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公开(公告)号：CN1761080A
公开(公告)日：2006-04-19
申请号：CN200510094747.9
申请日：2005-10-13
Applicant: 南京大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种m面InGaN/GaN量子阱LED器件结构的生长方法，利用MOCVD在(100)铝酸锂衬底上合成生长GaN薄膜材料以及InGaN/GaN量子阱LED器件结构，在MOCVD系统中对生长的(100)铝酸锂衬底在500－1050℃温度下进行材料热处理，在一定500－1050℃温度范围通入载气N2，氨气以及金属有机源，在(100)铝酸锂衬底上合成生长m面的GaN材料，再在该GaN材料上以500－1050℃生长N型层M面GaN，以及分别以700－900℃和600－800℃生长层厚分别为15－20nm和5－15nm的5－10个周期的m面GaN/m面InGaN量子阱结构，最后生长一层m面P型层GaN。
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公开(公告)号：CN1477142A
公开(公告)日：2004-02-25
申请号：CN03131504.6
申请日：2003-05-20
Applicant: 南京大学
Abstract: 高聚合度和超高聚合度聚氯乙烯解缠结母料的制备方法，属聚氯乙烯加工工艺领域，将高聚合度或超高聚合度聚氯乙烯按2－10wt％溶于中分子溶剂邻苯二甲酸二(2－乙基己)酯(DOP)中，加热、搅拌、溶解至透明，自然冷却至室温，溶液可以直接用于各种配方，或者将溶液用乙醇(或甲醇)洗涤、过滤、干燥，得到解缠结的高聚合度或超高聚合度聚氯乙烯母料，解缠结的高聚合度和超高聚合度聚氯乙烯母料的加工流动性大大提高，同时，其它物理机械性能不变。
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公开(公告)号：CN100378255C
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：CN200510094184.3
申请日：2005-09-01
Applicant: 南京大学
IPC: C30B25/02 , C30B29/40 , H01L21/205
Abstract: 一种a面和m面 GaN 薄膜材料的控制生长方法，在MOCVD系统中用铝酸锂做衬底生长a面或m面的 GaN 材料，在MOCVD系统中对生长的(302)和(100)铝酸锂衬底在500-1050℃温度下进行材料热处理，时间为10-60分钟，或然后通入氨气进行表面氮化，时间为10-60分钟；然后在500-1050℃温度范围通入载气 H2和或 N2， NH3气以及金属有机镓源，金属有机镓源流量为1-50sccm； NH3气500-7000sccm； N 与 Ga 之摩尔比为500-3000，在(302)或(100)铝酸锂衬底上合成生长a面或m面的 GaN 材料，生长温度500-1050℃温度下，时间为10-60分钟。本发明 GaN 薄膜具有更好的应用价值，且薄膜厚度可以控制。
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公开(公告)号：CN1811018A
公开(公告)日：2006-08-02
申请号：CN200510123107.6
申请日：2005-12-15
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种生长高结晶氮化铟单晶外延膜的方法，在蓝宝石衬底上利用MOCVD系统先生长GaN缓冲层，在500－700℃温度范围生长厚度在20－100nm的低温GaN缓冲层；然后利用MOCVD生长高结晶的InN材料。GaN缓冲层生长后对此缓冲层进行900－1100℃的高温退火；再利用MOCVD生长高结晶的InN材料。本发明实现了在蓝宝石衬底上利用低温GaN做缓冲层在MOCVD系统中生长一种新型材料InN的方法。尤其是设计先生长缓冲层，然后生长高质量高结晶的InN材料。面积尺寸可以达到工业生产使用的尺寸。
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公开(公告)号：CN1758456A
公开(公告)日：2006-04-12
申请号：CN200510094880.4
申请日：2005-10-18
Applicant: 南京大学
Abstract: 在β－Ga2O3衬底材料上生长InGaN/GaN量子阱LED器件结构的方法，在MOCVD系统中对生长的β－Ga2O3衬底在500－1050℃温度下进行材料热处理，在500－1050℃温度范围通入载气N2，氨气以及金属有机源，通过控制载气，源气体流量以及生长温度等参数，在β－Ga2O3衬底上合成生长低温GaN缓冲层材料；用MOCVD方法在β－Ga2O3衬底上生长GaN缓冲层材料后在500－1050℃温度下掺入Si生长N型GaN；用MOCVD方法在β－Ga2O3衬底上生长N型GaN层，接着生长5－10个周期的GaN/InGaN多量子阱结构。并生长一层P型GaN层，构成LED器件结构。并对该结构在600－800℃温度和0.1－1小时退火时间进行退火激活。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100395379C
公开(公告)日：2008-06-18
申请号：CN200510123107.6
申请日：2005-12-15
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种生长高结晶氮化铟单晶外延膜的方法，在蓝宝石衬底上利用MOCVD系统先生长GaN缓冲层，在500-700℃温度范围生长厚度在20-100nm的低温GaN缓冲层；然后利用MOCVD生长高结晶的InN材料。GaN缓冲层生长后对此缓冲层进行900-1100℃的高温退火；再利用MOCVD生长高结晶的InN材料。本发明实现了在蓝宝石衬底上利用低温GaN做缓冲层在MOCVD系统中生长一种新型材料InN的方法。尤其是设计先生长缓冲层，然后生长高质量高结晶的InN材料。面积尺寸可以达到工业生产使用的尺寸。
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公开(公告)号：CN1195006C
公开(公告)日：2005-03-30
申请号：CN03131504.6
申请日：2003-05-20
Applicant: 南京大学
Abstract: 高聚合度和超高聚合度聚氯乙烯解缠结母料的制备方法，属聚氯乙烯加工工艺领域，将高聚合度或超高聚合度聚氯乙烯按2-10wt%溶于中分子溶剂邻苯二甲酸二(2-乙基己)酯中，加热、搅拌、溶解至透明，自然冷却至室温，溶液可以直接用于各种配方，或者将溶液用乙醇或甲醇洗涤、过滤、干燥，得到解缠结的高聚合度或超高聚合度聚氯乙烯母料，解缠结的高聚合度和超高聚合度聚氯乙烯母料的加工流动性大大提高，同时，其它物理机械性能不变。
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公开(公告)号：CN100418240C
公开(公告)日：2008-09-10
申请号：CN200510094880.4
申请日：2005-10-18
Applicant: 南京大学
Abstract: 在β-Ga2O3衬底材料上生长InGaN/GaN量子阱LED器件结构的方法，在MOCVD系统中对生长的β-Ga2O3衬底在500-1050℃温度下进行材料热处理，在500-1050℃温度范围通入载气N3，氨气以及金属有机源，通过控制载气，源气体流量以及生长温度等参数，在β-Ga2O3衬底上合成生长低温GaN缓冲层材料；用MOCVD方法在β-Ga2O3衬底上生长GaN缓冲层材料后在500-1050℃温度下掺入Si生长N型GaN；用MOCVD方法在β-Ga2O3衬底上生长N型GaN层，接着生长5-10个周期的GaN/InGaN多量子阱结构。并生长一层P型GaN层，构成LED器件结构。并对该结构在600-800℃温度和0.1-1小时退火时间进行退火激活。
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公开(公告)号：CN100344006C
公开(公告)日：2007-10-17
申请号：CN200510094747.9
申请日：2005-10-13
Applicant: 南京大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种m面InGaN/GaN量子阱LED器件结构的生长方法，利用MOCVD在(100)铝酸锂衬底上合成生长GaN薄膜材料以及InGaN/GaN量子阱LED器件结构，在MOCVD系统中对生长的(100)铝酸锂衬底在500-1050℃温度下进行材料热处理，在一定500-1050℃温度范围通入载气N2，氨气以及金属有机源，在(100)铝酸锂衬底上合成生长m面的GaN材料，再在该GaN材料上以500-1050℃生长N型层M面GaN，以及分别以700-900℃和600-800℃生长层厚分别为15-20nm和5-15nm的5-10个周期的m面GaN/m面InGaN量子阱结构，最后生长一层m面P型层GaN。
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公开(公告)号：CN1913178A
公开(公告)日：2007-02-14
申请号：CN200610086105.9
申请日：2006-08-29
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/105 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: AlGaN基共振增强单色紫外探测器结构：在蓝宝石衬底上设有厚度在50－2000nm的低温和高温GaN材料，GaN材料上分别设有15－80nm和15－100nm的5－50个周期的AlN/AlGaN多层结构的分布布拉格反射镜为底镜；在上述底镜上设有n－AlxGal－xN/i－GaN/p－AlxGal－xN结构的谐振腔：即设有20－80nm厚的高温n－AlxGal－xN，5－30nm厚的高温i－GaN吸收层，20－80nm厚的高温p－AlxGal－xN，Al组分x≥0.3作为探测器的谐振腔；最后是层厚分别为15－80nm和15－100nm的0－30个周期的AlN/AlGaN多层结构的分布布拉格反射镜即顶镜完成RCE紫外探测器结构。
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