与频率的示波器、对电流信号进行实时监测和控制的PC控制端。