公开(公告)号：CN113224212A

公开(公告)日：2021-08-06

申请号：CN202110520622.7

申请日：2021-05-13

Applicant: 南京大学

Inventor： 刘斌 ,  施根俊 ,  陶涛 ,  张荣

IPC: H01L33/08 ,  H01L33/06 ,  H01L33/20 ,  H01L33/46 ,  H01L33/44 ,  H01L33/04 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明公开了一种多色堆叠台阶式背出光Micro‑LED显示器件，其结构包括：一蓝光LED外延片；若干组发出不同颜色光的InGaN多量子阱结构；在每个多量子阱上下均形成p‑n结；所述Micro‑LED显示器件刻蚀成台阶结构，每级台阶发出不同颜色的光，在每级台阶上形成n/p型GaN电极接触层，使得上下相邻两组多量子阱共用一个n/p型GaN电极接触层，并键合驱动电路，使得驱动电路实现对每级台阶的单独控制。本发明选择在MOCVD生长的蓝光LED外延片上用MBE二次外延绿光和红光多量子阱结构，可以在不破坏已有蓝光LED结构的情况下，实现RGB三色发光。MBE生长的p型层也不需要高温退火激活处理。

公开(公告)号：CN113224212B

公开(公告)日：2022-10-18

申请号：CN202110520622.7

申请日：2021-05-13

Applicant: 南京大学

Inventor： 刘斌 ,  施根俊 ,  陶涛 ,  张荣

IPC: H01L33/08 ,  H01L33/06 ,  H01L33/20 ,  H01L33/46 ,  H01L33/44 ,  H01L33/04 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明公开了一种多色堆叠台阶式背出光Micro‑LED显示器件，其结构包括：一蓝光LED外延片；若干组发出不同颜色光的InGaN多量子阱结构；在每个多量子阱上下均形成p‑n结；所述Micro‑LED显示器件刻蚀成台阶结构，每级台阶发出不同颜色的光，在每级台阶上形成n/p型GaN电极接触层，使得上下相邻两组多量子阱共用一个n/p型GaN电极接触层，并键合驱动电路，使得驱动电路实现对每级台阶的单独控制。本发明选择在MOCVD生长的蓝光LED外延片上用MBE二次外延绿光和红光多量子阱结构，可以在不破坏已有蓝光LED结构的情况下，实现RGB三色发光。MBE生长的p型层也不需要高温退火激活处理。