公开(公告)号：CN107611193A

公开(公告)日：2018-01-19

申请号：CN201710801393.X

申请日：2017-09-07

Applicant: 南京大学

Inventor： 陆海 ,  蔡小龙 ,  李良辉 ,  周东

IPC: H01L31/028 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/107 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种新型n-i-p-n半台面垂直结构的碳化硅雪崩二极管及其制备方法。本申请碳化硅雪崩二极管，为n-i-p-n结构，从下到上依次包括：下金属接触电极、n型导电SiC衬底、p型SiC接触层、i型SiC雪崩层、n型SiC过渡层、n+型SiC接触层和上金属接触电极，其中，n型SiC过渡层和n+型SiC接触层形成下大上小的台面状，n型SiC过渡层的下表面面积小于i型SiC雪崩层上表面面积，n型SiC过渡层的外围、n+型SiC接触层的外围、及没有被n型SiC过渡层覆盖的i型SiC雪崩层的上表面均设有钝化层。本发明减小了刻蚀损伤，提高了器件性价比；器件可以采用质量更好的n型欧姆接触；提高了器件工作效率，降低了雪崩噪声，减少了引出导线数量，降低了器件成本。

公开(公告)号：CN107611193B

公开(公告)日：2019-02-01

申请号：CN201710801393.X

申请日：2017-09-07

Applicant: 南京大学

Inventor： 陆海 ,  蔡小龙 ,  李良辉 ,  周东

IPC: H01L31/028 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/107 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种新型n‑i‑p‑n半台面垂直结构的碳化硅雪崩二极管及其制备方法。本申请碳化硅雪崩二极管，为n‑i‑p‑n结构，从下到上依次包括：下金属接触电极、n型导电SiC衬底、p型SiC接触层、i型SiC雪崩层、n型SiC过渡层、n+型SiC接触层和上金属接触电极，其中，n型SiC过渡层和n+型SiC接触层形成下大上小的台面状，n型SiC过渡层的下表面面积小于i型SiC雪崩层上表面面积，n型SiC过渡层的外围、n+型SiC接触层的外围、及没有被n型SiC过渡层覆盖的i型SiC雪崩层的上表面均设有钝化层。本发明减小了刻蚀损伤，提高了器件性价比；器件可以采用质量更好的n型欧姆接触；提高了器件工作效率，降低了雪崩噪声，减少了引出导线数量，降低了器件成本。