公开(公告)号：CN112531050A

公开(公告)日：2021-03-19

申请号：CN202011393697.5

申请日：2020-12-03

Applicant: 南京大学

Inventor： 陈敦军 ,  杨天 ,  张荣 ,  郑有炓

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/107 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种具有改善的横向SAM型APD边缘电场聚集效应的器件。该器件是先在p‑型AlGaN衬底上同质外延一层一定厚度的非故意掺杂的AlGaN，再在AlGaN上异质外延一层GaN，然后通过离子注入的方式在AlGaN层形成横向的p‑i‑n‑i‑n结构,上面形成p‑GaN覆盖层。刻蚀掉不需要的部分p‑GaN后，进行p型欧姆接触与n型欧姆接触的制备，形成横向SAM型APD器件。通过调节p‑GaN覆盖层的掺杂浓度与覆盖长度等参数，可以实现对横向SAM型APD器件边缘电场的调节。在合适的覆盖长度下，可以实现不具有显著的边缘电场聚集效应的GaN基横向SAM型APD器件。同时，p‑GaN覆盖层降低了掺杂与欧姆接触的难度，而极化场的引入，也会带来正的器件效益。

公开(公告)号：CN112531050B

公开(公告)日：2022-03-25

申请号：CN202011393697.5

申请日：2020-12-03

Applicant: 南京大学

Inventor： 陈敦军 ,  杨天 ,  张荣 ,  郑有炓

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/107 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种具有改善的横向SAM型APD边缘电场聚集效应的器件。该器件是先在p‑型AlGaN衬底上同质外延一层一定厚度的非故意掺杂的AlGaN，再在AlGaN上异质外延一层GaN，然后通过离子注入的方式在AlGaN层形成横向的p‑i‑n‑i‑n结构,上面形成p‑GaN覆盖层。刻蚀掉不需要的部分p‑GaN后，进行p型欧姆接触与n型欧姆接触的制备，形成横向SAM型APD器件。通过调节p‑GaN覆盖层的掺杂浓度与覆盖长度等参数，可以实现对横向SAM型APD器件边缘电场的调节。在合适的覆盖长度下，可以实现不具有显著的边缘电场聚集效应的GaN基横向SAM型APD器件。同时，p‑GaN覆盖层降低了掺杂与欧姆接触的难度，而极化场的引入，也会带来正的器件效益。